• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.327.1-327.1
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• 2016

모바일 기기의 폭발적 증가세로 인해 플래시 메모리의 수요가 증가하고 있다. 낸드 플래시 메모리는 적은 전력 소모량과 높은 전기적 효율 때문에 많은 많은 연구가 이루어지고 있다. 반면에 stress-induced leakage current, positive-charge-assisted tunneling, thermally-assisted tunneling 등의 문제로 신뢰성이 저하되는 문제가 발생한다. 프로그램/이레이즈 동작이 반복되면 소자에서 발생하는 에러의 발생비율이 늘어나 신뢰성이 저하되게 된다. 비록 신뢰성 저하 메커니즘에 대한 연구가 많이 이루어졌으나, 워드라인 스트레스에 의한 프로그램 특성 저하에 대한 구체적인 연구가 진행되지 않았다. 본 연구에서는 플래시 메모리의 워드라인 스트레스로 인한 전기적 특성 감소 현상을 보기 위해, 플로팅 게이트의 두께를 변화시키면서, electron density와 depletion region 의 변화를 관찰하였다. 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성을 멀티 오리엔테이션 모델을 포함한 3차원 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 계산하였다. 프로그램/이레이즈 동작이 증가함에 따라, 플로팅 게이트에 공핍영역이 생기고, 블로킹 옥사이드와 게이트 사이에 의도하지 않은 트랩이 생기게 된다. 이로 인해 프로그램/이레이즈 동작이 증가함에 따라, 플로팅 게이트의 electron density가 감소하는 경향을 보았다. 이 연구 결과는 낸드 플래시 메모리 소자에서 신뢰성을 향상시키고 프로그램 특성을 증진시키는데 도움이 된다.

• 한국정보보호학회:학술대회논문집
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• 한국정보보호학회 2003년도 동계학술대회
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• pp.198-204
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• 2003

지금까지 제안된 패스워드를 이용하는 인증 프로토콜은 오프라인 추측 공격이나 패스워드 파일 컴프로마이즈에 대하여 안전하지 않으므로 이에 대한 연구가 요구되고 있다. 본 논문에서는 패스워드를 이용하는 인증 프로토콜인 스키마 PAP(Password based Authentication Protocol)을 적용하여 새로운 인증 프로토콜 PAPRSA를 제안하였다. PAP는 패스워드를 표현하는 많은 값들 중에서 임의로 선택한 한 값을 처리하는 것을 특징으로 한다. PAPRSA는 패스워드를 표현하는 값을 처리하기 위하여 RSA를 이용하는 PAP기반 인중 프로토콜이다. 제안된 PAPRSA는 오프라인 추측 공격과 패스워드 파일 컴프로마이즈를 포함한 공격들로부터 안전하였으며, 패스 수와 계산량을 측정한 결과 효율성 면에서 매우 우수하였다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2002년도 가을 학술발표논문집 Vol.29 No.2 (1)
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• pp.445-447
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• 2002

Lin 등이 제안한 키 교환 프로토콜 및 SAKA 변형 키 교환 프로토콜은 오프라인 패스워드 추측 공격에 대응하지 못했다. 본 논문에서는 기존의 SAKA 변형 키 교환 프로토콜의 취약점을 해결하기 위한 새로운 키 교환 프로토콜을 제안한다. 제안한 프로토콜은 키 검증단계에서 일방향 해쉬 함수를 이용함으로서 기존 프로토콜의 문제점들을 해결하였다. 본 논문에서 제안한 프로토콜은 키 교환 프로토콜에서 요구되는 재전송 공격과 오프라인 패스워드 추측 공격에 강한 특징을 갖고 완전한 전방향 보안(perfect forward secrecy)을 제공한다.

