• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.107-107
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• 1998

GaN 에피택시 층의 전기적, 광학적 특성 및 표면 형상의 향상을 위한 전처리 공 정으로서 사파이어 기판의 질화 처리가 많이 행해지고 있는데 이는 표면에 질화 충올 형성시킴으로서 GaN 충과의 계면에너지 및 격자상수 불일치를 줄여 GaN 충의 성장을 촉진시킬 수 있기 때문이다 본 실험에서는 고 진공 하에서 유도 결합 플라즈마를 이용하여 사파이어 기판의 질화 처리를 행한 후 XPS와 AFM을 이용하여 기판 표면의 질소 조성과 표면 형상을 관찰하였다. 기판 표면의 질소 조성은 질소 가스의 유입량과 기판의 온도보다 칠화 시 간 및 RF-power에 의해 크게 좌우되나 표면 형상은 기판의 온도에 크게 영향올 받는 것으로 나타났다. 따라서 본 실험에서는 기판의 온도를 낮춤으로서 protrusion이 없는 매끈한 표면의 질화 충을 얻올 수 있었다. 핵생성 충의 성장 없이 450 oC의 저온에서 GaN 충올 성장시킨 결과 육방 대청성 의 wurtzite구조를 가지며 bas허 plane이 사파이어 기판과 in-plane에서 300 회전된 관계 를 갖고 있는 것올 XRD -scan으로 관찰하였다. 또한 GaN 충의 성장이 진행됩에 따라 결정성이 향상되고 있는 것이 뼈S ali맹ed channeling 실험올 통해 관찰되었으며 이는 G GaN 충의 두께 중가에 따라 결정성이 향상된다는 것올 의미한다 사파이어 기판의 질 화 처 리 시 간이 증가함에 따라 후속 성 장된 GaN 층의 bas외 pI뻐e에 대 한 XRD -rocking c curve의 반치폭이 감소하는 것으로 나타났는데 이는 기판의 표면이 질화 충으로 전환 됨에 따라 각 GaN island의 c-축이 잘 정렬됨올 의미한다. 또한 AFM으로 ~이 충의 표 면 형상올 관찰한 결과 기판의 질화 처리가 선행될 경우 lateral 방향으로의 G뼈 충의 성장이 촉진되어 큰 islands로 성장이 일어나는 것으로 관찰되었는데 이는 질화 처리가 선행될 경우 Ga과 N의 표면 확산에 대한 활성화 에너지가 감소되기 때문인 것으로 생 각된다 일반적으로 GaN 에피택시 충의 결정성의 향상과 lateral 생장올 도모하기 위하여 성장 온도를 증가시키지만 본 실험에서는 낮은 성장 온도에서도 결정성의 향상 및 l later빼 성장을 촉진시킬 수 있었으며 이는 저온 성장법에 의한 고품위의 GaN 에피택시 충 성장에 대한 가능성올 제시하는 것이다.

• 한국약용작물학회지
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• 제5권1호
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• pp.7-13
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• 1997

시호(柴湖)(Bupleurum falcatum L.) 캘러스로부터 부정근(不定根) 형성(形成)에 미치는 생장조절물질(生長調節物質)의 영향을 조사하였다. 시호(柴胡)의 부정근(不定根) 유도(誘導)에는 2, 4-D 0.1 mg/l 가 가장 좋았으며, 부정측근(不定側根)의 형성에서도 동일하였다. 또한 생장조절물질별(生長調節物質別)로 일정시간 전처리(前處理)하여 생장조절물질(生長調節物質) 무처리(無處理) 배지(培地)에 치상하였을 때도 2, 4-D전처리(前處理)에서 캘러스 형성이 가장 좋았다. 시호의 마이크로 캘러스를 120시간 전처리하여 생장조절물질(生長謂節物質) 무처리배지(無處理培地)에 배양하는 것이 부정근(不定根) 형성(形成)이 양호하였으며, 4주 간격으로 계대배양(繼代培養)하는 것이 캘러스 형성에 가장 효과적이었다.

