• 한국결정성장학회지
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• 제15권2호
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• pp.57-60
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• 2005

[ $SiO_2$ ]로 산화된 웨이퍼 위에 상압화학기상증착 기술로 반도체 탄소나노튜브를 성장했으며, 이 나노튜브의 전기적 특성을 조사하였다. 전기적 특성은 반도체 탄소나노튜뷰를 $300^{\circ}C$, 대기 중에서 산화 열처리 시간을 변화시키면서 상온대기에서 측정하였다. 반도체 탄소나노튜브는 $300^{\circ}C$에서 산화 열처리 시간을 증가할수록 점차적으로 금속 탄소나노튜브로 변형되는 것을 보았다. 탄소나노튜브는 $300^{\circ}C$, 대기에서 6시간 동안 산화 열처리 후 표면의 일부가 없어지는 현상을 투과 전자현미경으로 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.264.2-264.2
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• 2014

비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리로써 현재 다양한 차세대 전자소자의 집적화 구현을 위해 저전압 동작 및 저장능력의 향상 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이때 삽입되는 전하저장층의 경우 기존 널리 이용되는 질화막(SiNx) 외에 최근에는 산화 알루미늄(Al2O3) 등의 고유전상수 물질 뿐만 아니라, 밴드갭 조절을 통해 전하저장능력을 향상시키는 산화막(SiOx)에 대한 연구도 진행 중이다. 이번 연구에서는 전하저장능력을 향상시키기 위해 전하저장층으로 산화막을 이용할 뿐만 아니라, 기존의 평편한 구조가 아닌 표면 조절을 통해 전하저장능력을 보다 향상시키고자 한다. 또한 이번 연구에서는 비휘발성 메모리 소자의 응용을 위해 우선적으로 금속-절연체-반도체 형태의 MOOxOyS 구조를 이용하였다. 이 때 실리콘 표면적을 변화시키기 위해 이용된 실리콘 웨이퍼는 1) 평편한 실리콘, 2) 수산화암모늄, 이소프로필 알코올 및 탈이온수를 혼합한 용액에 식각시킨 삼각형 구조, 3) 불산, 질산 및 아세트산을 혼합한 용액에 식각시킨 라운드 구조이다. 정전용량-전압 측정을 통해 얻어진 메모리 윈도우는 1) 평편한 실리콘의 경우 약 5.1 V, 2) 삼각형 구조의 경우 약 5.3 V, 3) 라운드 구조의 경우 약 5.9 V를 얻었다. 이 때, 라운드 구조의 경우 가장 넓은 표면적으로 인해 상대적으로 전하트랩이 가장 많이 되어 메모리 윈도우가 가장 커지는 특성을 볼 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제6권3호
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• pp.270-272
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• 2005

코발트 실리사이드는 낮은 전기 저항성 때문에 고효율 소자를 제조하는데 적합한 물질이다. 이는 전자소재가 소형화되면서 접촉저항과 혼합을 줄이기 위해 더욱 필요하게 되었다. 본 연구에서는 티타늄의 표면산화에 미치는 영향과, RTO 조건에서 온도에 따른 코발트 실리사이드 박막의 산화정도를 측정했다. 기질로서 p-형 실리콘웨이퍼를 사용하였고, 고속 열 가공을 통하여 박막을 가공하였다. 티타늄 층을 입혔을 때 산화충의 두께는 $500{\AA}$정도 성장하였다. 고속 열산화의 온도변화에 따라 산화막은 $550^{\circ}C\~700^{\circ}C$까지는 성장을 보였으나 $700^{\circ}C$이상에는 산화막 성장이 포화상태를 보였다.

