• 기계와재료
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• 제23권2호
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• pp.36-47
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• 2011

반도체적 성질을 가지는 유기 전자 재료를 활성층으로 활용한 유기 박막 트랜지스터(OTFT)는 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점과 더불어 유기 반도체 자체가 가지는 가공성, 유연성 등으로 인해 유연한(flexible) 전자기기를 구현 할 수 있다는 가능성으로 미래형 전자기기의 핵심 구동 소자로서 많은 관심을 받고 있다. 특히 한 소자에서 p-type과 n-type이 동시에 구현되는 양극성(abipolar) OTFT는 구동 회로의 설계 및 제작 공정을 단순화 시키고 다양한 가능을 부가 시킬 수 있어 좀 더 경량화, 소형화된 미래형 전자 기기를 구현 할 수 있도록 해준다. 본 논문에서는 이러한 ambipolar OTFT의 구조 및 구동 원리를 알아보고 소자에 사용되는 유기 반도체 소재와 소자 구현 기술에 대하여 살펴보고자 한다.

• 인포메이션 디스플레이
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• 제11권2호
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• pp.7-13
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• 2010

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권8호
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• pp.7-12
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• 2010

본 논문에서는 BPhen(Bathophenanthroline)과 BPhen에 Cs가 도핑 된 interlayer를 $C_{60}$활성층과 Al전극사이에 주입해 $C_{60}$을 기반으로 한 유기박막트랜지스터 (OTFTs)를 제작하여 전기적 특성을 향상시켰다. BPhen층을 증착하면 유기물과 금속층계면의 표면 거칠기가 낮아져 결과적으로 성능이 향상되는 것을 알 수 있었다. 또한 BPhen에 Cs가 도핑 된 interlayer를 co-evaporation을 이용하여 주입하였을 경우는 Contact resistance가 감소하였다. 이러한 $C_{60}$을 기반으로 한 BPhen에 Cs가 도핑 된 interlayer를 삽입한 유기박막트랜지스터는 향후 n형 유기박막트랜지스터를 제작하는데 있어서 적용이 될 것이라고 기대된다.

• 폴리머
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• 제35권4호
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• pp.370-374
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• 2011

폴리아닐린(polyaniline, PANI) 전도성 고분자 용액을 camphorsulfonic acid(CSA)로 도핑하여 제조하였고 FTIR을 이용하여 고분자 중합 및 도핑유무를 확인하였다. 제조된 폴리아닐린을 스핀 코팅하여 유기박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 사용하였으며, 열처리 온도변화에 따른 전기 전도도 변화를 4-probe measurement로 확인하였다. 또한 표면 특성을 이해하기 위해 atomic force microscope(AFM)와 optical microscope를 이용하였다. 폴리아닐린 게이트전극을 활용하여 얻은 유기박막 트랜지스터의 소자성능은 최고 이동도가 0.15 $cm^2$/Vs, 전류점멸비가 $2.4{\times}10^6$임을 확인하였다. 고분자 전극의 소지특성을 비교분석하기 위해, 같은 구조의 Au 전극소자를 제작하였다. Au 금속전극소자와 유사한 성능을 보인 폴리아닐렌 게이트 전극 소자는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 전극으로 충분히 사용될 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.159-159
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• 2008

투명전도체 (transparent conducting oxides: TCOs) 는 일반적으로 $10^3\Omega^{-1}Cm^{-1}$의 전도도, 가시광 영역에서 80%이상의 투명성을 가지는 재료로서, 액정 박막 표시 장치(TFT-LCD), 광기전성 소자, 유기 발광 소자, 에너지 절약 창문, 태양전지(sollar cell) 등 전극으로 사용되고 있다. 최근에는 TCO의 전도도특성을 조절하여 반도성특성을 가진 투명 산화물 반도체(transparent oxide semiconductor: TOS) 을 이용한 박막 트랜지스터 연구가 활발히 진행 중이다. 기존의 실리콘을 기반으로 하는 박막 트랜지스터의 낮은 이동도, 불투명성의 특성을 가지고 있지만, 산화물 박막트랜지스터는 높은 이동도를 발현 할 수 있을 뿐만 아니라, 넓은 밴드갭 에너지를 갖는 산화물을 이용하므로 투명한 특성도 발현 할 수 있어 차세대 디스플레이의 구동소자로서 응용연구가 되고 있다. 이에 본 연구에서는 박막트랜지스터 channel layer로서의 Indium-Tin-Zinc oxide 적용특성을 조사하였다. Indium, Tin, Zinc 의 혼합비율을 다양하게 조절하여 타겟을 제작하였다. 이를 RF magnetron sputtering 를 이용하여 박막으로 성장시켰으며, 기판으로는 glass 기판을 사용하였다. 박막 성장시 아르곤과 산소의 비율을 다양하게 조절하였다. 성장시킨 박막은 Hall effect, Transmittance, Work function, XRD등을 이용하여 전기적, 광학적, 구조특성을 평가하였다. Indium-Tin-Zinc Oxide(ITZO) 을 channel layer로 사용하여 Thin-film transistor 을 제작하여, TFT의 I-V 및 stability특성을 평가하였다.

