• 기계와재료
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• v.23 no.2
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• pp.36-47
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• 2011

반도체적 성질을 가지는 유기 전자 재료를 활성층으로 활용한 유기 박막 트랜지스터(OTFT)는 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점과 더불어 유기 반도체 자체가 가지는 가공성, 유연성 등으로 인해 유연한(flexible) 전자기기를 구현 할 수 있다는 가능성으로 미래형 전자기기의 핵심 구동 소자로서 많은 관심을 받고 있다. 특히 한 소자에서 p-type과 n-type이 동시에 구현되는 양극성(abipolar) OTFT는 구동 회로의 설계 및 제작 공정을 단순화 시키고 다양한 가능을 부가 시킬 수 있어 좀 더 경량화, 소형화된 미래형 전자 기기를 구현 할 수 있도록 해준다. 본 논문에서는 이러한 ambipolar OTFT의 구조 및 구동 원리를 알아보고 소자에 사용되는 유기 반도체 소재와 소자 구현 기술에 대하여 살펴보고자 한다.

• Information Display
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• v.11 no.2
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• pp.7-13
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• 2010

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.8
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• pp.7-12
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• 2010

In this paper, $C_{60}$ based Organic thin film transistor OTFTs) have been fabricated using BPhen(Bathophenanthroline) and BPhen doped with Cs interlayers between $C_{60}$ active layer and Al electrodes to improve the electrical performance. The addition of the BPhen layer resulted in enhanced performances by reducing surface roughness between organic-metal interface. And the contact resistance was reduced by using the BPhen doped with Cs interlayer with co-evaporation method. These performances suggests that the $C_{60}$ based OTFT with BPhen doped with Cs interlayer is a promising application in the fabrication of n-type organic transistors.

• Polymer(Korea)
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• v.35 no.4
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• pp.370-374
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• 2011

A conductive PANI solution was successfully fabricated by doping with camphorsulfonic acid and the polymerization of aniline and the confirmation of doping were characterized by FTIR spectroscopy. In organic thin film transistors, PANI gate electrodes were spin-coated on a PES substrate and their conductivity variations were monitored by a 4-probe method with different annealing temperatures. The surface properties of PANI thin films were investigated by an AFM and an optical microscope, OTFTs with PANI gate electrode had characteristics of carrier mobility as large as 0.15 $cm^2$/Vs and on/off ratio of $2.4{\times}10^6$, Au gate OTFTs with the same configuration were fabricated to investigate the effect of polymer gate electrode for the comparison of device performances. We could obtain the comparable performances of PANI devices to those of Au gate devices, resulting in an excellent alternative as an electrode in flexible OTFTs instead of an expensive Au electrode.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.159-159
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• 2008

투명전도체 (transparent conducting oxides: TCOs) 는 일반적으로 $10^3\Omega^{-1}Cm^{-1}$의 전도도, 가시광 영역에서 80%이상의 투명성을 가지는 재료로서, 액정 박막 표시 장치(TFT-LCD), 광기전성 소자, 유기 발광 소자, 에너지 절약 창문, 태양전지(sollar cell) 등 전극으로 사용되고 있다. 최근에는 TCO의 전도도특성을 조절하여 반도성특성을 가진 투명 산화물 반도체(transparent oxide semiconductor: TOS) 을 이용한 박막 트랜지스터 연구가 활발히 진행 중이다. 기존의 실리콘을 기반으로 하는 박막 트랜지스터의 낮은 이동도, 불투명성의 특성을 가지고 있지만, 산화물 박막트랜지스터는 높은 이동도를 발현 할 수 있을 뿐만 아니라, 넓은 밴드갭 에너지를 갖는 산화물을 이용하므로 투명한 특성도 발현 할 수 있어 차세대 디스플레이의 구동소자로서 응용연구가 되고 있다. 이에 본 연구에서는 박막트랜지스터 channel layer로서의 Indium-Tin-Zinc oxide 적용특성을 조사하였다. Indium, Tin, Zinc 의 혼합비율을 다양하게 조절하여 타겟을 제작하였다. 이를 RF magnetron sputtering 를 이용하여 박막으로 성장시켰으며, 기판으로는 glass 기판을 사용하였다. 박막 성장시 아르곤과 산소의 비율을 다양하게 조절하였다. 성장시킨 박막은 Hall effect, Transmittance, Work function, XRD등을 이용하여 전기적, 광학적, 구조특성을 평가하였다. Indium-Tin-Zinc Oxide(ITZO) 을 channel layer로 사용하여 Thin-film transistor 을 제작하여, TFT의 I-V 및 stability특성을 평가하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.2
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• pp.147-150
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• 2009

