• 대한화학회지
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• 제52권4호
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• pp.387-393
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• 2008

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2005년도 춘계학술발표대회 및 제8회 신소재 심포지엄 논문개요집
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• pp.162-162
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• 2005

• 식물분류학회지
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• 제35권4호
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• pp.313-335
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• 2005

식물규소체는 토양과 물에 용해된 규소가 이산화규소($SiO_2$)의 형태로 식물체내의 여러 기관 또는 표피세포에 축적되면서 형성되어 식물의 성장과 발달에 중요한 영향을 미치는 것으로 밝혀지고 있어, 식물의 규소체에 관한 연구가 시행되고 있다. 따라서 본 연구에서는 한국산 사초과 (Cyperaceae) 식물 13속 228종 중, 12속 136종의 잎의 표피형에서 밝힌 규소체의 형태를 검토하여 정리하였다. 그 결과 한국산 사초과 식물은 규소체의 모양에 따라 2 그룹으로 구분되었다. 제 1 그룹은 원추형(conical body)의 규소체를 나타내고, 골풀아재비속(Rhynchospora), 검정방동산이속(Fuirena), 너도고랭이속(Scleria), 사초속(Carex)과 황새풀속(Eriophorum)이 이에 속한다. 제 2 그룹은 규소체의 모양이 원추형을 중심으로 많은 위성형을 보이며, 방동산이속(Cyperus), 올챙이골속(Scirpus), 바늘골속(Eleocharis), 하늘지기속(Fimbristylis), 파대가리속(Kyllinga), 모기골속(Bulbostylis)과 세대가리속(Lipocarpha.)이 속한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.625-630
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• 1987

Thermal evaporated SiO rf sputtered SiO2 thin films were most widely used to the gate oxide of TFTs. In this paper, the difference of trap density and distribution between SiO2 and SiO2 film were studied. TFTs using SiO and SiO2 thin film for the gate oxide were fabricated. The output characteirstics of TFTs and the time dpendencd of the leakage current were measured. Models of the carrier transport and carrier trapping in TFT were proposed. The trap density was obtained by substituting measured value for the equation derived from the proposed model. It was found that rf sputtered SiO2 had more traps at interface than thermal evaporated SiO.

• 한국재료학회지
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• 제5권6호
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• pp.709-709
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• 1995

원거리 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온에서 이산화규소박막을 제조하였다. 본 연구 에서는 공정변수인 기판의 온도, 반응기체의 조성 및 분압과 플라즈마 전력에 따른 산화막의 재료적인 물성을 평가하였다. XPS결과에서 산화막은 양론비(O/Si=2)보다 약간 적어 실리콘이 많이 함유된 막으로 나타났다. 이 경우 굴절율과 ESR분석에 의해 미결합된 실리콘의 양이 증가함을 알 수 있었다. SIMS분석에 의해 미량의 질소성분이 계면에 존재하는 것과 실리콘 미결함을 관찰하였다. FT-IR로부터 막내 수소량을 정량화하였으며 결합각 분포는 200℃이상에서 열산화막과 비슷한 값을 얻었다. 하지만 열산화막에 비해 높은 식각율을 보여 계면 스트레스에 의해 막내의 결합력이 약해진 것으로 생각된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1994년도 제6회 학술발표회 논문개요집
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• pp.133-133
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• 1994

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1996년도 Advance Program of 13th optics andquantum Electronics conference, 1996제13 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.3-3
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• 1996

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권4호
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• pp.436-440
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• 2009

본 연구에서는 초산화칼륨이 포함된 화학 폐를 이용하여 이산화탄소를 산소로 전환시켰다. 우선 초산화칼륨을 수산화칼슘과 혼합하여 초산화칼륨의 반응성을 낮추었다. 기제조한 수산화칼슘-초산화칼륨 혼합물을 수분제거에 용이한 실리콘 고분자 매트릭스에 여러 가지 비율로 분산시켜 화학 폐를 제조하였다. 일반적으로 화학 폐에 있는 초산화칼륨의 양이 많아질수록 변환되는 이산화탄소와 발생되는 산소의 양이 증가하였다. 후리에 적외선 분광기 분석결과 화학 폐에 분산되어 있는 규소-산소의 단일결합이 $1,050cm^{-1}$에서 나타났다. 규소-산소 단일결합의 흡수도는 화학 폐에 있는 규소고분자의 함량이 높을수록 높았다. 본 실험결과는 이산화황이나 이산화질소같은 산성 가스의 전환에도 이용될 수 있음을 보여준다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1997년도 Advance Program of 14th optics andquantum Electronics conference, 1997제14 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.15-15
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• 1997

• 융합정보논문지
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• 제10권8호
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• pp.137-143
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• 2020

SiO2 증착된 금속 호일 기판에 형성된 은 금속 박막의 급속 열처리에 대한 물리적 및 화학적 특성 영향을 조사하였다. 은 박막을 150도에서 550도까지 온도를 변화시키며, 각 온도에서 20분 동안 급속 열처리를 진행하였다. 550도에서 표면 거칠기와 저항이 급격하게 증가하는 현상을 발견하였다. 따라서 550도의 열처리 온도 샘플에 대해 조성 분석 기법을 사용하였고, 은 필름 표면에 산소 (O) 및 실리콘 (Si) 원자가 존재함을 확인하였다. 박막의 광학적 특성인, 전체 반사율은 온도가 증가함에 따라 감소하였으며, 특히 550도에서 공정을 진행한 박막은 박막 및 기판 표면으로부터의 다중 반사에 의한 광학적 간섭으로 인해 정현파 특성을 나타냄을 확인하였다. 이러한 현상은 급속 열처리 동안 SiO2 층으로부터 Si 원자의 외부 확산에 기인한 것이다. 본 연구 결과는 다양한 플렉서블 광전자소자의 기판으로 사용할 수 있는 가능성을 제공한다.