• 제목/요약/키워드: 유리 박막

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페라이트 플레이팅법에 의한 CO-Cr박막 하지층의 저온제작과 그 특성 (The Properties and Low temperature Preparation of The Backlayer of Co-Cr thin layer by Ferrite Plating Method)

  • 김명호;김탁용;손인환;박창옥;김재환;김경환
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1997년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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    • pp.294-295
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    • 1997
  • CO-Cr 수직자기기록 매체의 우수한 하지층을 개발하기 위하여, 스피넬 결점막$(Fe,M)_3O_4$ (M=Ni,Zn)이 스핀스프레이 페라이트 플레이팅 방법으로 유리 기판 위에 제작되었다. 반응액과 산화액은 기판이 회전하는 반응용기로 분사되었다. 반응은 기판의 회전소독, 반응온도, 반응액과 산화액의 유속 그리고 반응액과 산화액의 농도에 의해 영향받았다. 반응액과 산화액의 유속은 60(ml/min)으로 하고, 반응온도는 90[$^{\circ}C$] 그리고 기판의 회전속도는 150[rpm]의 조건하에서, 페라이트 플레이팅 반응에 미치는 반응액과 산화액 농도의 영향이 화학적 조성, 결정학적 및 자기적 특성의 관점에서 연구되었다. $Ni_{0.34}Zn_{0.66}Fe_2O_4$의 조성에서, 우리는 가장 안정한 결정학적 및 자기적 특성을 얻었다.

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유리기판위에 증착한 50% Pb-excess PZT박막의 전기적특성 (Electrical Properties of 50% Pb-excess PZT Thin Films Deposited on the Glass Substrates)

  • 정규원;박영;주필연;박기엽;송준태
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제14권5호
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    • pp.370-375
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    • 2001
  • PZT thin films (3500${\AA}$) ahve been prepared onto Pt/Ti/corning glass (1737) substrates with a RF magnetron sputtering system using Pb$\sub$1.50/(Zr$\sub$0.52/,Ti$\sub$0.48)O$_3$ ceramic target. We used two-step annealing techniques, PZT thin films were grown at a 300$^{\circ}C$ substrate temperature and then subjected to an RTA treatment. In case of 500$^{\circ}C$ RTA temperature show pyrochlore phase. The formation of Perovskite phase started above 600$^{\circ}C$ and PZT thin films generated (101) preferred orientation. As the RTA time and temperature increased, crystallization of PZT films were enhanced. The PZT capacitors fabricated at 650$^{\circ}C$ for 10 minutes RTA treatment showed remanent polarization 30 ${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$, saturation polarization 42${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$, coercive field 110kV/cm, leakage current density 2.83x10$\^$-7/A/$\textrm{cm}^2$, remanent polarization were decreased by 30% after 10$\^$9/ cycles.

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곡면 유리 표면 위에서 박막 측온저항체 온도센서 어레이 제작 및 성능 평가 (Fabrication and Performance Evaluation of Thin Film RTD Temperature Sensor Array on a Curved Glass Surface)

  • 안철희;김형훈;박상후;손창민;고정상
    • 한국가시화정보학회지
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    • 제9권2호
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    • pp.34-39
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    • 2011
  • This paper presents a novel direct fabrication method of the thin metal film RTD temperature sensor array on an arbitrary curved surface by using MEMS technology to measure a distributed temperature field up to $300^{\circ}C$ without disturbing a fluid flow. In order to overcome the difficulty in the three dimensional photography of sensor patterning, the UV pre-irradiated photosensitive dry film resist technology has been developed newly. This method was applied to the fabrication of the temperature sensor array on a glass tube, which is arranged parallel and transverse to a main flow. Gold was used as a temperature sensing material. The resistance change was measured in a thermally controlled oven by increasing the environmental temperature. The linear increase in resistance change and a constant slope were obtained. Also, the sensitivity of each RTD temperature sensor was evaluated.

포토리소그래피 공정을 이용하여 미세하고 선택적인 수직형 나노와이어 성장

  • 임병직;이경일;김성현;김선민;이철승;이재혁;변상언;조진우;김동현;홍용택
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.488-488
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    • 2011
  • 산화 아연(ZnO)나노와이어를 이용한 태양전지, 광소자 등 발전소자 개발이 진행되고 있고 차세대 트랜지스터, 다이오드, 센서에도 많이 이용될수 있다. 따라서 다양한 제품 응용에 필요한 나노 구조체 형상 제어를 위해 다각적인 노력이 제기되고 있다. 본 연구에서는 유리(EAGLE 2000)기판 위에 AZO 박막을 증착 한 후 포토리소그래피 공정을 이용하여 직경이 2 um 미만인 원형 패턴을 형성한 후 수열 합성법을 이용하여 지름 200 nm, 길이 3 um인 수직형 나노와이어를 성장하였다. 기존의 ZnO 나노와이어 합성 방법은 섭씨 500도 이상의 비교적 높은 온도조건을 요하기 때문에 포토리소그래피 공정을 이용하여 진행할 수 없었다. 그러나 비교적 낮은 온도인 100도 이하에서 수용액 상태에서 합성이 가능하게 됨에 따라 보편화 되어있는 포토리소그래피 공정과 손쉽고 저렴한 수열 합성법을 이용하여 필요한 부분만 미세하고 선택적으로 nano wire를 성장시킬 수 있었다.