• 한국광학회지
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• 제4권3호
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• pp.323-329
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• 1993

본 논문에서는 광굴절 특성을 나타내는 파라메타중 회절효율의 전도도비(${\sigma}_d$/{\sigma}_p$) 의존성에 관해 연구 하였다. 전도도비는 입사빔의 세기에 의존하며, 암전도도 ${\sigma}_d$가 광전도도 ${\sigma}_p$ 에 비해 무시할 수 없을 때 입사빔의 세기에 따라 전도도비가 변화되고, 전도도비의 변화는 결정 내의 정전기장에 영향을 주게 된다. 정전기장의 변화는 전기광학효과에 의해 굴절율을 변화시키고, 굴절율의 변화는 회절효율과 관계한다. 개방회로 상태에서 0.1%/mole $Fe:LiNbO_3$ 결정과 $LiNbO_3$ 웨이퍼에 Fe를 증착시킨 LiNb$O_3$에서 두 입사빔의 세기비와 입사빔세기의 합을 다르게 할 때 회절효율을 측정하고 이론값과 비교하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.209-209
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• 2011

플라즈마 공정에 있어 챔버 및 웨이퍼의 표면 상태변화는 공정 결과에 큰 영향을 끼치게 된다. 챔버 표면에 대한 연구는 많이 진행되어 있지만 대부분의 연구가 챔버 표면에서 일어나는 화학적 반응에 초점을 맞추고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 상태 변화에 따른 챔버 표면물질의 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 프로브 표면에 Al2O3로 코팅을 하고 플라즈마에 삽입 후 AC 하모닉법을 이용하여 실시간으로 표면의 축전용량을 측정하였다. 그 결과 표면의 축전용량은 플라즈마에 인가한 전력과 표면이 플라즈마에 노출된 시간에 따라 변하는 것이 관찰되었다. 플라즈마에 인가된 전력이 증가되면 처음에는 급격이 축전용량이 증가하였고, 그 후 시간이 지날수록 천천히 수렴되었다. 유전물질의 축전용량은 그 물질의 온도와 연관이 있다. 실험 결과로 미루어 보았을 때, 플라즈마에서의 표면의 축전용량의 변화는 플라즈마로부터 표면으로의 열전달에 의한 표면의 온도 변화에 의한 것으로 이해할 수 있다. 특히, 쉬스에서 가속되는 이온의 포격에 의해 표면 격자가 크게 진동하면서서 일반적인 온도 변화에 의한 축전용량의 변화보다 더 큰 변화가 일어난 것으로 추정된다. 공정에 사용되는 많은 챔버의 표면이나 전극의 표면은 유전체로 코팅되어 있다. 이 유전체의 특성이 온도에 의해 변하게 되면 챔버의 전기적인 특성이 변하게 되어 임피던스 매칭 조건에 변화를 가져온다. 그 결과 플라즈마의 특성도 바뀌게 되어 공정 결과에 영향을 미치게 된다. 그러므로 챔버 표면의 유전특성을 관찰하고 제어하는 것이 플라즈마의 특성을 유지시키는데 중요하다고 할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.510-510
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• 2011

Si (100) 2 인치 웨이퍼 위에 RF Magnetron Sputtering 방법으로 Ti 박막을 형성하고, 그 위에 MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 나노결정다이아몬드 박막을 증착하였다. 지름 3인치, 두께 1/4인치의 Ti 타겟을 사용하고, Ar 가스 유량 11 sccm, 공정 압력 $4.5{\times}10^{-3}$ Torr, RF 전력 100 W, 기판온도 $70^{\circ}C$ 조건에서 2 시간 동안 Ti 박막을 증착하여 약 $0.8{\mu}m$의 박막을 얻었다. 그 위에 공정 압력 110 Torr, 마이크로웨이브 전력 1.2 kW, Ar/$CH_4$ 가스 조성비 200/2 sccm, 기판 온도 $600^{\circ}C$의 조건에서 기판에 -150 V의 DC 바이어스 전압 인가 여부를 변수로 하고, 증착 시간을 변화시켜 나노결정다이아몬드 박막을 제작하였다. FE-SEM과 AFM을 이용하여 다이아몬드 입자의 크기와 다이아몬드 박막의 두께, 표면 거칠기 등을 측정하였고, Raman spectroscopy와 XRD를 이용하여 다이아몬드 결정성을 확인하였다. 바이어스를 인가하지 않았을 경우 증착 시간이 증가할수록 다이아몬드 입자의 평균 크기가 증가하며 입자들이 차지하는 면적이 증가하는 것을 확인하였다. 그러나 2시간이 경과해도 아직 완전한 박막은 형성되지 못하고 약 4시간 이상 증착 시 완전한 박막을 이루는 것이 확인되었다. 이에 비해서 바이어스 전압을 인가할 경우 1시간 내에 완전한 박막을 이루는 것을 확인하였다. 표면 거칠기는 바이어스를 인가한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해서 조금 높은 것으로 나타났다. 이러한 바이어스 효과는 표면에서의 핵생성 밀도 증가와 재핵생성 속도 증가에 기인하는 것으로 해석된다.

