Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.327.1-327.1
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2016
모바일 기기의 폭발적 증가세로 인해 플래시 메모리의 수요가 증가하고 있다. 낸드 플래시 메모리는 적은 전력 소모량과 높은 전기적 효율 때문에 많은 많은 연구가 이루어지고 있다. 반면에 stress-induced leakage current, positive-charge-assisted tunneling, thermally-assisted tunneling 등의 문제로 신뢰성이 저하되는 문제가 발생한다. 프로그램/이레이즈 동작이 반복되면 소자에서 발생하는 에러의 발생비율이 늘어나 신뢰성이 저하되게 된다. 비록 신뢰성 저하 메커니즘에 대한 연구가 많이 이루어졌으나, 워드라인 스트레스에 의한 프로그램 특성 저하에 대한 구체적인 연구가 진행되지 않았다. 본 연구에서는 플래시 메모리의 워드라인 스트레스로 인한 전기적 특성 감소 현상을 보기 위해, 플로팅 게이트의 두께를 변화시키면서, electron density와 depletion region 의 변화를 관찰하였다. 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성을 멀티 오리엔테이션 모델을 포함한 3차원 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 계산하였다. 프로그램/이레이즈 동작이 증가함에 따라, 플로팅 게이트에 공핍영역이 생기고, 블로킹 옥사이드와 게이트 사이에 의도하지 않은 트랩이 생기게 된다. 이로 인해 프로그램/이레이즈 동작이 증가함에 따라, 플로팅 게이트의 electron density가 감소하는 경향을 보았다. 이 연구 결과는 낸드 플래시 메모리 소자에서 신뢰성을 향상시키고 프로그램 특성을 증진시키는데 도움이 된다.
Proceedings of the Korea Institutes of Information Security and Cryptology Conference
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2003.12a
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pp.198-204
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2003
지금까지 제안된 패스워드를 이용하는 인증 프로토콜은 오프라인 추측 공격이나 패스워드 파일 컴프로마이즈에 대하여 안전하지 않으므로 이에 대한 연구가 요구되고 있다. 본 논문에서는 패스워드를 이용하는 인증 프로토콜인 스키마 PAP(Password based Authentication Protocol)을 적용하여 새로운 인증 프로토콜 PAPRSA를 제안하였다. PAP는 패스워드를 표현하는 많은 값들 중에서 임의로 선택한 한 값을 처리하는 것을 특징으로 한다. PAPRSA는 패스워드를 표현하는 값을 처리하기 위하여 RSA를 이용하는 PAP기반 인중 프로토콜이다. 제안된 PAPRSA는 오프라인 추측 공격과 패스워드 파일 컴프로마이즈를 포함한 공격들로부터 안전하였으며, 패스 수와 계산량을 측정한 결과 효율성 면에서 매우 우수하였다.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2002.10c
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pp.445-447
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2002
Lin 등이 제안한 키 교환 프로토콜 및 SAKA 변형 키 교환 프로토콜은 오프라인 패스워드 추측 공격에 대응하지 못했다. 본 논문에서는 기존의 SAKA 변형 키 교환 프로토콜의 취약점을 해결하기 위한 새로운 키 교환 프로토콜을 제안한다. 제안한 프로토콜은 키 검증단계에서 일방향 해쉬 함수를 이용함으로서 기존 프로토콜의 문제점들을 해결하였다. 본 논문에서 제안한 프로토콜은 키 교환 프로토콜에서 요구되는 재전송 공격과 오프라인 패스워드 추측 공격에 강한 특징을 갖고 완전한 전방향 보안(perfect forward secrecy)을 제공한다.
Journal of the Korea Institute of Information Security & Cryptology
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v.18
no.1
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pp.3-10
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2008
Since a number of password-based protocols are using human memorable passwords they are vulnerable to several kinds of password guessing attacks. In this paper, we show that two password-based key exchange and authentication protocols are insecure against off-line password-guessing attacks.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.47
no.3
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pp.7-17
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2010
In this paper, an innovative low-power SRAM based on 4-transistor latch cell is described. The memory cells are composed of two cross-coupled inverters without access transistors. The sources of PMOS transistors are connected to bitlines while the sources of NMOS transistors are connected to wordlines. They are accessed by totally new read and write method which results in low operating power dissipation in the nature. Moreover, the design reduces the leakage current in the memory cells. The proposed SRAM has been demonstrated through 16-kbit test chip fabricated in a 0.18-${\mu}m$ CMOS process. It shows 17.5 ns access at 1.8-V supply while consuming dynamic power of $87.6\;{\mu}W/MHz$ (for read cycle) and $70.2\;{\mu}W/MHz$ (for write cycle). Compared with those of the conventional 6-transistor SRAM, it exhibits the power reduction of 30 % (read) and 42 % (write) respectively. Silicon measurement also confirms that the proposed SRAM achieves nearly 64 % reduction in the total standby power dissipation. This novel SRAM might be effective in realizing low-power embedded memory in future mobile applications.
