• Title/Summary/Keyword: 유리 박막

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이종밴드갭을 갖는 $TiO_2/Cr_2O_3$/Cr 다층박막의 친수성

  • Park, Seon-Ho;Lee, Gi-Seon;Mun, Chang-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.373-373
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    • 2010
  • 광촉매능을 갖는 $TiO_2$는 국내외적으로 많은 연구가 진행되고 있다. 빛의 조사로 발생하는 다양한 물리 화학적 촉매특성이 환경정화 뿐만 아니라 및 에너지 흡수차단 기능도 갖고 있어 최근 주목을 받고 있다. 응용분야로 초친수성 유리제품, 필터, 살균기능의 의료용 부품소재, 고효율 수소생산 및 태양전지 등에 활용성이 커서 친환경에너지 소재로 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 초친수성 자동차의 사이드미러 개발을 위해 유리표면에 초친수성 $TiO_2$를 코팅하 고 그의 특성을 평가하였다. 특히, 이종밴드갭을 갖는 복합구조 $TiO_2/Cr_2O_3$/Cr 박막을 스퍼터링법으로 증착하여 중간층인 $Cr_2O_3$의 역할을 고찰하였다. 제조된 박막의 결정구조는 thin film형 X-선회절기(XRD)를 사용하여 분석하였으며, 박막의 표면 미세구조는 FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope)와 AFM(Atomic Force Microscope)으로, 화학구조는 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscope)로 분석하였다. 친수성 평가는 실온 분위기에서 접촉각 측정기(Topcon-UVR2)를 사용하여 평가 하였으며 이때 조사되는 UV는 파장이 365nm이다. $Cr_2O_3$(비정질)/Cr박막위에 제조된 $TiO_2$ 박막은 균일한 anatase-$TiO_2$가 성장했으나, Cr, $Cr_2O_3$(결정질)박막위에 제조 된 $TiO_2$ 박막은 anatase상과 rulile상이 혼합된 형태로 성장하였다. $TiO_2$/Cr, $TiO_2/Cr_2O_3$(비정질)/Cr, $TiO_2/Cr_2O_3$(결정질)/Cr박막은 UV조사 1시간 만에 $10^{\circ}$ 이하의 초친수성을 나타내었다. 이종 밴드갭을 갖는 $TiO_2/Cr_2O_3$(비정질)/Cr박막은 40시간까지 친수성을 유지하는 결과를 나타냈다.

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Growth of Electrochemical Nickel Thin Film on ITO(Indium Tin Oxide) Electrode (ITO(Indium Tin Oxide) 전극상의 전기화학적 Nickel 박막형성)

  • Kim, Woo-Seong;Seong, Jeong-Sub
    • Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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    • v.7 no.2
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    • pp.155-161
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    • 2002
  • We studied the formation of nickel nano thin film that have various electrochromic properties. Nickel thin film having various thickness will apply photoelectronic devices, specially, electrochromic devices. These devices will apply lens, battery, glass and solar cell that have light, thin, simple and small that applied nanotechnology and quantum dot. Nickel thin film was coated by electrochemical method on ITO electrode. We studied the thin film properties by Cyclic voltammetry, Chronoamperometry. Impedance. X-ray diffraction analysis and Atomic force microscopy.

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Deposition of ZnO thin films by RF magnetron sputtering (RF 마그네트론 스퍼터링법을 이응한 ZnO 박막 증착에 판한 연구)

  • 강창석;김영진
    • Korean Journal of Crystallography
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    • v.2 no.2
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    • pp.1-6
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    • 1991
  • ZnO thin films were deposited on p-Si(100) and Coming glass 7059 by f magnetron sputtering mothod. The effect of deposition parameters on the electrical, structural and optical properties were investigated. Highly c-axis oriented ZnO thin films were deposited at high rf power. Standard deviation(σ) of X-ray rocking curve of peak at 26θ=34,4˚ ranged from 6.8˚ to 7.2˚, depending on the deposition condition. ZnO thin films deposited on glass substrate eihibited 80% transmittance in the visible range, regardless of the deposition parameters. Resistivity of ZnO thin films was significantly affected by f power and Ar pressure, and ranged widely from 3×102 to 2×109 Ω.