• 방송공학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.37-44
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• 2003

신호를 원하는 해상도의 신호로 다시 샘플링하기 위해 일반적으로 쓰이는 방법은 원래의 영상을 연속된 모델로 나타낸 후 이를 원하는 해상도의 신호로 다시 샘플링하는 것이다. 이산 신호를 연속 신호로 바꿀 때 이용하게 될 B-spline 함수는 다른 기저함수에 비해 진동하는 성향이 적고 적은 계수로 표현이 가능하다. 디지털 신호를 B-spline 모델로 표현하고 이 spline 신호를 새로운 해상도로 다시 샘플링하게 되면 B- spline에 기반한 비정규 리사이징이 된다. 이때 해상도는 공간에 따라 변하는 변환함수에 의해 결정하게 된다. 이 방법은 구현하기 좋지만 정보를 손실하는 약점이 있으므로 이를 극복한 최적 비정규 알고리즘을 제안한다. 최적의 비정규적인 수식 유도를 위해, 다시 샘플링된 신호는 변환 함수로 결정된 shift varying spline의 조합으로 나타내게 된다. 원래의 영상에 가장 가까운 함수를 선택함으로써 이 함수는 일반화될 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권2호
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• pp.86-92
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• 2013

나노결정질 다이아몬드 박막 증착을 위한 전처리 공정으로 $SF_6/O_2$ 유도결합 플라즈마를 이용하여 Si 기판 표면을 texturing하였다. $SF_6/O_2$ 플라즈마 texturing은 2~16 범위의 매우 넓은 정규화된 표면 조도 선택성을 제공할 수 있음을 확인하였다. Texturing된 Si 기판 표면의 나노 다이아몬드 입자 seeding 이후 기존 기계적 연마 전처리에 비해 현저히 향상된 ${\sim}6.5{\times}10^{10}cm^{-2}$의 높은 핵형성 밀도를 확보하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제24권2호
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• pp.69-78
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• 2015

자원수급의 불확실성이 점차 고조되고 있는 글로벌 상황에 능동적으로 대처하기 위해 전 세계적으로 효율적인 자원관리의 필요성이 증대되고 있다. 자원관리 선진국들은 국가차원에서의 지속가능한 자원관리를 유도 및 지원하기 위해 자원이용의 효율성을 극대화하기 위한 법제도 마련 및 산업구조로의 전환을 촉진하고 있다. 한편, 국내의 경우 자원수급과 관련하여 국제환경에 매우 민감한 산업구조를 나타냄에 따라 국가 주도의 자원효율성의 획기적인 제고 방안 마련이 절실히 요구된다. 특히 자원 전과정에서의 자원의 효율적 이용을 위한 단계별 추구해야 할 방향과 구체적 실천방안에 대해 검토가 필요하다. 이에 본 연구에서는 자원 전과정을 크게 생산계와 순환계로 구분하고 이에 따른 단계별 국내 자원관리의 현황 및 문제점, 이를 개선하기 위한 방향성 및 구체적 실천방안을 제시하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제18권3호
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• pp.49-54
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• 2009

Alinite계 클링커 합성 시 MgO의 영향에 대해 검토하였다. Alinite 조성비 및 Alinite 조성비에 MgO를 3.77% 대체하여 $760^{\circ}C$ 및 $800^{\circ}C$에서 $1,400^{\circ}C$까지 $100^{\circ}C$ 간격으로 3시간 열처리하여 합성 상 및 수화열을 측정하였다. MgO를 첨가하지 않은 경우, $1,300^{\circ}C$에서 alinite, CCA와 함께 ${\beta}-C_2S$상과 f-CaO가 다량 존재하였으나, MgO를 첨가한 경우, $1,300^{\circ}C$이상에서 alinite 상만이 존재하였으며, $1,300^{\circ}C$에서 가장 높은 형성률을 보였다. 또한, MgO를 첨가한 경우, OPC에 비해 유도기를 거치지 않은 수화거동을 보였다.

• 자원리싸이클링
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• 제18권3호
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• pp.42-48
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• 2009

고로 수쇄 슬래그에 알칼리 자극제(NaOH+$Na_2O.SiO_2$)를 첨가한 계는 보통 포틀랜드 시멘트의 수화반응과 다르게, 수화반응 초기에 높은 농도의 $OH^-,\;[SiO_4]^{4-}$ 이온이 존재하게 되므로, 유도기가 없이 수화반응이 빠르게 진행되며, 슬래그 입자 주위에 수화물에 의한 reaction rim을 형성한다 반응기간 1일부터 고로 수쇄 슬래그 입자 주위에 $0.6{\mu}m$의 reaction rim이 형성되었고, 반응기간이 증가함에 따라 reaction rim의 두께는 증가하여 28일에 $1{\mu}m$으로 성장하였으며, 미반응 고로 수쇄 슬래그 입자는 각진 형태에서 구형의 형태로 변화되었다. 슬래그 입자의 내부로부터 reaction rim으로 갈수록 Ca/Si의 몰비는 감소하는 경향을 나타냈었다. 그리고 반응기간이 경과할수록 슬래그 입자 내부와 reaction rim간의 Ca/Si 몰비 차이는 작아졌으며, 생성된 수화물은 저결정성의 Ca/Si 몰비가 1.5 미만인 CSH(I)이었다.