• 한국진공학회지
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• 제18권2호
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• pp.147-150
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• 2009

Polydimethylsiloxane (PDMS) 기능성 박막을 도입하여 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터를 제작하고 평가하였다. UV/ozone 처리를 하여 PDMS 표면에 위치한 소수성의 메틸 그룹의 화학적 결합을 끊어 친수성 실리콘 산화막 성질로 표면을 변화시키고 선택적인 펜타신 증착을 유도하였다. Off 전압상태 ($V_g-V_t>0$)에서 게이트 전압에 의해 기인하는 누설 전류는 선형영역 ($V_d=-5\;V$)과 포화영역 ($V_d=-30\;V$)에서 ${\sim}10^{-10}$ A의 값을 보여주며 기존의 트랜지스터 보다 개선된 누설 전류 특성을 나타내었다.

• 공업화학
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• 제23권6호
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• pp.515-520
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• 2012

이 총설에서는 개별인식 태그와 바이오센서 등에 사용가능성이 높은 실리콘 기반의 캐패시터와 유기 박막트랜지스터 소자의 제작과 차이점이 논하여 진다. 금속이나 혹은 비금속의 나노입자는 화학물질이나 혹은 바이오분자, 즉, 단백질과 올리고 DNA 등에 표면이 싸여질 수 있으며, 상응하는 목표 바이오분자가 결합되어져 있는 절연체에 자기조립 단일층을 형성할 수 있다. 단일층으로 형성된 나노입자는 정전하 기본단위로서 유기 메모리 소자의 나노 플로팅 게이트로서 역할을 하는 것이다. 특히, 바이오분자의 선택적이고 강한 결합 메카니즘을 통하여도, 메모리 캐패시터나 유기 메모리 박막트랜지스터가 성공적으로 시연되었다. 더불어, 이러한 유기 메모리 소자는 차후 유연기판의 유기전자소자 영역의 발전을 촉진할 것으로 기대된다. 또한, 유기 메모리 박막트랜지스터는 앞으로 새로운 개념의 소자로의 적용이 가능하다.

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 2003년도 봄 학술발표회 논문집
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• pp.40-43
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• 2003

최근 관심의 대상이 되고 있는 유기박막트랜지스터 (Organic Thin Film Transisto., OTFT)는 현재 사용되고 있는 무기물 트랜지스터에 비해 가볍고 낮은 공정 온도와 가격으로 인하여 대면적 LCD, EL, smart card의 능동구동소자로서 적용이 가능하다고 알려져 있다[1,2]. 하지만 현재 연구되고 있는 단분자 유기물을 사용한 OTFT는 비교적 높은 온도에서 소자의 각 구성요소를 증착해야 되므로 여전히 복잡한 공정이 필요하며, 활성층으로 쓰이는 유기물과 금속전극의 계면문제로 전기적 특성이 떨어진다[3]. (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2004년도 제26회 학술발표회 초록집
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• pp.167-167
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• 2004

• 한국응용과학기술학회지
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• 제27권1호
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• pp.44-49
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• 2010

본 논문에서는 6,13-bis (triisopropylsily lethynyl)-pentacene (TIPS-pentacene) 유기 박막 트랜지스터에 니켈 버퍼층을 적층했을 때의 효과를 연구하였다. 니켈 (Nickel) / 은(Silver) 소스 드레인 전극은 은 (Silver) 전극이 단독으로 쓰일 때 보다 에너지 레벨차이를 줄여 캐리어의 주입이 더 잘되도록 도와주므로써 전기적 특성을 향상 시켜준다. 또한 유기 게이트 절연체의 추가로 TIPS-pentacene 은 규칙적 배열된 형태를 가지므로써 소자 성능의 향상을 가지고 온다. 제작한 유기박막트랜지스터 에서 $0.01\;cm^2$의 포화영역 이동도를 얻을 수 있었으며, 또한 드레인 전압을 50 V로 하고 게이트 전압을 20 V에서 -50 V 까지 인가하였을 때 $2{\times}10^4$의 전멸 비를 얻을 수 있었다. 이러한 결과를 polyethylene terephthalate (PET) 기판을 이용한 유연한 OTFTs 에 적용시켜본 결과 유리기판위에 제작했을 때와 비슷한 성능을 얻음을 확인하였다.