통신선에 장애를 유발할 수 있는 전자유도 대책을 위해서 국가 기술기준에 의한 유도전압 한계치가 정해져 있고, 현장 유도 대책 상 이 제한치를 초과할 때에 필요한 것이므로 정부 고시의 기술 근거에 의해 유도전압을 계산하여 이에 대한 조치를 시행하고 있다. 전자유도 현상에 있어서 피유도원인 통신선간의 커플링 관계에 있어서 중간 차폐를 줄 수 있는 성분에 대한 계수치를 적용할 수 있다. 이러한 차폐성을 줄 수 있는 시설과 관련하여 여러 가지 기유도원 또는 피유도원 시설 구조상의 요소들에 대한 차폐치가 주어져 있다. 그러나 지중 매설물에 대한 차폐효과에 대하여는 별도로 제시되지는 못하고 있다. 이와 관련 지중 매설물 중 광역상수도관에 의한 차폐성을 확인하기 위한 현장 측정을 통하여 비교 연구하였다. 유도원과 병행하여 광역상수도관이 매설된 지역에서 광역상수도관이 병행하는 부분과 일정 정도의 이격되어 병행하는 부분의 경계점에서 양단에 발생하는 유도 전압을 동시 비교 측정함으로써 그 차폐효과에 대한 현장 데이터를 확보하였다. 현장의 여러 조건변수들의 종속성을 정규화하고 광역상수도관의 독립적 변수에 의한 차폐성을 분석하여 제시한다.
본 논문은 뇌임펄스전압에 대한 누전 차단기의 오동작 특성에 관한 것으로 한국공업규격 KS C 4613의 규정과 서지보호장치를 갖는 모의회로의 조건에서 누전차단기의 부동작 특성을 실험적으로 조사하고 검토하였다. 실험 결과, 본 연구에 사용한 30[A]용 고감도형 누전 차단기인 모든 시료는 증폭회로의 전원부에 설치된 서지보호장치에 의해 입사되는 차동모드의 뇌임펄스전압에 차단되는 성능을 가지고 있었다. 4종의 시료는 KS C 4613에 정의된 뇌임펄스 부동작시험조건을 만족시키지 못하였으며, 그때의 오동작을 유발한 전압은 약 5∼6.5[kV]로 비교적 높았다. 서지보호장치가 설치된 경우를 모의한 시험조건에서는 3종의 누전차단기가 오동작하였으며, 누전차단기가 오동작을 일으키는 전압도 약 3∼5[kV] 정도로 비교적 낮았다.
본 연구는 스캔 구동 회로의 변화에 따른 교류형 플라즈마 표시기의 구동 특성에 관한 것이다. 본 연구에서는 교류형 플라즈마 표시기의 용량성 부하 특성을 활용하여 스캔 라인 당 소요되는 스위치의 수를 줄일 수 있는 회로를 제안하고 그 적용 가능성을 고찰하였다. 제안된 방식의 실용화 가능성에 대한 검증을 위하여 방전 유지 전압의 변화에 따라 어드레싱 전압의 변화를 관찰하여 동적 전압 마진을 측정한 결과, 기존 방식에 비하여 9[V] 가량의 전압마진 감소가 관찰되었다. 이는 제안된 방식의 경우 선택된 전극의 스캔 기간에 이웃한 전극에 전위에 영향을 줌으로써 상호 간섭이 유발되는 효과에 의한 것으로 해석되었다. 최소 어드레싱 전압과 어드레싱 방전의 방전 지연 시간에 변화가 없는 점을 감안하면 제안된 방식의 실제 회로 적용은 가능할 것으로 사료된다.