• 센서학회지
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• 제5권1호
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• pp.37-42
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• 1996

기존의 진공증착 방법으로 $SiO_{2}$ 막이 성장된 Si웨이퍼 위에 ZnO막을 제조하였다. Anhydrous zinc acetate를 자체 제작한 황동보트안에 넣고 가열하여 승화시켰다. 기판온도는 $200^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$까지 변화시켰으며 공정중에 산소를 주입하여 챔버내 산소 분압을 증가시켰다. 증가된 산소분압에 의해 고저항의 ZnO막을 얻을 수 있었다. 제조된 막의 결정성 및 성분을 알기 위해 XRD, EDS 및 RBS 측정을 하였다. 고저항의 ZnO막은 70%이상의 상대습도에 매우 민감한 저항감소를 나타내었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제5권2호
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• pp.132-136
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• 2004

대기중의 NO₂ 가스 농도를 측정하기 위한 마이크로 가스센서를 MEMS 공정을 이용하여 제작하였다. WO₃와 같은 가스 감응물질을 목표 온도까지 가열하기 위해서 마이크로 핫플레이트를 가스센서에 장착하였다. 마이크로 가스센서의 열전달 현상을 상용 열유동 해석 전용 프로그램인 FLUENT를 이용하여 해석하였다. 해석 결과 실리콘 웨이퍼 기판의 온도가 거의 상온에 가까워 핫플레이트에서 발생한 열이 가스 감응물질을 효과적으로 가열하여서 가스감응물질의 열적 고립상태를 유지하고 있는 것을 알 수 있었다. 마이크로 핫플레이트의 형상을 변경함으로써 가스 감지물질의 온도 균일도를 높일 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 영호남 학술대회 논문집
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• pp.130-132
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• 2003

ALD(Atomic Layer Deposition) 법으로 박막 알루미나를 형성한 후 웨이퍼 접합과 박막화 공정으로 알루미나를 매몰절연막으로 하는 SOI 구조를 제조하고 그 특성을 조사하였다. 알루미나 박막의 유전 특성과 실리콘과의 계면 특성은 C-V 측정으로, 단면 분석은 SEM(Scanning Electron Microscope) 촬영으로 조사하였다. 알루미나와 실리콘을 접합하기 위하여 1100C에서 열처리를 행한 후 알루미나와 실리콘의 계면 상태 밀도는 $2.5{\times}10^{11}/cm^2-eV$였다. 그리고 SEM의 단연 분석과 AES(Auger Electron Spectroscope)의 깊이 방향 분석을 통해서 매몰 알루미나층의 존재를 확인하였다. 알루미나는 실리콘 산화막보다 높은 열전도성을 가지므로 이를 매몰절연막으로 하여 SOI 구조를 제조하면 기존의 실리콘산화막을 매몰절연막으로 하는 SOI를 기판으로 하여 제조되는 소자보다 selg heating 효과가 감소된 우수한 특성의 소자를 제조할 수 있다.

• 접착 및 계면
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• 제5권4호
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• pp.1-8
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• 2004

다이싱 테이프에 사용되는 UV경화형 점착제를 아크릴 공중합체를 butyl acrylate, acrylic acid, methyl methacrylate를 용액 중합을 통해 중합한 뒤, trimethylolpropane triacrylate를 블렌딩하여 제조하였다. 제조된 점착제는 UV 조사량에 따라 접착력, 유리전이온도 ($T_g$)를 측정하였는데 UV 조사량이 증가할수록 접착력은 급격하게 감소하였고 $T_g$도 증가하였다. 웨이퍼 표면에 점착 샘플을 부착하여 UV 조사 후 박리하여 표면을 관찰한 결과 점착잔류물을 남기지 않았다.