신뢰할 수 없는 네트워크를 통한 패스워드 기반의 원거리 사용자 인증은 패스워드의 선택범위와 길이가 사용자의 기억력에 제한되는 낮은 안전성 때문에 오프라인 사전공격에 취약하다. 본 논문은 이산 대수 문제 해결의 어려움에 기반한 Diffie-Hellman 키 교환과 블록암호화 알고리듬 및 MAC을 이용하여 패스워드 기반 인증 및 키 협상 프로토콜을 제안한다. 제안된 프로토콜은 오프라인 사전공격을 예방할 수 있으며, 세션키와 패스워드 검증정보가 독립적이므로 공격자에게 패스워드가 노출되더라도 이전 세션의 복호화에 영향을 미치지 않는 전향적 보안성을 제공한다. 또한 세션키의 노출이 패스워드에 대한 정보를 노출시키지 않으며, 암호화 횟수와 메시지 크기를 최소화 하여 효율성을 극대화 하였다. 따라서 웹을 통한 홈뱅킹이나, 모바일 환경이 요구되는 셀룰러 폰에서의 사용자 인증처럼 제3의 신뢰 기관을 이용하지 않는 단순 직접 인증에 적합하다.
최근 네트워크 기술의 급속한 발전과 함께 사람들은 인터넷을 통해 다양한 서비스를 이용할 수 있다. 이러한 인터넷 환경에서 이용되는 기존 패스워드 기반의 사용자 인증은 패스워드 테이블은 요구하게 되고 패스워드 테이블 노출로 발생할 수 있는 위협들이 존재한다. 원격 사용자 인증 방식은 원격 사용자 인증 방식은 사용자의 패스워드 테이블은 요구하지 않는 인증 방식으로 스마트카드를 이용한 원격 사용자 인증에 대한 다양한 연구들이 진행되었다. 하지만, 스마트카드를 이용한 원격 사용자 인증은 통신상의 위협뿐만이 아니라 스마트카드에 저장된 정보를 통해 패스워드 추측의 위협이 발생할 수 있다. 본 연구는 해시 기반의 검증 값을 이용하여 오프라인 상에서 스마트카드에 대한 패스워드 추측 공격으로부터 안전한 방식을 제안하였다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.1
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pp.76-83
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2007
This paper describes a low power ROM using single charge-sharing capacitor and hierarchical bit line (SCSC-ROM). The SCSC-ROM reduces the power consumption in bit lines. It lowers the swing voltage of bit lines to a very small voltage by using a charge-sharing technique with a single capacitor. It implements the capacitor with dummy bit lines to improve noise immunity and make easy to design. The hierarchical bit line further saves the power by reducing the capacitance in bit lines. The SCSC-ROM also reduces the power consumption in control unit and predecoder by using the hierarchical word line decoder. The simulation result shows that the SCSC-ROM with $4K{\times}32bits$consumes only 37% power of a conventional ROM. A SCSC-ROM chip is fabricated in a $0.25{\mu}m$ CMOS process. It consumes 8.2mW at 240MHz with 2.5V.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.7
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pp.532-541
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2003
In a memory, most power is dissipated in high capacitive lines such as predecoder lines, word lines, and bit lines. To reduce the power dissipation in these high capacitive lines, this paper proposes three techniques using charge recycling and charge sharing. One is the charge recycling predecoder (CRPD). The second one is the charge recycling word line decoder (CRWD). The last one is the charge sharing bit line (CSBL) for a ROM. The CRPD and the CRWD recycle the previously used charge in predecoder lines and word lines. Theoretically, the power consumption in predecoder lines and word lines are reduced to a half. The CSBL reduces the swing voltage in the ROM bit lines to very small voltage using a charge sharing technique. the CSBL can significantly reduce the power dissipation in ROM bit lines. The CRPD, the CRWD, and the CSBL consume 82%, 72%, and 64% of the power of previous ROM designs respectively. A charge recycling and charge sharing ROM (CRCS-ROM) with the CRPD, the CRWD, and the CSBL is implemented. A CRCS-ROM with 8K16bits was fabricated in a 0.3${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process. The CRCS-ROM consumes 8.63㎽ at 100MHz with 3.3V. The chip core area is 0.1 $\textrm{mm}^2$.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2003.10a
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pp.763-765
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2003
본 논문에서는 RFC 1760 표준 S/KEY 일회용 패스워드 인증 스킴이 서버 스푸핑 공격 재시도 공격 오프라인 패스워드 공격, 능동적 공격 등 여러 가지 공격에 취약함에 대해서 설명하고 이들 공격에 안전한 스마트 카드를 이용한 새로운 스킴을 제안한다. 본 논문에서 제안한 스킴은 스마트 카드를 이용한 안전한 S/KEY 일회용 패스워드 인증 스킴으로 기존의 S/KEY 일회용 패스워드 인증 스킴의 보안 문제점을 개선하였으며 상호 인증을 가능하게 하는 새로운 스킴으로 여러 가지 안전성 향상을 보인다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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