Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2012.05a
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pp.112.2-112.2
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2012
고투과도, 고전도성을 갖는 탄소나노튜브 기반의 투명 전도성 필름은 분산조건의 최적화에 의해 제조하였다. 탄소나노튜브간의 응집현상은 탄소나노튜브간의 접촉저항의 증가를 야기하여 탄소나노튜브가 갖고 있는 고유의 우수한 전기적 특성을 감소시킨다. 이에 대해 본 연구에서는 분산제 농도, 분산 시간, 기판 표면처리에 따른 특성 변화 및 이에 따른 탄소나노튜브간의 응집이 최소화된 용액을 제조하였다. 또한, 이를 기반으로 연속공정이 가능한 탄소나노튜브 용액을 제조하고 평가하였다.
Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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1999.04a
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pp.101-104
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1999
PEFE, Asypore, PC, Nylon 등의 정밀여과막에 0.1내지 4$\mu\textrm{m}$의 입자분포를 가진 kaolin 용액을 dead-end 형 여과장치(Amicon Cell, 8050)를 이용하여 투과실험을 하였다. 또한 공칭세공이 0.2$\mu\textrm{m}$ 인 PTFE(Sartorius 사) 막에 kaolin, bentonite, yeast, starch 등 입자의 크기 및 특성이 다른 0.1%의 용액들을 1 bar 의 운전압력과 200rpm의 회전속도로 투과실험을 하였다. 투과 실험한 자료를 근거로 저항모델을 적용하여 분석하였으며 순수 하락도와 액체전이법으로 세공분포를 확인하였다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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1990.02a
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pp.150-153
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1990
Nitrobenzene과 Isooctane 임계혼합용액의 정전기장에 의한 유도복굴절을 임계점 근처에서 Oc-Kerr 효과로 관측하여 Kerr 상수가 발산하는 임계특성을 알아 보았다. 그리고 여기서 Kerr 상수에 대한 임계지수와 복굴절의 오름시간에 관계되는 임계지수를 결정하였다. 또한 복굴절 신호를 살펴본 결과 연속적인 정전기장의 펄스에 대해 기억효과가 있음을 보았다.
Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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v.38
no.11
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pp.627-634
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2016
We investigated the characteristics of heavy metal desorption and recovery from carbon foam after plating wastewater treatment. The heavy metal desorption depends on solution chemistry because desorption occurred in HCl and $H_2SO_4 $ solution but did not occur in distilled water. Heavy metal desorption efficiency was increased using ultrasonication with desorption solution. The higher ultrasonic power and the longer reaction time improve efficiency. The copper plating rinse solution was treated reliably by carbon foam adsorbent during 200 bed volume. The adsorbed copper was dissolved using desorption solution and recovered by DC power supply. After copper recovery, the reuse efficiency of desorption solution was 84.2%.
In this study, we prepared a Na$_2$Se/NH$_4$OH solution to investigate a passivation effect of Se on GaAs surface. X-ray photoelectron spectroscopy and photoluminescence (PL) were used to analyse the surface chemical bonding states and the optical properties of GaAs after Se-treatment and a successive exposure to air, respcetively. It was observed that all of the observed selenium bound with arsenic to form As-Se bond and showed only one oxidation state as -2. PL intensity of Se-passivated surface was larger than that of HCI-cleaned surface, and this means that the effective reduction of surface state density of GaAs was successfully obtained by this treatment. However the existence of partial oxide on the Se-passivated surface was seemed to be a major cause to the degradation of Se passivation effcet. PL intensity of Se-passivated surface also decreased according to air-exposure and converged to that of HCI-cleaned surface.
Solvent extraction behaviors of iron(III) from chloride solution at high ionic strength condition between Alamine336 and TBP were compared by using MaCabe-Thiele diagram. Extraction isotherms of iron by the two extractants were obtained by calculating the equilibrium concentrations of iron in both phases from the initial extraction conditions. In calculating the equilibrium concentration of iron, chemical equilibria in the aqueous phase and mass balance together with the solvent extraction reaction were considered. MaCabe-Thiele diagram of iron by 1M Alamine336 indicated that two extraction stages could lead to complete extraction of 0.5M iron from 3M HCl solution at an A/O ratio of 6/5. The extraction power of 1M Alamine336 was found to be the same as 2-3M TBP. MaCabe-Thiele diagram together with the physical properties of the two extractants indicated that Alamine336 is superior to TBP in extracting ferric iron from chloride solution.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.3
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pp.9-14
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2004
In this study, Si anisotropic etching characteristics of tetramethylammonium hydroxide (TMAH)/ ammonium persulfate(AP)/isopropyl alcohol(IPA) solutions were investigated to realize the optimum structure of a diaphragm for the piezoresistive pressure sensor application. Due to its low toxicity and its high compatibility with the CMOS processing, TMAH was used as Si anisotropic etchants. The variations of Si etch rate on the etching temperature, TMAH concentration, and etching time were obtained. With increasing the etching temperature and decreasing TMAH concentrations, the Si etch rate is increased while a significant non-unifonnity exists on the etched surface because of formation of hillocks on the (100) surface. The addition of IPA to TMAH solution leads to smoother etched surfaces but, makes the Si etch rate lower. However, with the addition of AP to TMAH solution, the Si etch rate is increased and an improvement in flatness on the etching front is observed. The Si etch rate is also maximized with increasing the number of addition of AP to TMAH solution per one hour. The Si square membranes of 20${\mu}{\textrm}{m}$ thickness and l00-400${\mu}{\textrm}{m}$ one-side length were fabricated successfully by applying optimum Si etching conditions of TMAH/AP solutions.
