• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.15 no.2
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• pp.57-60
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• 2005

Semiconductor carbon nanotube was grown on oxided silicon wafer with atmosphere pressure chemical vapor deposition (APCVD) method and investigated the electrical property after thermal oxidation at $300^{\circ}C$ in air. The electrical property was measured at room temperature in air after thermal oxidation at $300^{\circ}C$ for various times in air. Semiconductor carbon nanotube was steadily changed to metallic carbon nanotube as increasing of thermal oxidation times at $300^{\circ}C$ in air. Some removed area of carbon nanotube surface was shown with transmission electron microscopy (TEM) after thermal oxidation for 6 hours at $300^{\circ}C$ in air.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.264.2-264.2
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• 2014

비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리로써 현재 다양한 차세대 전자소자의 집적화 구현을 위해 저전압 동작 및 저장능력의 향상 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이때 삽입되는 전하저장층의 경우 기존 널리 이용되는 질화막(SiNx) 외에 최근에는 산화 알루미늄(Al2O3) 등의 고유전상수 물질 뿐만 아니라, 밴드갭 조절을 통해 전하저장능력을 향상시키는 산화막(SiOx)에 대한 연구도 진행 중이다. 이번 연구에서는 전하저장능력을 향상시키기 위해 전하저장층으로 산화막을 이용할 뿐만 아니라, 기존의 평편한 구조가 아닌 표면 조절을 통해 전하저장능력을 보다 향상시키고자 한다. 또한 이번 연구에서는 비휘발성 메모리 소자의 응용을 위해 우선적으로 금속-절연체-반도체 형태의 MOOxOyS 구조를 이용하였다. 이 때 실리콘 표면적을 변화시키기 위해 이용된 실리콘 웨이퍼는 1) 평편한 실리콘, 2) 수산화암모늄, 이소프로필 알코올 및 탈이온수를 혼합한 용액에 식각시킨 삼각형 구조, 3) 불산, 질산 및 아세트산을 혼합한 용액에 식각시킨 라운드 구조이다. 정전용량-전압 측정을 통해 얻어진 메모리 윈도우는 1) 평편한 실리콘의 경우 약 5.1 V, 2) 삼각형 구조의 경우 약 5.3 V, 3) 라운드 구조의 경우 약 5.9 V를 얻었다. 이 때, 라운드 구조의 경우 가장 넓은 표면적으로 인해 상대적으로 전하트랩이 가장 많이 되어 메모리 윈도우가 가장 커지는 특성을 볼 수 있었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.6 no.3
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• pp.270-272
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• 2005

The behavior of surface oxidation on cobalt silicide layer was investigated under rapid thermal oxidation (RTO) conditions. The cobalt silicide layer was prepared on p-type silicon substrates. We used Ti thin film as a capping layer in order to measure the degree of oxidation of the layer. Oxide grew faster on the cobalt silicide prepared with the Ti capping layer to reach ca $500{\AA}$ at $700^{\circ}C$ in thickness. The oxide film kept growing under $550^{\circ}C\~700^{\circ}C$ of the RTO condition, resulting in a saturated state above $500{\AA}$.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.4 no.3
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• pp.323-329
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• 1993

In this paper, dependence of the diffraction efficiency upon incident light intensity is studied. The conductivity ratio, which is dependent upon the incident light intensity, changes the static electric field in a crystal. This change of the static electric field modulates the refractive index via linear electro-optic effect. And the change of the refractive index affects the diffraction efficiency. It is found that experimental results with $Fe:LiNbO_3$ crystals are in good agreement with the theory.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.209-209
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• 2011

플라즈마 공정에 있어 챔버 및 웨이퍼의 표면 상태변화는 공정 결과에 큰 영향을 끼치게 된다. 챔버 표면에 대한 연구는 많이 진행되어 있지만 대부분의 연구가 챔버 표면에서 일어나는 화학적 반응에 초점을 맞추고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 상태 변화에 따른 챔버 표면물질의 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 프로브 표면에 Al2O3로 코팅을 하고 플라즈마에 삽입 후 AC 하모닉법을 이용하여 실시간으로 표면의 축전용량을 측정하였다. 그 결과 표면의 축전용량은 플라즈마에 인가한 전력과 표면이 플라즈마에 노출된 시간에 따라 변하는 것이 관찰되었다. 플라즈마에 인가된 전력이 증가되면 처음에는 급격이 축전용량이 증가하였고, 그 후 시간이 지날수록 천천히 수렴되었다. 유전물질의 축전용량은 그 물질의 온도와 연관이 있다. 실험 결과로 미루어 보았을 때, 플라즈마에서의 표면의 축전용량의 변화는 플라즈마로부터 표면으로의 열전달에 의한 표면의 온도 변화에 의한 것으로 이해할 수 있다. 특히, 쉬스에서 가속되는 이온의 포격에 의해 표면 격자가 크게 진동하면서서 일반적인 온도 변화에 의한 축전용량의 변화보다 더 큰 변화가 일어난 것으로 추정된다. 공정에 사용되는 많은 챔버의 표면이나 전극의 표면은 유전체로 코팅되어 있다. 이 유전체의 특성이 온도에 의해 변하게 되면 챔버의 전기적인 특성이 변하게 되어 임피던스 매칭 조건에 변화를 가져온다. 그 결과 플라즈마의 특성도 바뀌게 되어 공정 결과에 영향을 미치게 된다. 그러므로 챔버 표면의 유전특성을 관찰하고 제어하는 것이 플라즈마의 특성을 유지시키는데 중요하다고 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.510-510
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• 2011

