Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.02a
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- Pages.488-488
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- 2011
포토리소그래피 공정을 이용하여 미세하고 선택적인 수직형 나노와이어 성장
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Im, Byeong-Jik
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Lee, Gyeong-Il
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- Kim, Seong-Hyeon ;
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Kim, Seon-Min
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Lee, Cheol-Seung
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Lee, Jae-Hyeok
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- Byeon, Sang-Eon ;
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Jo, Jin-U
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Kim, Dong-Hyeon
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Hong, Yong-Taek
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임병직
(전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
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이경일
(전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
- 김성현 (전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
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김선민
(전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
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이철승
(전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
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이재혁
(전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
- 변상언 (전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
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조진우
(전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
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김동현
(서울대학교 전기공학부) ;
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홍용택
(서울대학교 전기공학부)
- Published : 2011.02.09
Abstract
산화 아연(ZnO)나노와이어를 이용한 태양전지, 광소자 등 발전소자 개발이 진행되고 있고 차세대 트랜지스터, 다이오드, 센서에도 많이 이용될수 있다. 따라서 다양한 제품 응용에 필요한 나노 구조체 형상 제어를 위해 다각적인 노력이 제기되고 있다. 본 연구에서는 유리(EAGLE 2000)기판 위에 AZO 박막을 증착 한 후 포토리소그래피 공정을 이용하여 직경이 2 um 미만인 원형 패턴을 형성한 후 수열 합성법을 이용하여 지름 200 nm, 길이 3 um인 수직형 나노와이어를 성장하였다. 기존의 ZnO 나노와이어 합성 방법은 섭씨 500도 이상의 비교적 높은 온도조건을 요하기 때문에 포토리소그래피 공정을 이용하여 진행할 수 없었다. 그러나 비교적 낮은 온도인 100도 이하에서 수용액 상태에서 합성이 가능하게 됨에 따라 보편화 되어있는 포토리소그래피 공정과 손쉽고 저렴한 수열 합성법을 이용하여 필요한 부분만 미세하고 선택적으로 nano wire를 성장시킬 수 있었다.