외부 광귀환이 있는 레이저 다이오드의 혼돈특성에 관해 고찰하였다. Fabry-Perot 공진기 형태의 레이저에 외부 거울에 의한 광귀환을 가정하였으며 파장 $1.3{\mu}m$의 "InGaAsP" buried-hetero structure 레이저에 $1.3J_{th}$의 전류가 인가되었을 때를 모의전산 하였다. 광귀환계수 K의 증가량에 따라 다음의 네단계로 진화현상을 보이고 있다. (1)광귀환계수 K가 아주 작을 때는 시간이 지남에 따라 이완발진은 감쇄되고, 정상 상태에 도달하여 안정된 동작특성을 보인다. (2)K가 조금 증가하면 이완발진은 감쇄되지 않고 주기적인 발진을 유지하기 시작한다. (3)K가 더욱 증가하면 발진의 폭은 증가하고 발진형태의 주기는 길어진다. (4)K가 매우 증가하면 발진형태는 안정을 잃고 coherence collapse 상태에 도달한다.
이완발진 현상을 이용하는 단공진기 색소레이저(QDL:quenched dye laser)는 극단펄스 광원으로서 많은 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는 파장 590nm에서 발진 스펙트럼의 최대값을 갖는 Rhodamine 6G를 레이저 매질로 하고, 파장 308nm의 XeCl 레이저를 펌핑원으로 하여, 이득의 길이가 5mm인 QDL의 이완발진에 의한 극단펄스 발생특성을 컴퓨터 시뮬레이션에 의해 분석하였다. 분석결과, 펌핑광의 펄스폭에 대하여 QDL 출력빔은 1/100 이하로 그 펄스폭이 짧아짐을 밝혀 QDL 이 극단펄스 발생용으로 매우 유용한 레이저임을 밝혔으며, 펌핑광의 공간적 크기를 조절함에 의하여 출력 펄스폭의 연속적인 가변동작이 가능함을 제시하였다.
여기밀도 변화에 따른 펄스폭 연속 가변 Quenched Dye Laser(Q이)를 설계 제작하여 그 동작 특성을 분석하였다. 펌핑광원은 펄스폭 20 ns(FWHM), 에너지 150mJ의 XecCl 엑시머 레이저를 사용하였으며, 색소레이저의 활성매질은 Rhodamine 6G로서 에탄올(ethanol)용액에 2.5$\times$10-3[mol/l]의 농도로 용해되었다. 활성길이 5 nm인 색소셀에서 서로 평행한 양면을 공진기로 구성하여 색소레이저의 이완발진 출력특성을 얻었다. 이완발진의 펄스열에서 단일 펄스를 추출하기 위해 QDL를 구성하였다. QDL의 펄스폭을 가변하기 위해 초점거리 f=150 mm 접속렌즈를 이동시켜 색소셀에 조사되는 공간적 펌핑폭을 조절함으로써 여기밀도를 8.8$\times$1023[cm-3s-1]~2.8$\times$1023[cm-3s-1]까지 가변시켰다. 공간적 펌핑폭에 따른 펄스폭 가변 실험을 수행한 결과 QDL의 발진 펄스폭이 86 ps~201 ps 사이에서 연속적으로 가변됨을 알 수 있었다.
전자산업의 발전은 전자분야 자체뿐 아니라, 관련 전산업분야의 발진을 기초로 카는 것이며, 납땜성이 뛰어난 전기 주석 도금 System의 개발도 그 일익을 담당하게 되는 것이다. 그러나 주석도금 System의 종류와 방법에 따라서 납땜성의 차이는 아주 크며, 그 이유는 주석도그에 사용된 첨가제의 동시전착에 큰 영향이 있음을 알게 되었다. 본 조사는 납땜이 뛰어난 반광택 산성주석도금 방법에 대한 것으로 그 첨가제의 개발 및 사용방법을 기술하고 있다.
We investigated the output characteristics of Nd:YAG lasers at wavelength of 1444 nm, which were pumped by 450 Xe-flashlamp, 700 torr Xe-flashlamp and 700 torr Kr-flashlamp. With a Xe-flashlamp of 700 torr of gas pressure, the pulse energy of 0.738 J was obtained with repetition rate of 9.16 Hz and pumping pulse width of 400 ms. In case pumping pulse width of 5 ms and repetition rate of 1 Hz, 700 torr Kr-flashlamp showed the highest pulse energy of 1.44 J.
In order to generate a clock source with low cost and high performance in system on chip(SoC), a relaxation oscillator with stable output characteristics according to PVT(process, voltage and temperature) fluctuation require a low area and a low power. In this paper, we propose a solution to reduce the current loss caused by parasitic components in the conventional relaxation oscillator. Since the slew rate of the bias current and the capacitor are adjusted to be the same through the proposed solution, a relaxation oscillator with low area characteristics is designed for the same clock source frequency implementation. The proposed circuit is designed using the TSMC CMOS 0.18um process. The Simulation results show that the relaxation oscillator using the proposed solution can prevent the current loss of about $279{\mu}A$ and reduce the total chip area by 20.8% compared with the conventional oscillator in the clock source frequency of 96 MHz.
부성저항영역에서 동작하도록 바이어스전압을 걸어 준 쌍턴넬다이오드회로의 차특성은 역시 전압제어형의 부저항영역을 갖고, 이 회로를 발진기로 동작시킬 때의 쌍회로의 중점의 전위는 구형파의 이완진동을 일으킨다. 본논고에서는 이 중점에서의 구형파에서의 주기 및 정 또는 부의 펄스의 폭을 바이어스 전압에 의하여 제어할 수 있다는 점을 감안하여 주기 T 및 정펄스시간 T1 또는 부펄스시간 T2를 착특성곡선으로부터 해석적으로 구하고 또한 실측하였다. 또한 T 및 T1 또는 T2와 회로제정수와의 관계를 검토하여, T가 일정하고 T1-T2가 바이어스전압의 변화량에 비례하여 조건을 만족시키는 회로정수를 정하고, 바이어스전원과 직렬로 신호전압을 압입하는 방법을 고려하여 구성할 펄스폭변조회로의 특성을 구하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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