• 한국전자파학회논문지
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• 제14권9호
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• pp.950-954
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• 2003

본 논문에서는 내부 전자파원에 의해 여기된 공동의 내벽 한 면에 손실 유전체를 설치한 경우 공동 내부로 공급된 전력과 반사계수를 계산하였으며, 손실 유전체에 의해 공동 내부의 전자계가 저감되는 특성을 검토하고있다. 이론 해석으로는 내부 전자파원의 전류 분포 및 손실 유전체 경계면에서의 전계분포에 관한 연립 적분방정식을 유도하고 Galerkin의 모멘트법으로 해석하여 공동체 공급된 전력과 반사계수를 구하고 있다. 이론해석 결과, carbon을 함유한 발포 폴리스티렌을 손실 유전체로 사용하여 유전체의 두께와 carbon 함유량을 조절함으로써 공동 내부 전자파원으로부터의 전자파 방사를 저감시킬 수 있음을 보이고 있으며, 공급 전력의 실험치와도 비교하여 이론 해석의 타당성을 확인하고 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권6호
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• pp.249-253
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• 2010

A-자리 경함 perovskite $La_{1/3}NbO_3$ 단결정 시편을 제작하여 10~800 K 온도범위에서 유전특성을 조사하였다. 50 K와 650 K 부근에서 유전이상이 나타났으며, 고온영역(약 650 K)에서 유전상수의 thermal hysterisis가 크게 나타났다. 교류전도도 측정으로부터 560~690 K에서 입내 활성화 에너지는 0.43 eV로 가장 낮게 나타났다. 이들의 결과로부터 50 K 부근의 dielectric anomaly는 $Nb^{5+}$-이온의 antiparallel 변위에 기인한 것이며, 650 K 부근의 dielectric anomaly는 $La^{3+}$-이온의 재배열에 기인한 것으로 추측된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권12호
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• pp.1167-1173
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• 2001

텅스텐브론즈 구조를 가지는 Sr$_{x}Ba_{1-x}Nb_{2}O_{6}$(SBN) (0.3$\le$x$\ge$0.7) 세라믹스를 고상반응법으로 합성하고 Sr/Ba의 비에 따른 유전특성을 조사하였다. SBN 세라믹스는 Sr/Ba의 비가 증가함에 따라 상전이 온도는 낮아지고 상전이 온도에서의 최대 유전율은 증가하였다. 또한 SBN 세라믹스는 Sr 함량에 따른 relaxor 거동을 정량화하여 평가하였는데, Sr/Ba의 비가 증가할수록 유전율은 더욱 완만해지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 실험 결과를 텅스텐브론지 구조를 가진 SBN 세라믹스의 결정구조 관점에서 해석하였다.

• Elastomers and Composites
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• 제18권2호
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• pp.51-59
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• 1983

고분자물질의 유전특성은 고분자의 분자구조를 연구하는데 대단히 중요하다. 황가황에 의한 천연고무의 유전흡수특성을 25[$^{\circ}C$]의 온도에서 주파수영역 10[KHz]부터 32[KHz] 사이에서 연구하였는데, 결과로서 황 4phr 이하의 가황 천연고무에서는 계면분극과 쌍극자 분극에 의한 두종류의 유전손실이 나타났고 황 7phr 이상의 가황 천연고무에서는 쌍극자분극에 의한 손실만이 존재함을 확인하였다. 더욱이 황의 증가로 저주파수쪽으로 이동되는 유전 손실스펙트럼의 최대치 $tan{\delta}$는 황에 의해 변화되며 체적고유저항은 황의 첨가와는 무관하였고 그 크기는 $10^{7}{\sim}10^{11}[{\Omega}{\cdot}cm}]$이였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권5호
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• pp.403-408
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• 1994

Dielectric and structural properties of $Ba_{1-x}$(Z $n_{1}$3/T $a_{2}$3/) $O_{3}$+1 mol% Mn $O_{2}$ (x=0, 0.01, 0.02, 0.03, 0.04) ceramics was investigated at microwave frequencies. With $Ba_{+2}$ shortage, the sinterability and the unloaded Q( $Q_{u}$) were much improved, and the ordering in B site and the lattice distortion was greatly enhanced and the structure approached the completely ordered structure. $Q_{u}$ was strongly correlated with these factors such as ordering ratio, lattice distortion and sinterability, and had the maximum value of 7500 at x=0.01. The dielectric constant was near 30 and the temperature coefficient of the resonant frequency was 2 ppm/.deg. C at x=0.01.1.1.1.