This paper present as experimental demonstratio of DSP and a sensory actuator that is used to actively control sound transmission/radiation through a vibrating plate. A plane acoustic wave incident on a clamped, thin circular plate was used as a noise source, and a sensory actuator bounded to the plate was used to control and sense vibration of the plate. The sound transmission reduction problem was tranformed as a structural vibration control problem that actively control the structural vibration modes coupled to acoustic modes. The results show that the first structural vibration mode is controlled with a reduction of 78 percent in the displacement and velocity of the plate. This corresponds to a 13dB reduction in the acoustic response. These experimental results indicate that a sensory actuator bounded to the plate can be employed to attenuate the sound transmitted to radiated from the plate.
타이타늄을 2단계로 양극산화하여 색을 유지하며 표면에 튜브형태를 갖는 산화막을 제조하였다. 타이타늄을 양극산화 시, 전해질 농도, 양극산화 전압, 시간 등에 따라 다양한 색을 띄게 되는데, 기름기 등의 오염물질로 인한 색 변화, 내 지문성 등의 문제가 유발된다. 이에 타이타늄을 양극산화하여 나노튜브를 성장시킨 후, 기존 산화막 제조와 같은 조건으로 다시 양극산화하였다. 그 결과 기존 barrier 형태의 산화막 색이 구현되면서, 표면의 돌기형태에 따른 접촉각이 변화하게 되었다.
최근에, 평활용 직류 커패시터가 설치된 다이오드 정류기가 가전제품 및 교류 운전 장치와 같은 전자 장치에 점점 많이 사용되고 있고, 이러한 부하에 의해서 발생하는 고조파 문제가 점차 중요한 문제로 부각되고 있다. 또한, 3상 4선식 전력 시스템은 상업용 빌딩이나 제조 플랜트 등에 전력을 공급하는 방법으로 많이 사용되고 있는데 이러한 시스템에서는 중성선에 과도한 전류가 흐르게 되고, 중성선 전류는 기본적으로 3고조파 성분으로 중성선 도체 사이즈 선정의 실패나 중성점의 전위를 상승시키거나 변압기의 과열 현상 등을 유발할 수 있다. 이러한 관점에서 본 논문에서는 직접 보상전압 추출기법으로 동작하는 직렬 형 능동 필터를 제안하며, 성능함수 알고리즘의 장점은 게인을 곱하지 않고 보상 전압을 직접 구함으로써, 어떠한 다른 알고리즘보다 보상 전압 계산 방법이 간단하다. 제안된 알고리즘의 타당성을 증명하기 위하여 프로토타입 능동 필터를 제작하여 실험을 수행하였다.
관상동맥은 전기적으로 자극하여도 활동전위가 쉽게 유발되지 않는 조직인데, 이는 세포내의 $Ca^{2+}$에 의해서 활성화되는 $K^{+}$통로때문이라고 여겨지고 있다. 저자들은 단일 이온통로 수준에서 이러한 관상동맥 $K^{+}$ 통로의 성질을 조사하고, 아울러 $K^{+}$ 통로 개방제를 포함한 몇가지 약물이 $K^{+}$ 통로에 미치는 영향을 알아보고자 본 연구를 수행하였다. 막소포는 돼지의 심장에서 관상동맥을 분리하여 균질화 및 원심분리하여 준비하였으며, sucrose 20/30%에 있는 층을 취하여 분주한 후 -7$0^{\circ}C$로 보관하여 사용하였다. 평지방막은 1-palmitoyl, 2-oleoyl-phosphatidyl ethanolamine과 1-palmitoyl, 2-oleoyl phosphatidylcholine (4:1)을 n-decane에 녹인지방액(25mg/m1)을 200 $\mu\textrm{m}$의 구멍에 칠하여 만들었다. 단일 $K^{+}$ 통로는 막소포 (1-5$\mu\textrm{g}$/ml)를 평지방막의한쪽에 추가하고 자석으로 저어 융합이 되도록 하였으며, 통로의 활성은 막의 양쪽에 150 mM KCI, 10 mM HEPES-KOH, 0.5 mM EGTA, 0.6 mM $CaCl_2$ (pH 7.2)로 된용액이 존재하는 상태에서 막전압을 다르게 하며 기록하였다. 단일 이온 통로 전류는 amplifier를 통하여 VCR tape에 녹화하여 후에 분석에 이용하였으며, 동시에 종이기록지에 기록하였다. 단일이온통로 활성의 분석은 pClamp (Ver5.5)를 이용하여 수행하였다. 관상동맥에서 가장 흔히 기록되는 이온통로는 막전압과 $Ca^{2+}$의 농도에 의하여 변하는 $K^{+}$ 통로이었는데 pCa 4.0과 -10 mV에서 초기 활성도(Po)는 0.1에서 0.8까지 다양하였다. 전류와 전압과의 관계는 -60 - +60mV의 전압범위에서 직선형이었다.