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원격플라즈마화학증착에 의한 투명전도성 산화주석 박막 (The transparent and conducting tin oxide thin films by the remote plasma chemical vapor deposition)

  • 이흥수;윤천호;박정일;박광자
    • 한국진공학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.43-50
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    • 1998
  • 원격플라즈마화학증착(RPCVD)에 의하여 파이렉스 유리 기판 위에 투명전도성 산화 주석막을 제조하였다. RPCVD공정의 주요한 조절변수는 증착시간, 사메틸주석, 산소 및 아 르곤의 유속, 라디오 주파수 출력, 및 기판온도를 포함했다. 양질의 산화주석막을 제조하고 RPCVD공정을 보다 잘 이해하기 위하여 이들 파라미터에 대한 증착속도, 전기적 저항, 광 학적 투과도 및 결정구조의 의존성을 체계적으로 살펴보았다. 산화주석막의 성질에 미치는 이들 파라미터의 영향은 복잡하게 서로 연관되어 있다. 최적화된 증착조건에서 제조된 산화 주석막은 102$\AA$/min의 증착속도, $9.7\times 10^{-3}\Omega$cm의 비저항 및 ~80%의 가시선 투과도를 나 타냈다.

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진공 원자층 증착법을 적용한 염료감응형 태양전지의 효율 향상 연구

  • 신진호;강상우;김진태;고문규;황택성;윤주영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.175-175
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    • 2011
  • 최근 석유 자원의 고갈로 인하여 요구되는 대체 에너지 개발의 필요성이 대두되고 있다. 그중 태양에너지는 지구의 생명체가 살아가는 에너지의 근원으로서 매초 800~1,000 W에 달하는 에너지양으로 볼 때 태양은 인류가 가장 풍부하게 활용할 수 있는 에너지원이다. 태양에너지를 이용한 염료감응형 태양전지(Dye-Sensitized Solar Cells, DSSCs)는 제조원가를 낮출 수 있고, 유리 전극을 이용한 투명한 태양전지를 제조할 수 있어 건물의 유리창등으로 응용할 수 있는 장점이있다. 이러한 광변환 효율을 증가시키기 위한 방법으로 전기방사 TiO2 Nanofiber를 기계적으로 갈아서 제조한 TiO2 Nanorod 와 TiO2 Nanoparticle를 섞어서 만든 paste를 이용하여 넓은 표면적과 빠른 전자수송도를 갖게 하였고, 흡착된 염료에서 발생되는 광전자가 전해질의 산화, 환원되는 요오드 이온(I-/I3-)과의 재결합(recombination)현상을 TiO2 전극 위에 높은 밴드갭(band-gap)을 가지는 Al2O3 박막을 TriMethylAluminium (TMA) 전구체를 이용한 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정을 사용하여 진공증착 통해 광전변환효율이 떨어지는 현상을 방지하여 효율을 높였다.

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이중층 Ti전극이 적용된 TCO-less 염료 감응형 태양전지에 관한 연구

  • 김민태;김윤기;위성석;김동현;이해준;이호준
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.372-372
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    • 2011
  • 염료 감응형 태양전지는 상,하판 투명전극(TCO), 나노입자의 다공질 TiO2, 염료 고분자 층으로 구성된 광전극과 투명전극 및 백금(Pt) 박막으로 구성된 상대전극 그리고 두 전극 사이를 산화 환원용 전해질 용액으로 채우고 있는 구조이다. 이 구조에서 투명전극(TCO)은 재료비의 많은 부분을 차지하므로 제작비용 절감을 위한 TCO-less에 관한 연구가 활발히 진행 중이다. 본 연구에서는 TCO-less 염료 감응형 태양전지 제작을 위해 이중층 Ti 전극 구조를 제안하였다. 제작과정은 광조사 부분을 확보한 유리기판에 e-beam 증착법을 이용해 Ti 전극을 증착시킨 후 TiO2를 Ti전극과 일부 중첩하여 인쇄하고 그 위에 두 번째 Ti전극을 제작한다. 이중층 Ti전극 구조는 SEM, EIS 등의 분석장비를 사용하였고 기존 FTO 구조에 비해 단락전류밀도, 에너지 변환효율은 감소하였으나 직렬 내부저항이 약 27% 감소하여 fill factor가 28% 향상된 결과를 얻을 수 있었다.