• 정보보호학회논문지
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• 제18권1호
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• pp.3-10
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• 2008

패스워드를 기반으로 하는 사용자 인증 및 키 교환 프로토콜은 사용자들이 쉽게 기억할 수 있는 패스워드를 사용하기 때문에 대부분의 경우에 패스워드 추측공격에 취약하다는 문제점이 있다. 본 논문에서는 동일 서버를 사용하는 두 사용자간의 패스워드 기반 키 교환 프로토콜과 패스워드 기반 인증 프로토콜이 모두 오프라인 패스워드 추측공격에 안전하지 못함을 보인다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권3호
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• pp.7-17
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• 2010

본 논문은 4-트랜지스터 래치 셀을 이용한 저전력향 신개념의 SRAM을 제안한다. 4-트랜지스터 메모리 셀은 종래의 6-트랜지스터 SRAM 셀에서 access 트랜지스터를 제거한 형태로, PMOS 트랜지스터의 소스는 비트라인 쌍에 연결되고 NMOS 트랜지스터의 소스는 두개의 워드라인에 각각 연결된다. 동작시 워드라인에 일정크기의 전압을 인가할 때 비트라인에 흐르는 전류를 감지하여 읽기동작을 수행하고, 비트라인 쌍에 전압차이를 두고 워드라인에 일정크기의 전압을 인가하여 쓰기동작을 수행한다. 이는 공급전압 보다 낮은 소신호 전압으로 워드라인과 비트라인을 구동하여 메모리 셀의 데이터를 저장하고 읽어낼 수 있어서 동작 소비전력이 적다. 아울러 셀 누셀전류 경로의 감소로 인해 대기 소모전력 또한 개선되는 장점이 있다. 0.18-${\mu}m$ CMOS 공정으로 1.8-V, 16-kbit SRAM test chip을 제작하여 제안한 회로기술을 검증하였고, 칩 면적은 $0.2156\;mm^2$이며 access 속도는 17.5 ns 이다. 동일한 환경에서 구현한 종래의 6-트랜지스터 SRAM과 비교하여 읽기동작시 30% 쓰기동작시 42% 동작소비전력이 적고, 대기전력 또한 64% 적게 소비함을 관찰하였다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2001년도 추계학술발표논문집 (하)
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• pp.1041-1044
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• 2001

신뢰할 수 없는 네트워크를 통한 패스워드 기반의 원거리 사용자 인증은 패스워드의 선택범위와 길이가 사용자의 기억력에 제한되는 낮은 안전성 때문에 오프라인 사전공격에 취약하다. 본 논문은 이산 대수 문제 해결의 어려움에 기반한 Diffie-Hellman 키 교환과 블록암호화 알고리듬 및 MAC을 이용하여 패스워드 기반 인증 및 키 협상 프로토콜을 제안한다. 제안된 프로토콜은 오프라인 사전공격을 예방할 수 있으며, 세션키와 패스워드 검증정보가 독립적이므로 공격자에게 패스워드가 노출되더라도 이전 세션의 복호화에 영향을 미치지 않는 전향적 보안성을 제공한다. 또한 세션키의 노출이 패스워드에 대한 정보를 노출시키지 않으며, 암호화 횟수와 메시지 크기를 최소화 하여 효율성을 극대화 하였다. 따라서 웹을 통한 홈뱅킹이나, 모바일 환경이 요구되는 셀룰러 폰에서의 사용자 인증처럼 제3의 신뢰 기관을 이용하지 않는 단순 직접 인증에 적합하다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2013년도 추계학술발표대회
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• pp.691-694
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• 2013

최근 네트워크 기술의 급속한 발전과 함께 사람들은 인터넷을 통해 다양한 서비스를 이용할 수 있다. 이러한 인터넷 환경에서 이용되는 기존 패스워드 기반의 사용자 인증은 패스워드 테이블은 요구하게 되고 패스워드 테이블 노출로 발생할 수 있는 위협들이 존재한다. 원격 사용자 인증 방식은 원격 사용자 인증 방식은 사용자의 패스워드 테이블은 요구하지 않는 인증 방식으로 스마트카드를 이용한 원격 사용자 인증에 대한 다양한 연구들이 진행되었다. 하지만, 스마트카드를 이용한 원격 사용자 인증은 통신상의 위협뿐만이 아니라 스마트카드에 저장된 정보를 통해 패스워드 추측의 위협이 발생할 수 있다. 본 연구는 해시 기반의 검증 값을 이용하여 오프라인 상에서 스마트카드에 대한 패스워드 추측 공격으로부터 안전한 방식을 제안하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권1호
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• pp.76-83
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• 2007