• 미생물학회지
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• 제53권4호
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• pp.344-346
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• 2017

발효 식품에서 널리 발견되는 Lactobacillus plantarum은 환경에 적응하기 위한 다양한 표현형 및 유전적 특성을 가지고 있다. 우리는 사과 주스의 malolactic 발효를 위해 선발한 L. plantarum JBE245 (= KCCM43243) 유전체의 전체 염기서열과 주석을 보고한다. 유전체는 2907개의 암호화 된 영역, 45개의 위유전자, 91개의 RNA 유전자를 포함한 단일 원형 염색체로 구성되었으며 그 크기는 3,262,611 bp였다. 이 유전체는 4개의 malate dehydrogenase 및 3개의 malate permease 유전자들과 함께 다양한 종류의 plantaricins 합성 유전자들을 포함하고 있었다. 이러한 유전적 특성은 발효 동안 사과 주스의 부패 방지와 사과산(malate)의 젖산(lactate)으로의 효율적 전환이 요구되는 균주의 선발 기준과 잘 부합되었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.90-96
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• 1985

PECVD장비를 사용하여 PSG를 증착하고 막의 유전 및 보호막 특성을 조사하였다. X-선 형광분석으로 PSG내의 인 농도를 분석한 결과 약 8m/o에서 포화되었다. 인 함량에 대한 PSC의 적외선 홉수율, 식각속도 및 시트저항등의 변화도 비교하였다. APCVD와 PECV각에 대한 유전특성, 스텝 커버리지, 크랙저항과 게터링효과를 검토하였다. PECVD산화막은 비중 2.4g/㎤, 굴절율 1.53, 항복전장 11-13MV/cm의 값을 가졌고 크랙저항도 APCVD산화막 보다 우수하였다 2m/o의 인을 포함하는 PECVD PSG의 경우 양호한 스텝 커버리지와 게터링효과를 보였다. 공정변수에 대한 일련의 실험을 통하여 PECVD PSC 공정으로 보다 개선된 특성의 보초막을 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권8호
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• pp.1-4
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• 2011

SiOC 박막과 같은 유무기 하이브리드 저유전 물질에서의 열처리효과에 의한 전기적인 특성의 변화와 유전상수에 관하여 연구하였다. SiOC 박막은 분극에 따른 특성을 분석하기 위해서 TMS과 산소의 혼합가스를 이용한 CVD방법에 의하여 증착되었으며, 300~500도까지 변화하면서 열처리를 하였다. SiOC 박막은 열처리에 의하여 유전상수는 더욱 낮아지며, 400도에서 열처리 한 경우 전기적인 특성이 우수한 것을 확인하였다. XRD 패턴에 의하면 300도이하에서 열처리한 박막과 400도 이상에서 열처리 한 경우 결합구조가 달라지는 것을 알 수 있고 400도 근처에서 급격한 변화가 일어나고 있는 것을 확인하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권10호
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• pp.1-6
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• 1998

플라스틱 실장된 GaAs(ε/sub r/=13) MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) 마이크로스트립의 플라스틱 유전체에 의한 영향을 SDM (Spectral Domain Method)을 이용하여 해석하였다. 현재 초고주파 실장용 및 PCB 기판 재료로 널리 사용되는 FR-4 composites(ε/sub r/=4.2)를 이용하여 플라스틱 실장할 경우, GaAs MMIC 마이크로스트립의 특성 임피던스는 실장 전에 비하여 약 6 % 감소하고, 유효 유전상수는 약 13 % 증가한다. 이러한 플라스틱 유전체에 의한 기생 특성은 실장된 고주파 집적회로의 성능 저하를 초래할 수 있으므로 본 논문에서는 이러한 플라스틱 유전체 영향을 고려하여 실장후에도 50 Ω 정합 특성을 유지할 수 있는 스트립 폭을 계산하였다. 본 연구의 결과는 저가격 플라스틱의 실장 구조를 최적화시킴으로써 그 응용 범위를 확대하는데 유용하게 사용될 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권11호
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• pp.990-995
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• 1998

본 연구에서는 PZT(20/80)과 PZT(80/20) 금속 alkoxide용액을 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판위에 상호 반복시킨 강유전성 PZT(20/80)/PZT(80/20) 이종층 박막을 제작하였다. 건조와 소결을 한번 행한 PZT 이종층 박막의 평균 두께는 약 80~90 nm이었다. 제작된 모든 PZT 박막은 rosette상이 없는 치밀하고 균질한 미세구조를 나타내었으며, 하부의 PZT층은 열처리시 상부 PZT층은 열처리시 상부 PZT 박막의 페로브스카이트 형성에 대해 nucleation site로 작용하였다. 유전상수, 피로특성 및 누설전류특성 등은 단일 조성의 PZT(20/80), PZT(80/20) 박막에 비해 우수한 특성을 나타내었다.