Si (100) 2 인치 웨이퍼 위에 RF Magnetron Sputtering 방법으로 Ti 박막을 형성하고, 그 위에 MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 나노결정다이아몬드 박막을 증착하였다. 지름 3인치, 두께 1/4인치의 Ti 타겟을 사용하고, Ar 가스 유량 11 sccm, 공정 압력 $4.5{\times}10^{-3}$ Torr, RF 전력 100 W, 기판온도 $70^{\circ}C$ 조건에서 2 시간 동안 Ti 박막을 증착하여 약 $0.8{\mu}m$의 박막을 얻었다. 그 위에 공정 압력 110 Torr, 마이크로웨이브 전력 1.2 kW, Ar/$CH_4$ 가스 조성비 200/2 sccm, 기판 온도 $600^{\circ}C$의 조건에서 기판에 -150 V의 DC 바이어스 전압 인가 여부를 변수로 하고, 증착 시간을 변화시켜 나노결정다이아몬드 박막을 제작하였다. FE-SEM과 AFM을 이용하여 다이아몬드 입자의 크기와 다이아몬드 박막의 두께, 표면 거칠기 등을 측정하였고, Raman spectroscopy와 XRD를 이용하여 다이아몬드 결정성을 확인하였다. 바이어스를 인가하지 않았을 경우 증착 시간이 증가할수록 다이아몬드 입자의 평균 크기가 증가하며 입자들이 차지하는 면적이 증가하는 것을 확인하였다. 그러나 2시간이 경과해도 아직 완전한 박막은 형성되지 못하고 약 4시간 이상 증착 시 완전한 박막을 이루는 것이 확인되었다. 이에 비해서 바이어스 전압을 인가할 경우 1시간 내에 완전한 박막을 이루는 것을 확인하였다. 표면 거칠기는 바이어스를 인가한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해서 조금 높은 것으로 나타났다. 이러한 바이어스 효과는 표면에서의 핵생성 밀도 증가와 재핵생성 속도 증가에 기인하는 것으로 해석된다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.5 no.1
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• pp.37-42
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• 1996

ZnO films have been deposited on oxide grown Si wafers by the conventional thermal evaporation method. Anhydrous zinc acetate was directly heated and sublimed in the laboratory-made brass boat. The substrates temperature varied from $200^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$. Oxygen has been flowed into the deposition chamber to change the partial pressure of oxygen. The films deposited at high oxygen pressure exhibited higher resistivity than films at low pressure. X-Ray Diffraction(XRD), Energy Dispersive Spectroscopy(EDS) and Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) were conducted on the films to reveal the crystallinity and composition of the ZnO films. The ZnO films deposited at high oxygen pressure were extremly sensitive to the humidity of higher than 70 % RH.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.5 no.2
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• pp.132-136
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• 2004

A flat type $NO_2$ micro gas sensor was fabricated by MEMS technology. In order to heat up gas sensing material such as $WO_3$ to a target temperature, a micro hotplate was built on the gas sensor. The temperature distribution of micro gas sensor was analyzed by a CFD program, FLUENT. The results showed that the temperature of silicon wafer base was almost similar to that of the room temperature, which indicates that the heat generated at the micro hotplate heated up effectively the sensing material and its thermal isolation was kept. The uniformity of temperature on the sensing material can be improved by modifying the shape of micro hotplate.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.08a
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• pp.130-132
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• 2003

ALD(Atomic Layer Deposition) 법으로 박막 알루미나를 형성한 후 웨이퍼 접합과 박막화 공정으로 알루미나를 매몰절연막으로 하는 SOI 구조를 제조하고 그 특성을 조사하였다. 알루미나 박막의 유전 특성과 실리콘과의 계면 특성은 C-V 측정으로, 단면 분석은 SEM(Scanning Electron Microscope) 촬영으로 조사하였다. 알루미나와 실리콘을 접합하기 위하여 1100C에서 열처리를 행한 후 알루미나와 실리콘의 계면 상태 밀도는 $2.5{\times}10^{11}/cm^2-eV$였다. 그리고 SEM의 단연 분석과 AES(Auger Electron Spectroscope)의 깊이 방향 분석을 통해서 매몰 알루미나층의 존재를 확인하였다. 알루미나는 실리콘 산화막보다 높은 열전도성을 가지므로 이를 매몰절연막으로 하여 SOI 구조를 제조하면 기존의 실리콘산화막을 매몰절연막으로 하는 SOI를 기판으로 하여 제조되는 소자보다 selg heating 효과가 감소된 우수한 특성의 소자를 제조할 수 있다.

• Journal of Adhesion and Interface
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• v.5 no.4
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• pp.1-8
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• 2004

UV-curable pressure sensitive adhesives were prepared by blending acrylic copolymer, copolymerized with butyl acrylate, acrylic acid and methyl methacrylate by solution polymerization, and trimethylolpropane triacrylate. The PSAs were evaluated by adhesion strength with varying UV dose, and also glass transition temperature ($T_g$) of PSAs were measured. When exposed on UV irradiation, the PSAs showed the decreased adhesion strength and increased $T_g$. And following UV irradiation, the PSAs did not leave any residue on wafer after peel off PSA.