• 제목/요약/키워드: 이온 클러스터

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쾌적한 실내환경을 위한 클러스터이온 발생장치 기술

  • 지용준
    • 대한설비공학회지:설비저널
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    • 제39권2호
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    • pp.17-23
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    • 2010
  • 자동차 내부의 공기정화를 위하여 설치되는 공기청정기술에서 새로운 방식의 클러스터이온 발생장치에 의한 클러스터 음 양이온 공급, 제균, 항균 및 악취제거로 쾌적한 실내환경을 제공할 수 있는 기술에 대하여 소개하고자 한다.

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가스 클러스터 이온빔을 이용한 고체 표면 평탄화 및 식각에 대한 연구 (Solid surface smoothing and etching by gas cluster ion beam)

  • 송재훈;최덕균;최원국
    • 한국진공학회지
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    • 제12권1호
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    • pp.55-63
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    • 2003
  • 150 kV급 가스 클러스터 이온 가속기를 제자하여 $CO_2$$N_2O$ 클러스터의 크기를 비행시간 측정법을 통하여 조사하였다. Isolated cluster ion impact를 통하여 클러스터 이온이 고체 표면과 충돌시 1nm 정도 놀이와 수십 nm 폭을 가지는 hillock을 형성시키는 것을 원자간 척력 현미경으로 관찰하였다. 또한 hillock이 존재하는 ITO 표면에 $CO_2$ 클러스터 이온을 조사하면 단원자 이온의 충돌시 보이는 sharpening 현상과는 다른 다중 충돌에 의한 sputtering 효과가 관찰되었으며, 25 kV의 가속 전압에서 $CO_2$ 클러스터 이온을 $5\times10^{-14}\textrm{cm}^2$ 만큼을 ITO 표면에 조사시킨 경우에는 표면이 평탄화되었다. 또한 표면 거칠기가 0.3 nm 정도인 Si 기판 위에 $CO_2$ 클러스터 이온을 조사하면서 이온 조사량에 따른 표면 형상 및 거칠기의 변화를 조사하였다. $10^{12}\textrm{cm}^2$ 이하의 낮은 이온 조사량에서는 hillock들의 형성과 그 밀도의 증가로 표면의 거칠기가 증가하는 surface embossment 현상이 지배적으로 이루어졌으며, 형성된 hillock의 면적과 비조사된 곳의 면적이 같아지는 임계 이온 조사량부터는 hillock이 스퍼터링되고 그 원자들의 표면확산에 따른 hillock 사이의 valley들이 채워지는 스퍼터링과 표면의 평탄화가 이루어지는 구간이 관찰되었고, 그 이후 더 높은 이온 조사량부터는 깊이 방향으로의 식각이 진행되는 연차적인 충돌과정이 관찰되었다.

이온화클러스터빔 증착법에 의한 구리 박막의 반도체 접촉구 메움 향상에 관한 연구 (Improvement of semiconductor contact hole filling of Copper by ionized cluster beam deposition technique)

  • 백민;손기황;김도진
    • 한국진공학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.118-126
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    • 1998
  • 반도체 접촉구를 메우기 위하여 소오스의 직진성을 향상시키기 위한 연구를 수행하 였다. 이온화클러스터빔 증착법을 이용하는 동시에 셀의 구조를 개선하여 직진성 향상을 도 모하였다. 중성클러스터 만으로 구리를 증착할 경우 직진성은 매우 우수하였으나 소오스의 표면 이동이 적어 박막은 주상형으로 성장하며 측벽에의 증착은 거의 일어나지 않았으며 성 장에 따라 그림자효과로 인한 단차에서의 벽개가 관찰되었다. 그러나, 가속전압을 인가하여 전하를 띤 클러스터를 형성시켜 증착하였을 때 주상형 성장 모드는 사라졌으며, 직경 0.5$\mu$ m, aspect ratio 2의 접촉구에서 완벽한 바닥면의 도포성을 나타내었고, 측벽에의 증착성도 향상되어 막의 연결성이 개선되었다. 이로써 이온화 클러스터빔 증착법이 직진성을 향상시 켜 작은 접촉구의 메움을 향상시킬수 있는 물리적 증착 방법임을 확인하였다.

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집속렌즈계 요소기술 개발에 대한 연구

  • 이연진;구종모;노명근;정광호
    • 한국공작기계학회:학술대회논문집
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    • 한국공작기계학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.500-503
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    • 2004
  • 본 연구에서는 금속 원자를 단열 팽창시켜 클러스터를 만들고, 생성된 클러스터를 이온화시킨 후 집속렌즈 및 electric quadrupole을 이용하여 기판으로 증착 하였다. 집속렌즈의 설계에서는 단일 초점 방식의 렌즈보다 성능을 높이기 위하여 이중 초점과 핀홀을 써서 집속 효과 및 효율을 높였다. 렌즈의 설계는 일반적으로 하전입자의 에너지 손실 없이 집속할수 있는 Einzel 렌즈를 기본으로 하였으며, SIMION software 를 사용하여 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션 후 실제 렌즈계 및 정전압원을 제작하여 금(Au)의 클러스터를 생성하여 렌즈계를 통과한 후 실제 기판위로 증착이 되는 것을 AFM(Atomic force microscopy)과 XPS(X-ray photoemission spectroscopy)를 이용해 조사하여 렌즈계가 실제로 동작함을 확인하였다.

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음이온 발생용 후막형 클러스터의 제조 (Fabrication of Thick Film type Cluster for Anion Generator applications)

  • 조정환;여동훈;신효순;홍연우;박지훈;김종희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.464-464
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    • 2007
  • 환경오염으로 인한 각종 질병 및 증후군 등의 발생으로 가정용 산업용에서 환경관련 기술들이 다양한 분야로 확대되고 있다. 본 연구에서는 양이온 및 음이온 양쪽이온을 최대한 발생시키며, 오존 발생량은 억제하고 소비전력을 절감하고자 Ag-Pd 전극을 적용한 세라믹스 클러스터를 개발하였다. Ag-Pd 전극과 매칭되는 세라믹스 조성을 개발한 후 적층공정 기술을 이용하여 후막형 클러스터를 제조하였다. 전극 패턴모양, 전극간 방전간격 및 전극 보호층의 두께에 따른 음이온 발생량을 측정하여 최적화를 위한 실험을 진행하였으며, 음이온 발생량 100만개이상, 오존발생량 0.6ppb인 특성을 확인하였다.

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