본 논문에서는 한 개의 전하공유 커패시터와 계층적 비트라인을 이용한 저전력 롬을 제안하였다. (single charge-sharing capacitor ROM: SCSC-ROM) 제안된 SCSC-ROM은 전하공유 커패시터와 계층적 비트라인으로 비트라인의 전력소모를 크게 줄였다. 한 개의 전하공유 커패시터를 이용한 전하공유 기법으로 비트라인의 swing 전압을 크게 낮춤으로써 비트라인에서의 전력소모를 줄였다. 이때, 전하공유 커패시터를 dummy 비트라인으로 구현하여 노이즈에 강할 뿐만 아니라 설계를 쉽게 하였다. 계층적 비트라인 기법으로 비트라인의 커패시턴스를 줄임으로써 전력소모를 더욱 줄였다. 또한, 계층적 워드라인 디코더를 제안하여 컨트롤과 프리디코더에서 소모되는 전력을 줄일 수 있었다. 시뮬레이션 결과에서 $4K{\times}32$비트의 SCSC-ROM의 소모전력은 기존의 롬의 37%로 줄었다. 칩은 $0.25{\mu}m$ CMOS 공정으로 제작되었고, 2.5V의 240MHz 동작에서 8.2mW를 소모하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권7호
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• pp.532-541
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• 2003

메모리에서의 대부분의 전력은 프리디코더 라인, 워드 라인, 그리고 비트 라인 등과 같은 커패시턴스가 큰 라인들에서 소모된다. 이 라인들에서의 전력 소모를 줄이기 위하여 전하 재활용과 전하 공유를 사용한 세 가지 기법들이 제안되었다. 이 기법들은 전하 재활용 프리디코더(charge recycling predecoder, CRPD), 전하 재활용 워드 라인 디코더(charge recycling word line decoder, CRWD), 그리고 롬을 위한 전하 공유 비트 라인(charge sharing bit line, CSBL)이다. CRPD와 CRWD는 프리디코더 라인과 워드 라인의 전하를 재활용하여 소모 전력을 반으로 줄여주고, 전하 공유 기법을 사용하는 CSBL은 롬 비트라인의 스윙 전압을 낮춤으로써 소모 전력을 크게 줄여준다. CRPD, CRWD, 그리고 CSBL의 소모 전력은 기존의 82%, 72%, 그리고 64%이다. 제안된 세 가지 기법들을 사용하는 전하 재활용 전하 공유 롬(charge recycling and charge sharing ROM, CRCS-ROM)이 0.35㎛ CMOS공정으로 제작되었다. 제작된 8K×16비트 CRCS-ROM의 코어 크기는 0.51㎟이고 3.3V 전원과 100㎒ 동작 주파수에서 8.63㎽ 을 소모하였다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2003년도 가을 학술발표논문집 Vol.30 No.2 (1)
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• pp.763-765
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• 2003

본 논문에서는 RFC 1760 표준 S/KEY 일회용 패스워드 인증 스킴이 서버 스푸핑 공격 재시도 공격 오프라인 패스워드 공격, 능동적 공격 등 여러 가지 공격에 취약함에 대해서 설명하고 이들 공격에 안전한 스마트 카드를 이용한 새로운 스킴을 제안한다. 본 논문에서 제안한 스킴은 스마트 카드를 이용한 안전한 S/KEY 일회용 패스워드 인증 스킴으로 기존의 S/KEY 일회용 패스워드 인증 스킴의 보안 문제점을 개선하였으며 상호 인증을 가능하게 하는 새로운 스킴으로 여러 가지 안전성 향상을 보인다.