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Ag/Ta/glass 다층박막의 Ta seeding이 전기적 광학적 특성에 미치는 효과

  • Park, Seon-Ho;Jo, Hyeon-Cheol;Lee, Gi-Seon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.69-69
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    • 2010
  • 현대 건축물에서 건물에너지의 손실은 대부분은 창호를 통하여 유출되어지고 있으며 에너지 절감을 위해서는 창호의 단열성을 향상시켜야한다. 저방사(Low Emissivity) 코팅유리는 건축물의 냉난방비용을 절약할 수 있는 대표적인 건축재료로써 외부에서 유입되는 태양광의 가시광선 영역은 높은 투과율을 가지면서 적외선 영역과 겨울철 실내 난방열을 반사하는 특징을 지니는 박막코팅기술이다. 이 코팅유리는 일반적으로 유전체/금속/유전체 다층박막 구조로 되어있으며, 유전체층은 내구성 증진과 금속층의 반사를 낮추어 투과율이 향상된다. 금속층은 적외선영역의 복사에너지를 반사하는 역할을 하며 전도성이 우수한 Ag 또는 Au, Pt 등을 이용하고 있다. Ag의 경우 산화물기판 위에 증착하였을 경우 island 성장을 하고 이들의 합체는 전기적, 광학적 특성에 큰 영향을 미치게 된다. 본 연구에서는 DC-sputtering법으로 제조된 Ag/glass, Ag/Ta/glass 박막을 제조하고 Ta seeding이 Ag의 전기적, 광학적 성질에 미치는 영향을 관찰하였다. 박막의 표면 미세구조는 FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope)과 AFM(Atomic Force Microscope)으로, 표면저항은 4 point probe로 분석하였다. 광투과율은 UV-Vis spectroscopy와 FT-IR로 측정하였으며 측정파장범위는 각각 200~1100nm와 1400~2400nm 이다.

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The changed diffraction efficiency depend on annealing of amorphous chalcogenide films (비정질 칼코게나이드 박막의 열처리에 따른 회절효율 변화)

  • Lee, Ki-Nam;Yeo, Cheol-Ho;Sin, Kyung;Chung, Hong-Bay
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2004.11a
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    • pp.590-593
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    • 2004
  • 본 논문에서는 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)박막과 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)/Ag(20nm)박막에 홀로그래피 격자를 형성시킨 후 Tg 온도$(240^{\circ}C)$를 기준으로 하여 유리질 천이온도(Tg) 온도 이하 $(190^{\circ}C)$와 이상$(270^{\circ}C)$에서 열처리 시킨 후의 회절효율 변화를 알아보았다. $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm) 박막의 경우 $190^{\circ}C$ : 50%, $240^{\circ}C$ : 약80%, $270^{\circ}C$ : 약 98%의 회절효율 감소가 일어났으며 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$(300nm)/Ag(20nm)박막에서는 Tg 온도 이하 즉 $190^{\circ}C$, $240^{\circ}C$ 에서는 회절효율의 변화가 없었으나 Tg온도 이상인 $270^{\circ}C$에서는 약 1.5배 증가한 회절효율을 나타내었다.

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Analysis of patterned ITO layer of PDP thin films using spectroscopic ellipsometry (분광타원법을 이용한 PDP용 ITO 박막의 패턴 분석)

  • 윤희삼;김상열
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.14 no.3
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    • pp.272-278
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    • 2003
  • We studied patterned ITO layers of PDP thin films on glass substrates using spectroscopic ellipsometry. The optical property of ITO is expressed with the optical model based on two Lorentz oscillators. The effect of patterned ITO is calculated by taking the weighted average of reflectance in proportion to ITO coverage. The relative coverage of ITO is determined by using the model analysis of spectroellipsometric data. The difference of ITO coverage obtained by the best-fit model analysis of ellipsometric spectra to the expected one is critically examined and suggestions are made to minimize the observed discrepancy.

