• Title/Summary/Keyword: 유기 박막 트랜지스터

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A New Pixel Circuit Employing Data Reflected Negative Bias Annealing To Improve the Current Stability of a-Si:H TFT AMOLED (능동 구동형 유기 발광 소자 디스플레이용 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전류 안정성 개선을 위해 데이터가 반영된 음전압 인가 방식을 채택한 새로운 화소 회로)

  • Kuk, Seung-Hee;Han, Sang-Myeon;Park, Hyun-Sang;Han, Min-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.246-247
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    • 2007
  • 능동 구동형 유기 발광 소자 디스플레이용 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전류 안정성을 개선하기 위해, 음전압 인가방식을 채택한 새로운 화소 회로를 제안하였다. 제안한 회로는 5개의 트랜지스터를 사용하였고, 직전에 인가했던 $V_{GS}$에 따라 음의 전압을 인가하여 양의 전압에 의한 구동 박막 트랜지스터의 열화 현상을 줄여준다. 본회로는 SPICE 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

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Control of the Gold Electrode Work Function for High Performance Organic Thin Film Transistors (표면개질된 금 전극의 일함수 조절을 통한 고성능 유기박막 트랜지스터 개발)

  • Park, Yeong Don
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.23 no.3
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    • pp.289-292
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    • 2012
  • Au electrodes modified with self-assembled monolayers (SAMs) were used to control the work function of source/drain electrodes in triethylsilylethynyl anthradithiophene (TES ADT)-based organic thin film transistors (OTFTs). By using benzothiol (BT) and pentafluorobenzothiol (PFBT) SAMs, the hole injection barrier between Au and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of TES ADT was controlled. After a solvent annealing, TES ADT OTFTs with PFBT SAM-treated Au electrodes were found to exhibit high field-effect mobilities of $0.05\;cm^2/Vs$ and on/off current ratios of $10^6$.

Surface treatment effects on organic thin film transistors (유기박막트랜지스터의 표면처리 효과)

  • 임상철;김성현;김미경;정태형;이정헌;김도진
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.03a
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    • pp.126-126
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    • 2003
  • 유기트랜지스터에 관한 연구는 1980년 이후부터 시작되었으나 근래에 들어 전 세계적으로 본격적인 연구가 진행되고 있다. 제작공정이 간단하고 비용이 저렴하며 충격에 의해 깨지지 않고 구부리거나 접을 수 있는 전자 회로 기판이 미래의 산업에 필수적인 요소가 될 것으로 예상되고 있으며 이러한 요구를 충족시킬 수 있는 유기트랜지스터의 개발은 아주 중요한 연구분야로 대두되고 있다. 본 연구에서는 표면처리에 따른 contact angle, I-V 특성곡선, 표면 morphology 등의 결과로부터 dry cleaning 한 것이 wet cleaning한 것보다 왜 좋은지를 논하고자 한다. 먼저 N-type SiO$_2$ 기판을 이용하여 back면의 oxide층을 제거한 후, back gate용으로 사용하기 위하여 sputtering장치로 Au/Cr을 증차하였다. 그리고 기판에 앞면을 photolithography 공정을 이용하여 Au/Cr를 1000$\AA$ 증착 하여 source-, drain-eldctrode를 제조하였다. 그리고 SiO$_2$ 기판의 표면처리를 달리하여 그 위에 유기박막을 증착하여 특성을 비교하였다.

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Plasma Polymerized Styrene for Gate Insulator Application to Pentacene-capacitor (유기박막트랜지스터 응용을 위해 플라즈마 중합된 Styrene 게이트 절연박막)

  • Hwang, M.H.;Son, Y.D.;Woo, I.S.;Basana, B.;Lim, J.S.;Shin, P.K.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.20 no.5
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    • pp.327-332
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    • 2011
  • Plasma polymerized styrene (ppS) thin films were prepared on ITO coated glass substrates for a MIM (metal-insulator-metal) structure with thermally evaporated Au thin film as metal contact. Also the ppS thin films were applied as organic insulator to a MIS (metal-insulatorsemiconductor) device with thermally evaporated pentacene thin film as organic semiconductor layer. After the I-V and C-V measurements with MIM and MIS structures, the ppS revealed relatively higher dielectric constant of k=3.7 than those of the conventional poly styrene and very low leakage current density of $1{\times}10^{-8}Acm^{-2}$ at electric field strength of $1MVcm^{-1}$. The MIS structure with the ppS dielectric layer showed negligible hysteresis in C-V characteristics. It would be therefore expected that the proposed ppS could be applied as a promising dielectric/insulator to organic thin film transistors, organic memory devices, and flexible organic electronic devices.