We present a technique for fabricating low leakage organic field-effect transistors by a functional polydimethylsiloxane (PDMS) layer. The technique relies on the photo-chemical process of conversion of the PDMS to a silicon oxide which provides the selective growth of pentacene thin films. The reduced gate leakage current showed ${\sim}10^{-10}$ A in a linear ($V_d=-5\;V$) and saturation ($V_d=-30\;V$) region at $V_g-V_t>0$.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.23 no.6
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• pp.515-520
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• 2012

In this review, the fabrication of silicon based memory capacitor and organic memory thin film transistors (TFTs) was discussed for their potential identification tag applications and biosensor applications. Metal or non-metal nanoparticles (NPs) could be capped with chemicals or biomolecules such as protein and oligo-DNA, and also be self-assembly monolayered on corresponding target biomolecules conjugated dielectric layers. The monolayered NPs were formed to be charging elements of a nano floating gate layer as forming organic memody deivces. In particular, the strong and selective binding events of the NPs through biomolecular interactions exhibited effective electrostatic phenomena in memory capacitors and TFTs formats. In addition, memory devices fabricated as organic thin film transistors (OTFTs) have been intensively introduced to facilitate organic electronics era on flexible substrates. The memory OTFTs could be applicable eventually to the development of new conceptual devices.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 2003.04a
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• pp.40-43
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• 2003

최근 관심의 대상이 되고 있는 유기박막트랜지스터 (Organic Thin Film Transisto., OTFT)는 현재 사용되고 있는 무기물 트랜지스터에 비해 가볍고 낮은 공정 온도와 가격으로 인하여 대면적 LCD, EL, smart card의 능동구동소자로서 적용이 가능하다고 알려져 있다[1,2]. 하지만 현재 연구되고 있는 단분자 유기물을 사용한 OTFT는 비교적 높은 온도에서 소자의 각 구성요소를 증착해야 되므로 여전히 복잡한 공정이 필요하며, 활성층으로 쓰이는 유기물과 금속전극의 계면문제로 전기적 특성이 떨어진다[3]. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.02a
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• pp.167-167
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• 2004

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.27 no.1
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• pp.44-49
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• 2010

본 논문에서는 6,13-bis (triisopropylsily lethynyl)-pentacene (TIPS-pentacene) 유기 박막 트랜지스터에 니켈 버퍼층을 적층했을 때의 효과를 연구하였다. 니켈 (Nickel) / 은(Silver) 소스 드레인 전극은 은 (Silver) 전극이 단독으로 쓰일 때 보다 에너지 레벨차이를 줄여 캐리어의 주입이 더 잘되도록 도와주므로써 전기적 특성을 향상 시켜준다. 또한 유기 게이트 절연체의 추가로 TIPS-pentacene 은 규칙적 배열된 형태를 가지므로써 소자 성능의 향상을 가지고 온다. 제작한 유기박막트랜지스터 에서 $0.01\;cm^2$의 포화영역 이동도를 얻을 수 있었으며, 또한 드레인 전압을 50 V로 하고 게이트 전압을 20 V에서 -50 V 까지 인가하였을 때 $2{\times}10^4$의 전멸 비를 얻을 수 있었다. 이러한 결과를 polyethylene terephthalate (PET) 기판을 이용한 유연한 OTFTs 에 적용시켜본 결과 유리기판위에 제작했을 때와 비슷한 성능을 얻음을 확인하였다.