Characteristics of ITZO Thin Films According to Substrate Types for Thin Film Solar Cells (박막형 태양전지 응용을 위한 ITZO 박막의 기판 종류에 따른 특성 분석)

  • Joung, Yang-Hee;Kang, Seong-Jun
    • The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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    • v.16 no.6
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    • pp.1095-1100
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    • 2021
  • In this study, ITZO thin films were deposited on glass, sapphire, and PEN substrates by RF magnetron sputtering, and their electrical and optical properties were investigated. The resistivity of the ITZO thin film deposited on the glass and sapphire substrates was 3.08×10-4 and 3.21×10-4 Ω-cm, respectively, showing no significant difference, whereas the resistivity of the ITZO thin film deposited on the PEN substrate was 7.36×10-4 Ω-cm, which was a rather large value. Regardless of the type of substrate, there was no significant difference in the average transmittance of the ITZO thin film. Figure of Merits of the ITZO thin film deposited on the glass substrate obtained using the average transmittance in the absorption region of the amorphous silicon thin film solar cell and the absorption region of the P3HT : PCBM organic active layer were 10.52 and 9.28×10-3 Ω-1, respectively, which showed the best values. Through XRD and AFM measurements, it was confirmed that all ITZO thin films exhibited an amorphous structure and had no defects such as pinholes or cracks, regardless of the substrate type.

Characteristics of Al-doped, Ga-doped or In-doped zinc-oxide films as transparent conducting electrodes in OLED (Al, Ga, In 을 첨가한 ZnO 박막을 사용하여 제작된 OLED 소자 특성)

  • Park, Se-Hun;Park, Ji-Bong;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.175-175
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    • 2009
  • AZO, GZO, ZIO 박막은 DC 마그네트론 법으로 각각의 소결체 타겟을 사용하여 유리 기판위에 증착되었다. 상온에서 증착된 GZO 박막의 경우 $1.61{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ 의 가장 낮은 비저항을 나타내었다. 전기적 특성을 향상시키기 위하여 기판온도를 상승하였을 때 역시 GZO 박막이 가장 낮은 $6.413{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ 을 나타내었다.

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Characterization of OLED devices using IZO and IZTO films deposited by DC magnetron sputtering (DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 IZO 및 IZTO 박막을 사용한 OLED 소자의 특성)

  • Kim, Se-Il;Jeong, Tae-Dong;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.197-197
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    • 2009
  • Indium tin oxide (ITO), Indium zinc oxide (IZO) 박막은 DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 유리기판 위에 증착되었으며, Indium-zinc-tin oxide (IZTO) 박막은 두 개의 캐소드(DC, RF)를 사용한 마그네트론 이원동시방전 시스템에 의해 증착되었다. 모든 박막은 상온 증착 후 $200^{\circ}C$에서 후열처리 되었으며, IZO에 Sn이 소량 첨가됨에 따라 IZO보다 더 낮은 비저항을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

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Chip-on-Glass Process Using the Thin Film Heater Fabricated on Si Chip (Si 칩에 형성된 박막히터를 이용한 Chip-on-Glass 공정)

  • Jung, Boo-Yang;Oh, Tae-Sung
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.14 no.3
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    • pp.57-64
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    • 2007
  • New Chip-on-glass technology to attach an Si chip directly on the glass substrate of LCD panel was studied with local heating method of the Si chip by using thin film heater fabricated on the Si chip. Square-shaped Cu thin film heater with the width of $150\;{\mu}m$, thickness of $0.8\;{\mu}m$, and total length of 12.15 mm was sputter-deposited on the $5\;mm{\times}5\;mm$ Si chip. With applying current of 0.9A for 60 sec to the Cu thin film heater, COG bonding of a Si chip to a glass substrate was successfully accomplished with reflowing the Sn-3.5Ag solder bumps on the Si chip.

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