• 자원리싸이클링
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• 제8권5호
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• pp.44-50
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• 1999

동 매트 중에 함유된 불순물 중 단순한 산화정련으로는 제거하기 어려워 제련 후 조동에 함유되어 동의 순도와 기계적 성질을 저하시키는 Ni와 Sb를 매트제련 동안에 제거하기 위한 기초 자료를 제시하고자 공기 송풍에 의한 합성 동 매트의 용련 반응을 통하여 반응 생성물인 매트와 슬래그 그리고 조동에 함유된 Ni와 Sb의 거동 및 상호 연관성을 조사하였다. 공기 송풍에 따른 합성 매트의 용련동안 생성된 반응 생성물에 대한 Ni와 Sb의 분배비로부터 Sb가 Ni과 공존 시 Ni의 슬래그화를 촉진하는 역할을 하며, 또한 Ni은 Sb와 공존시 조동 중으로의 Sb 이동을 저해하고 슬래그화를 촉진시키는 것으로 나타났다. 따라서 Ni와 Sb의 슬래그화를 유도하기 위해서는 Ni와 Sb의 공존이 필요한 것으로 생각된다.

• 한국정보과학회논문지:소프트웨어및응용
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• 제33권3호
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• pp.335-343
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• 2006

본 논문에서는 수술 전에 획득한 전산화 단층촬영영상에서 추출한 3차원 정보를 수술 중에 획득한 2차원 X-선 투시영상에 실시간으로 표시하기 위하여 표식기 기반 고속 2차원-3차원 영상정합 방법을 제안한다. 정합과정은 전처리 과정과 실시간 정합 과정으로 나누어진다. 전처리 과점에서 가장 많은 계산량을 필요로 하는 DRR의 생성을 그래픽 하드웨어를 이용하여 고속으로 생성하고, 표식기를 부착한 심장 모형데이타에서 자동으로 표식기를 탐색 추출 한다. 실시간 정합 과정은 주축 정합을 이용한 평면 내부 정합과 구좌표계에서 최소 오차 탐색 방법을 이용한 평면 외부 정합 방법으로 분리하여 계층적으로 정합하여 탐색 범위를 6자유도에서 2자유도로 개선하였다. 본 제안방법은 실시간 계산을 최소화함으로써 정확성을 유지하면서 정합의 효율성을 개선하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제20권4호
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• pp.58-64
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• 2011

고온에서 PCB 처리를 통한 Au, Ag와 같은 귀금속뿐 아니라 Ni과 같은 주요 회유금속을 회수하기 위한 기초연구로서 CaO-$Al_2O_3$(-$SiO_2$) 및 CaO-$SiO_2$-$CaF_2$ 슬래그를 이용하여 Au, Ag, Ni의 회수거동올 관찰하였다. 슬래그 투입 없이 PCB만으로 용융실험을 수행한 결과 PCB는 거의 용융되지 않았으며, 이로부터 유도전류를 이용한 용융을 촉진할 뿐 아니라 유가금속의 회수를 위해서는 Cu와 갇은 적절한 base metal이 필요함을 확인하였다. 본 연구결과, PCB/Cu ratio는 1 이하가 바람직할 것으로 생각된다. CaO-$Al_2O_3$(-$SiO_2$) 및 CaO-$SiO_2$-$CaF_2$ 슬래그를 투입한 결과, $CaF_2$를 함유하는 fluorosilicate계 슬래그가 calcium aluminate계 슬래그보다 융점과 점도가 낮게 제어되었으며, 이로부터 Au, Ag, Ni의 높은 분배비를 얻을 수 있었다. 점도가 낮은 $CaF_2$ 함유 슬래그 적용 시 높은 유가금속 회수율은 슬래그 내에서 각 금속입자의 등속침강속도가 상승하기 때문인 것으로 평가되었다.