• Journal of Welding and Joining
• /
• 제15권5호
• /
• pp.21-24
• /
• 1997

화학증착법은 고융점의 경질재료, 고온재료, 고순도와 완벽한 결정성을 필요로 하는 반도체, 초전도체 및 투명전도체 등의 전자재료의 제조와 신소재 개발 등에 이용되고 있다. 그러나 1000.deg.C 부근의 고온에서 증착반응이 이루어짐으로 그 응용범위가 제한되어 있다. 이러한 제한점을 해결하기 위하여 증착온도를 낮추기 위한 방법으로 비교적 저온에서 분해가 가능한 금속유기 화합물을 반응물로 사용하여 증착반응 온도를 낮출 수가 있으며, 실제로 III-V 또는 II-VI 반도체 제조에는 금속유기 화합물에 의한 화학증착법을 이용하고 있으나, 고가의 금속유기 화합물을 사용하여야 하며 금속유기 화합물의 불안정성, 유독성 때문에 사용에 제한을 받고 있다. 최근에는 플라즈마를 부수에너지원으로 공급하여 줌으로써 증착반응의 온도를 더욱 낮추는 연구가 진행되고 있다.

• 전자공학회지
• /
• 제14권1호
• /
• pp.15-21
• /
• 1987

• 한국전기화학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기화학회 2002년도 춘계총회 및 학술발표회
• /
• pp.48-48
• /
• 2002

• 한국전기화학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기화학회 2001년도 추계총회 및 학술발표회
• /
• pp.38-38
• /
• 2001

• 한국재료학회지
• /
• 제6권9호
• /
• pp.950-958
• /
• 1996

저압 유기금속 화학증착법을 사용하여 AIGaInP층의 diethylzinc의 III족 원소(AO, Ga, In)에 대한 비와 성장온도 변화에 따른 Zn(acceptor)의 첨가 농도특성을 연구하였다. Diethylzinc의 III족 원소(AI, Ga, In)비를 0.4에서 2.0까지 변화시켜 본 결과 0.85일 때 가장 높은 acceptor 농도를 가졌으며, 성장온도를 69$0^{\circ}C$에서 80$0^{\circ}C$까지 변화시킨 결과 성장온도에 대한 변화는 69$0^{\circ}C$-73$0^{\circ}C$일 때 온도가 증가함에 따라 acceptor농도는 커졌으며, 그 이상에서는 감소하였다. 또한, 성장속도가 빠를수록 높은 acceptor 농도를 가지게 되어 3.3$\mu\textrm{m}$/hr의 성장속도일 때 8x1017/㎤의 가장 높은 acceptor 농도를 얻을수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1994년도 제6회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.87-89
• /
• 1994

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
• /
• pp.21-22
• /
• 1994

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
• /
• pp.56-56
• /
• 1996

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 1998년도 추계학술발표회 초록집
• /
• pp.41-42
• /
• 1998

• 한국막학회:학술대회논문집
• /
• 한국막학회 1997년도 춘계 총회 및 학술발표회
• /
• pp.27-28
• /
• 1997

최근 들어 분리공정의 발달과 산업의 고도화에 따라 기체 및 액체분리의 중요성이 강조되면서 열적, 화학적 그리고 기계적 안정성이 좋으며, 수명이 길고, 세척과 재생이 용이하며, 미생물에 의한 손상이 없는 무기막에 대한 연구가 진행중이다. 무기막은 기공의 크기에 따라 크게 다공성 막과 비다공성 막의 두 종류로 구분된다. 비다공성 금속막은 특정 기체에만 투과성을 가지며, 이때 기체는 용해-확산(solution-diffusion)기구에 의해 금속막을 투과하므로 특정기체에 대한 선택도는 매우 크나 투과도가 매우 작고 가격이 비싼 단점을 가지고 있다. 다공성 막은 기체 투과율이 큰 반면 기체 선택도가 작은 단점을 가지고 있다. 현재 기체분리에 사용되고 있는 무기막은 기공크기가 40${\AA}$ 이상으로 기체 분리가 Kundsen diffusion에 의해 이루어지므로, 기체 투과도는 큰 반면에 기체에 대한 선택도는 그리 크지 않다. 따라서 최근 들어서는 다공성 담체에 기공이 작은 ($d_{pore}<20{\AA}$)박막을 담지시켜 기체의 분리 선택도를 향상시키기 위한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 본 연구에서는 유기금속 화학증착법(metal-organic chemical vapor deposition:MOCVD)을 이용하여 수소 선택성을 가지는 $SiO_2/Al_2O_3$ 복합막을 비율별로 제조하여 증착속도를 알아보고, 열과 수분에 노출시켜 박막의 기체투과도 변화를 살펴보았다.