The effect of the addition of a polyvinylchloride (PVC) non-solvent to a PVC-tetrahydrofuran (THF) solution on the surface properties of the PVC thin film was analyzed. The non-solvents used were composed of alcohol-based and non-alcoholic ones. Surface morphologies of PVC thin films according to the addition of the non-solvent were compared. In addition, the hydrophobic properties relying on the surface characteristics were compared. The micro-bubbles generated in the preparation of PVC-THF solution affected the surface morphology of the thin film. In order to implement the normal surface physical properties of the coating thin film at the relatively high concentration of PVC-THF solution, the selection of appropriate drying method was required. When an alcohol-based non-solvent was added, a PVC thin film having a granular porous surface was obtained and exhibited super hydrophobic properties. The volume ratio of the PVC-THF solution to the non-solvent affects the surface shape of the coating thin film. The larger the amount of non-solvent was added, the more advantageous it was to form a super hydrophobic PVC thin film.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.438-438
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2012
은(Ag) 또는 금(Au) 입자를 촉매로 이용하여 습식식각을 통해 선택적으로 짧은 시간동안 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 텍스쳐링하여 반사방지막 특성을 효과적으로 얻을 수 있다. 일반적으로 금속입자는 주로 금속 이온이 포함된 용액이나, 전기증착법을 통해서 실리콘 웨이퍼 표면에 형성시켰지만, 금속입자의 크기와 분포를 조절하기 어려웠다. 하지만, 최근 진공장비를 이용하여 열증발증착법(thermal evaporation)과 급속열처리법(rapid thermal annealing)을 통해서 금속입자를 대면적으로 크기와 분포를 균일하게 조절할 수 있다. 이러한 현상은 열적 비젖음(thermal dewetting) 현상에 의해 실리콘 표면위에 증착된 금속 박막으로부터 나노입자로 형성할 수 있다. 본 연구에서는 실리콘 (100)기판위에 다양한 크기의 은 또는 금 나노입자를 형성시켜 식각용액에 짧은 시간동안 담그어 식각하여, 텍스쳐링 효과와 반사방지(antireflection) 특성을 분석하였다. 실험을 위해 각각 은 또는 금 박막을 열증발증착법을 이용하여 ~3-8 nm의 두께로 형성시켰으며, 급속가열장치를 이용하여 $500^{\circ}C$에서 5분 동안 열처리하였다. 그리고 탈이온수(de-ionized water)에 불화수소와 과산화수소가 혼합된 식각용액에 1-5분 동안 습식식각을 하였다. 각각의 텍스쳐링 된 샘플의 식각의 상태와 깊이를 관찰하기 위해 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM)을 이용하여 측정하였으며, UV-vis-NIR spectrophotometer를 이용하여 300 nm에서 1,200 nm의 반사특성을 분석하였다. 또한 RCWA (rigorous coupled wave analysis) 시뮬레이션을 이용하여 텍스쳐링 된 기하학적구조에 대하여 반사방지막 특성을 이론적으로 분석하였다.
Park, Sang-Hyun;Lee, Dong-Yun;Kang, Hye-Young;Park, Jae-Chul;Kwon, Young-Soo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.05a
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pp.63-64
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2006
본 연구에서는 광에너지를 화학적인 에너지로 변환할 때, 디바이스의 전하전달 매개를 위한 electron transfer mediator로서 널리 이용되는 Viologen이 자기조립화된 수정진동자률 전기화학법의 하나인 순환전압전류법(Cyclic Voltammetry)을 이용하여 산화 환원 반응 (redox reaction) 특성과 주사속도와 피크전류와의 상관관계를 분석하였다. 먼저 수정진동자를 친수 처리한 후, 메탄올 용액과 아세토니트릴 용액을 섞은 용매에 Viologen 분자를 자기조립 (self-assembly)하여, 전해질 용액의 농도 변화에 따른 산화 환원반응 특성과 피크전류의 값을 측정하였다 주사 속도를 2 배씩 증가하여 피크전류와의 상관관계를 조사한 결과, 선형적인 증가를 보였으며, 이를 통해 가역적인 반응(reversible reaction)이 일어났음을 확인할 수 있었다. 또한, 산화 환원 반응과 동시에 측정된 수정진동자의 공진 주파수(resonant frequency) 변화로부터 전하이동(charge transfer) 특성에 의해 반응에 참가한 이온의 질량을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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