비정질 IGZO 박막 트랜지스터에 포지티브 직류/교류 게이트 바이어스를 인가하여 신뢰성을 분석하고 비정질 IGZO 박막 트랜지스터의 신뢰성을 고려한 시프트 레지스터 회로를 설계하였다. 비정질 IGZO 박막 트랜지스터의 문턱전압은 바이어스 스트레스가 인가되었을 때 양의 방향으로 이동하였고, 전류가 감소하였다. 또한 문턱전압은 직류 바이어스 스트레스가 인가되었을 때 교류 바이어스 스트레스가 인가 되었을 때 보다 더 양의 방향으로 이동하였다. 총 8개의 박막 트랜지스터로 구성된 일반적인 시프트 레지스터 회로에서는 특정 박막 트랜지스터에 직류 바이어스 스트레스가 걸리기 때문에 비정질 IGZO 박막 트랜지스터를 이용하여 구동할 때 회로 오동작을 유발할 수 있다. 비정질 IGZO 박막 트랜지스터의 신뢰성 결과를 고려하여 총 9개의 박막 트랜지스터로 구성된 교류 동작하는 시프트 레지스터 회로를 설계하였다. 모든 소자에 직류 바이어스 스트레스가 걸리지 않도록 회로를 설계하였으며, 추가된 트랜지스터의 채널 너비가 매우 작기 때문에 트랜지스터가 하나 추가되어도 회로가 차지하는 면적에는 거의 변화가 없다. 바이어스 스트레스에 따른 소자 열화를 고려하여 시뮬레이션을 해 본 결과 일반적인 회로에서는 회로 오동작이 관측된 반면, 제안한 회로에서는 문제없이 동작하는 것을 확인하였다.
안드로이드 CPU 거버너는 CPU 주파수를 낮추어 CPU 공급 전압을 감소시키는 DVFS (Dynamic Voltage Frequency Scaling) 기반 전력 관리 기법을 사용한다. 그러나 CPU 주파수의 감소는 태스크의 실행 속도 지연을 유발한다. 이로 인해 태스크의 응답 시간 및 마감 시한 초과율이 증가하여 태스크가 제공하는 서비스의 품질 하락이 발생한다. 이에 본 논문에서는 다양한 안드로이드 CPU 거버너들을 전력 소비와 태스크의 응답성 및 마감 시한 측면에서 분석하였다.
본 연구는 기계화학적 활성화 된 스카치테이프가 금속 이온 수용액에서 유발하는 자발적 금속 나노입자 필름 형성의 구동력과 그 크기를 전기화학적 방법으로 분석했다. 은 필름이 형성된 테이프를 질산에 녹이고, 완충용액과 섞어 전기화학 측정용 샘플을 준비했다. 양극 벗김 전압전류법의 피크 신호를 통해, 은 입자의 자발적 환원에 소모된 전하량을 측정했다. 이를 검정 곡선에 대입하여, 환원된 은의 양을 구했다. 그 결과 은의 양이 선행 연구 대비 106배 많은 점, 수용액에서 전하를 가진 이온들의 짧은 수명을 참고하여, 자발적 반응의 구동력을 라디칼로 결론 냈다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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