• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.18 no.1
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• pp.28-31
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• 2008

We studied the effect of easy magnetization axis orientation with respect to the strip direction by measuring the magnetoresistance(MR), the magneto-optic Kerr effect(MOKE), and real-time domain evolution. The five strips were patterned on a single chip with the easy axis orientation of each strip relative to the longitudinal direction by around $0^{\circ}$, $18^{\circ}$, $36^{\circ}$, $54^{\circ}$ and $72^{\circ}$, respectively. The overall shape of field dependent MR was mostly governed by the anisotropy magnetoresistnace. The relative change of the longitudinal MR was significantly increased with increasing angle between the easy axis and strip direction, whereas, the transverse MR variation rate was decreased with increasing angle. Several MR steps were observed during the magnetization reversal, and the simultaneous measurement of the MOKE and the domain images identified that the MR steps were associated with evolution of the oppositely directed magnetic domain.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.5 no.3
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• pp.222-232
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• 1995

자기저항이란 외부 자기장에 의해 재료의 전기저항이 변화되는 현상을 일컫는다. Au와 같은 비자성도체 및 반도체 재료의 경우 외부에서 자기장이 가해지면 전도 전자가 Lorentz 힘을 받아 궤적이 변하므로 저항이 변화한다. 이러한 저항 변화 를 정상 자기저항(Ordinary Magnetoresistance, OMR)이라 하며 일반적으로 상당히 작은 저항의 변화를 나타낸다. 강자성도체 재료에서는 정상 자기저항 효과 외에도 부가적인 효과가 생긴다. 이는 스핀-궤도 결합에 기인한 효과로써 자기 저항은 강자성체의 자화용이축, 외부자계와 잔류간의 각도에 의존하며 이방성 자기저항(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)이라 한다. AMR 비(%)는 일반적 으로 다음과 같이 정의된다. 즉 ${\Delta}{\rho}_{AMR}/{\rho}_{ave}=(\rho_{\|}-\rho_{T})/{\rho}_{ave}$로 여기서 $\rho_{\|}$는 자기장의 방향이 전류의 방향과 같을 때의 비저항 이고 $\rho_{T}$는 서로 수직일 때이며 ${\rho}_{ave}=(\rho_{\|}-\rho_{T})/3$이다. 기존의 MR 센서나 자기재생헤드(magnetic read head)에 사용되는 퍼머로이계 합금의 AMR 비는 상온에서 약 2% 정도의 저항변화를 보인다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.67-76
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• 1995

자기저항헤드용 Ni-Fe-Co/Cu/Ni-Fe-Co/Fe-Mn 다층박막에서 자기적 성질과 전기적 성질에 관하여 조사하였다. 저 포화자계에서 고 자기저항을 나타내는 스핀 밸브형 다층박막을 제작하기 위하여 Borond이 도핑된 p-type Si(100)기판위에 Ni-Fe-Co 단층박막과 Si/Ni-Fe-Co/Cu/Ni-FeCo, Si/Ni-Fe-Co/Fe-Mn 구조의 다층막을 제작하여 자기적 특성을 조사하였다. Ni-Fe-Co 단층박막의 자기적 특성은 고정된 아르곤 분압에서 박막의 두께 등에 의존성이 있는 것으로 나타났다. 또한 Si/Ni-Fe-Co($70AA$)/Fe-Mn 구조에서 Ni-Fe-Co와 Fe-Mn 계면에서의 두 자성층의 이방성 차이에 의해서 발생되어지는 교환자기이방성이 존재하였으며, 교환자기이방성자계값은 Fe-Mn 두께가 $150\AA$일 때 가장 큰 값을 나타내었다. Ni-Fe-Co texture와 교환자기이방성자계값은 Fe-Mn 두께가 $150\AA$일 때 가장 큰 값을 나타내었다. Ni-Fe-Co texture와 교환자기이방성자계값의 의존성을 알아보기 위하여 Ti, Cu를 바닥층으로 사용하였다. Ti을 바닥층으로 사용하였을 경우, 교환자기이방성자계값은 23.5 Oe 정도의 가장 큰 값을 나타내었다. XRD 분석결과, Ti 바닥층이 Cu 바닥층이나, 바닥층이 없는 경우와 비교하여 성막된 Ni-Fe-Co 자성층의 강한 fcc(111) texture를 형성하는 것으로 나타났다. 각각의 단층박막과 다층박막에서의 자기적 특성을 측정한 후, Si/Ti($50\AA$)/Ni-Fe-Co($70\AA$)/Cu($23\AA$)/Ni-Fe-Co($70\AA$)/Fe-Mn(150$\AA$)/Cu(50$\AA$)의 스핀밸브구조를 갖는 다층박막을 제작하였으며, 11 Oe의 낮은 포화자계값에서 4.1%의 고 자기저항값을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.3
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• pp.173-177
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• 2006

We have investigated the magnetoresistance (MR) effect of the spin valve structures composed of perpendicularly magnetized Pd/Co multilayers, with changing the space layer (Pd or Cu) thickness, the stacking number of the Pd/Co multilayers, and the Co insertion-layer thickness. The Cu space layer showed larger MR ratio than the Pd space layer. The Co insertion-layer between Cu layer and pinned layer enhanced the MR ratio about three times. The maximum MR ratio of 7.4 % was established in the sample with the Co insertion-layer thickness of 0.62 and 1.01 nm.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2013.12a
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• pp.71-72
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• 2013

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.14 no.4
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• pp.115-119
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• 2004

We measured in-plane 2 dimensional magnetization vector using two pick-up coil sets and investigate the relationship between magnetization vector and anisotropic magnetoresistance. We can determine magnetization vector by measuring magnetic moment in x and y direction simultaneously. As the uniaxial magnetic anisotropy of permalloy film increases, magnetoresistance approaches the expectation which is calculated from the angle between current vector and magnetization vector. Magnetoresistance ratio is linearly proportional to the y moment magnitude which is parallel to the current direction.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1998.05a
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• pp.38-39
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• 1998

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2018.10a
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• pp.911-912
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• 2018

금속탐지 센서는 공항, 접경지역 같은 다양한 보안 분야 등에서 널리 사용하고 있는 센서이다. 이러한 금속탐지 센서는 홀 현상을 이용하는가, 맴돌이 전류를 색출하여 탐지하는가 등에 따라 방식이 나뉘게 된다. 본 논문에서는 이러한 방식들 중 미세한 저항의 변화를 탐지하는 이방성 자기저항을 이용하여 다른 방식의 센서들보다 전력소보가 적고 정교한 탐지가 가능하도록 하였다. 또한 센서의 축을 늘려 더욱 넓은 원형범위에서 금속을 탐지할 수 있게 하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.9 no.6
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• pp.301-305
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• 1999

NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$)/Cu(60$\AA$)/Co(30$\AA$) spin valve thin films were patterned into magnetoresistive random access memory (MRAM) cells by a conventional optical lithography process and their output and switching properties were characterized with respect to the cell size and geometry. When 1 mA of constant sense current was applied to the cells, a few or a few tens of mV of output voltage was measured within about 30 Oe of external magnetic field, which is an adequate output property for the commercializing of competitive MRAM devices. In order to resolve the problem of increase in the switching thresholds of magnetic layers with the downsizing of MRAM cells, a new approach using the controlled shape anisotropy was suggested and interpreted by a simple calculation of anisotropy energies of magnetic layers consisting of the cells. This concept gave a reduced switching threshold in NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$) layer consisting of the patterned cells from about 15 Oe to 5 Oe and it was thought that this concept would be much helpful for the realization of competitive MRAM devices.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1998.05a
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• pp.36-37
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• 1998