Investigation of Solvent Effect on the Electrical Properties of Triisopropylsilylethynyl(TIPS) Pentacene Organic Thin-film Transistors (용제에 따른 TIPS(triisopropylsilyl) Pentacene을 이용한 유기박막 트렌지스터의 전기적 특성에 관한 연구)

  • Kim, K.S.;Kim, Y.H.;Han, J.-In;Choi, K.N.;Kwak, S.K.;Kim, D.S.;Chung, K.S.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.17 no.5
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    • pp.435-441
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    • 2008
  • In this paper, we investigated the electrical properties of triisopropylsilyl (TIPS) pentacene organic thin-film transistor (OTFT) depending on solvent type. We spin coated TIPS pentacene by using chlorobenzene, p-xylene, chloroform, and toluene as solvents. Fabricated OTFT with chlorobenzene shows field-effect mobility of $1.0{\times}10^{-2}cm^2/V{\cdot}s$, on/off ratio of $4.3{\times}10^3$ and threshold voltage of 5.5 V. In contrast, with chloroform, the mobility is $5.8{\times}10^{-7}cm^2/V{\cdot}s$, on/off ratio of $1.1{\times}10^2$ and threshold voltage of 1.7 V. Moreover we measured the grain size of each TIPS pentacene solvent by atomic force microscopy (AFM). From these results, it can be concluded that a solvent with higher boiling point results in better electrical characteristics due to large grain size and high crystallinity of TIPS pentacene layer. In this paper TIPS pentacene with chlorobenzene shows the best electrical properties.

전유기 트랜지스터용 유기 절연재

  • 이무열;손현삼;표승문;이미혜
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.17 no.7
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    • pp.21-29
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    • 2004
  • 절연성 기판 위에 단결정이 아닌 반도체 박막을 이용하여 만든 전계효과 (Field Effect FET) 소자로 일반적으로 정의되는 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor, TFT)는 1962 RCA lab.의 Weimer에 제안되어 지금까지 많은 발전을 거듭해 왔다. [1] TFT는 SRAM이나 ROM에도 응용되지만, 주된 사용 분야는 능동구동방식 평판 디스플레이(Active Matrix Flat Panel Display)의 화소 스위칭 소자이다. 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)나 유기 전계발광 디스플레이(Organic Electro-luminescence Display, OELD) 화소의 스위칭 소자로도 TFT가 널리 사용되고 있다. (중략)

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알루미나 ($Al_2O_3$) 나노입자-PVP 나노복합 절연체층을 이용한 연성 유기박막 트랜지스터(OTFT) 제작및 전기적 특성 연구

  • No, Hwa-Yeong;Seol, Yeong-Guk;Kim, Seon-Il;Lee, Nae-Eung
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2007.04a
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    • pp.74-75
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    • 2007
  • 최근에는 휴대성과 유연성이 뛰어난 다목적 디스플레이의 연구가 활발히 진행되고 있는데, 이러한 기술의 핵심 능동소자로서 저비용, 대면적의 응용, 휘어짐 등의 장점을 가지는 유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistors)가 널리 연구되고 있다. 본 연구에서는 기존에 문제시 되는 유기 절연체의 저유전상수와 높은 누설전류를 보완하기 위하여 나노복합 (nanocomposite) 게이트 절연체에 대한 연구를 수행하였다. 기존의 유기물 절연체가 가지는 문제점인 높은 누설전류 특성을 보완하기 위하여 높은 전기적 절연성과 고유전상수를 가지는 알루미나 ($Al_2O_3$)의 나노입자와 유기절연체의 나노복합체 박막을 형성시키고 이를 적용한 결과 게이트 누설전류를 억제시키어 소자의 특성을 향상시킬 수 있었다.

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