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거대자기저항 및 응용 (Giant Magnetoresistance and Applications)

  • 이성래
    • 세라미스트
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    • 제2권4호
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    • pp.35-46
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    • 1999
  • GMR 재료의 응용은 매우 광범위하며 크게 세 분야로 대별할 수 있다. 첫째는 자기 재생 헤드로서 $10Gbit/in^2$ 이상의 고밀도 자기기록 기술에서는 필수 불가결한 재료이다. 둘째는 다양한 분야에 응용될 고감도 자기센서 분야이며, 셋째는 집접화된 자기저항메모리(MRAM) 분야이다. GMR 센서를 사용한 자기헤드는 이미 시판되고 있고 기존의 AMR 재료인 퍼멀로이에 비하여 3~20배 이상으로 신호준위가 크고 사용온도 범위에서 선형성 및 열적안정성도 우수한 것으로 보고되고 있다. MRAM의 경우에는 스핀밸브 GMR 및 TMR 소자를 사용한 연구가 한창 진행중이다. GMR 현상은 발견 된지 고작 10년 밖에 되지 않았으나 GMR 자기센서는 이미 상업적으로 개발되어 응용되고 있다. 이러한 실질적인 응용에 유리한 고지를 선점하고 있는 것은 이방성결합형 스핀밸브 다층박막 구조로서 그 내구성과 특성 향상을 위한 연구가 다양하게 시도되고 있다. GMR현상의 발견은 자성재료분야 연구 및 응용에 있어 새로운 전기를 마련하였으며 특히 자성과 이동현상이 연계된 분야로서 소위 "Magneto-electronics" 또는 "Spintronics" 라는 [51] 새로운 미래기술의 장이 열리고 있다. 현재의 반도체 중심의 "Microelectronics" 기술에서는 전자와 전자공공을 이용하는 기술이라면 "Magneto-electronics" 기술에서는 스핀${\uparrow}$ 및 스핀${\downarrow}$의 두 종류의 전자를 이용하게 된다. 자성체와 도체를 접목한 스핀 트랜지스터 또는 자성체와 반도체를 접목한 스핀-polarized FET(field effect transistor) 등의 새로운 개념의 magnetoelectronics 소자가 창출되고 있다. 따라서 자기이동 현상의 기초 연구, 재료 측면의 연구 및 헤드, MRAM, 센서 등의 응용기술연구가 국내에서 활발하게 이루어져 21세기 새로운 자성전자(magneto-electronics)소자 응용에 경쟁력을 키워야 할 것이다.

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유리 기판 위에 제작된 Nitrocellulose/MWCNT 박막의 질소가스 검출특성 (NOx Gas Detecting Properties of the Nitrocellulose/MWCNT Thin Film Coated on the Glass Substrate)

  • 이원재;최명규;장경욱
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제11권1호
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    • pp.55-59
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    • 2012
  • NOx is one of the toxin gases, which is mainly causing the optic-chemical smog phenomena, and decreasing in the function of nose and taste. Especially, NO is easily reacting with $O_3$, and then becoming the $NO_2$. $NO_2$ is mainly causing the acidulation rain. So, we should develop the NOx gas sensing system to detect NOx gas. In this paper, we present the microstructure and the NOx gas detecting properties of the nitrocellulose/MWCNT thin film coated by the air-spray on the glass substrate. The nitrocellulose/MWCNT-based gas sensors have been studied detecting NOx molecules of a ppm-level at the temperature range of $30{\sim}120^{\circ}C$. The resistance of the sensors decreases when the sensors are exposed to NOx gas. As a results, we obtained the nitrocellulose/MWCNT sensors with the sensitivity of 0.6%/sec under the 0.8 ppm of NOx gas concetration. Also, we get the activation energy of 0.202eV from the sensor for the 0.3 ppm of NOx gas concentration.

ITO 박막이 증착된 편광판을 기판으로 하는 액정 셀의 제작 (Fabrication of a Liquid Crystal Cell Using ITO-deposited Polarizers as Substrates)

  • 진혜정;김기한;박경호;손필국;김재창;윤태훈
    • 한국광학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.90-95
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    • 2011
  • 본 논문에서는 액정 디스플레이의 구현에 있어서 필수적인 필름인 편광판에 ITO를 증착하여 기존 액정 디스플레이에서 두께의 대부분을 차지하는 유리기판을 제거함으로써 경략 박형 액정 셀을 구현하였다. 저온($40^{\circ}C$)에서 편광판에 sputtering으로 buffer layer와 ITO를 증착하여 높은 투과율과 낮은 비저항 및 편평도를 확보하였다. 최종적으로 저온공정이 가능한 ion-beam 배향법을 이용하여 액정을 배향하고 액정 셀을 제작하고 전기광학특성을 확인하였다.