• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.4 no.1
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• pp.27-32
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• 1987

제2장에서 선형타성체에 대한 파괴역학의 일반적인 개념을 약술하였다. 즉 응력확대계수(K) 와 응력집중계수($1_{4}$)의 차이, 에너지 해방율(1$\sub$y)및 $_{4}$와 K의 관계를 이론적으로 살펴보았다. 물론 식(2-35) 및 (2-36) 등은 균열전파 경로가 직선이 아닌 경우에 적용한다는 것은 무리가 있으나 전체적인 이해를 돕기위해서 앞에서와 같이 기술하였다. 세가지 경우의 응력확대 계수 $_{4}$, $_{4}$및 $_{4}$는 하중과 균열의 크기 및 시편의 크기 또는 균열이나 결함을 포함 하고 있는 기계요소 및 구조물의 기하학적인 형상에 관련이 되어져서 결정이 된다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 1998.10a
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• pp.44-47
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• 1998

나눗셈 알고리즘은 다른 덧셈이나 곱셈 알고리즘과 비교하여 복잡하고, 수행빈도수 적다는 이류로 그 동안 고속 나눗셈의 하드웨어 연구는 활발하지 않았다. 그러나 멀티미디어의 발전으로 고속 나눗셈의 필요성 및 전체적인 수행 시간 향상을 위해 고속 나눗셈 연산기의 중요성은 더욱 부각되고 있다. 그러나 칩의 크기는 제작 단가와 깊은 관련이 있기 때문에 고속 나눗셈 연산기를 칩으로 제작할 때 요구되는 성능과 비용을 만족하기 위한 적절한 분석이 필요하다. 본 논문은 자릿수 순환(Digt Recurrence) 알고리즘에서 속도가 빠른 높은 자릿수 이용(Very-High Radix) 알고리즘을 기반으로 최적화된 자릿수 (Radix) 범위를 제시하였다. 그리고 변환요소 (Scaling Factor)를 전처리(Pre-processing)하여 연산의 주기를 감소하고, 크기의 문제를 해결하기 위해서 상수표 대신 제어(Control)방법으로 값을 구하는 방법을 설계하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• v.19 no.3
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• pp.77-85
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• 1991

은행나무 지재(枝材)에 발달(發達)하여 있는 압축이상재(壓縮異常材)와 대응재(對應材)의 해부학적(解剖學的) 특성(特性) 차이(差異)를 조직(組織) 및 그 구성요소(構成要素)의 크기 면에서 서로 검토(檢討) 비교(比較)하였다. 조직적(組織的)인 특성(特性)으로는 압축이상재(壓縮異常材)가 연륜폭(年輪幅), 횡단면상(橫斷面上) 가도관(假導官) 형상(形狀) 및 방사조직(放射組織) 비례상태(比例狀態), 세포간극(細胞間隙), 가도관(假導官) 선단(先端)의 굴곡(屈曲), 나선열(螺旋裂) 및 접선단면상(接線斷面上)의 방사조직(放射組織) 형상(形狀) 면에서 대응재(對應材)와 차이(差異)를 나타냈으며 구성요소(構成要素)의 크기에 있어서는 가도관(假導官)의 벽후(壁厚) 및 접선직경(接線直徑), 단열(單列) 방사조직(放射組織)의 높이, 이열방사조직(二列放射組織)의 수(數) 및 방사조직(放射組織) 밀도(密度) 면에서 압축이상재(壓縮異常材)가 대응재(對應材)와 차이(差異)를 나타내는 것으로 여겨졌다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.20 no.5 s.95
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• pp.28-45
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• 2005

무어의 법칙을 근간으로 하는 전계효과 트랜지스터는 매 18개월마다 0.7배씩의 성공적인 소형화를 거듭하여 최근에는 50nm 크기로 구성된 약 1억 개의 트랜지스터가 집적된 칩을 생산하고 있다. 그러나 트랜지스터의 크기가 50nm 이하로 줄어들면서는 단순한 소형화 과정은 근본적인 물리적인 한계에 접근하게 되었다. 특히 게이트 절연막의최소 두께는 트랜지스터의 소형화에 가장 직접적인 중요한 요소이나, 실리콘 산화막의 두께가 2nm 이하가 되면서 게이트 절연막을 집적 터널링하는 전자에 의한 누설전류의 급격한 증가로 인하여 그 사용이 어려워지고 있는 추세이다. 따라서 본 논문에서는 트랜지스터의 소형화에 악영향을 미치는 물리적인 한계요소에 대하여 살펴보고, 이러한 소형화의 한계를 뛰어넘기 위한 노력의 일환으로 연구되고 있는 이중게이트 구조의 트랜지스터, 쇼트키 트랜지스터, 나노선을 이용한 트랜지스터 및 분자소자 등의 새로운 소자구도에 대하여 살펴보고자 한다.

• Computational Structural Engineering
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• v.8 no.4
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• pp.65-74
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• 1995

Direct method developed for the inelastic analysis of planar frames subjected to monotonic loads is extended to cyclic loads. Two frame elements for Direct Method(inelastic truss and inelastic beam) are developed. The accuracy and reliability of the preposed method is verified by comparing the analysis results of example with step-by-step analysis. Direct Method is superior to Step-by-step analysis in view of reliability of solution and analysis cost.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10c
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• pp.80-82
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• 2008

고전압 가스차단기용 조작기로 개발된 전자석 조작기(EMFA)는 크기에 비해 큰 힘을 낼 수 있고 긴 스트로크를 갖는 장점으로 다양한 차단기에 적용이 시도되고 있다. 특히 기증차단기(ACB)와 배선용 차단기(MCCB) 등 저압 차단기를 구동하기 위한 연구가 진행중이다. 그러나 적용할 차단기의 전압 등급이 낮아짐에 따라 조작기의 크기 또한 작아져야 하며, 설계 및 해석시 고려해야 할 요소 또한 달라진다. 특히 조작기의 두께가 얇아지면서 코일의 엔드와인딩(end-winding)에 의한 영향이 상대적으로 커지게 되는데, 본 논문에서는 전자석 조작기의 동작 특성 해석시 엔드와인딩 인덕턴스를 고려한 2차원 해석을 시도하였다. 엔드와인딩 형상은 원형으로 가정하였고, 동작 특성 해석에는 유한요소법과 시간차분법을 적용하였다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.15 no.10
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• pp.128-139
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• 1998

In this paper, a finite element method for predicting the temperature and stress distributions in micro-machining is presented. The work material is oxygen-free-high-conductivity copper(OFHC copper) and its flow stress is taken as a function of strain, strain rate and temperature in order to reflect realistic behavior in machining process. From the simulation, a lot of information on the micro-machining process can be obtained; cutting force, cutting temperature, chip shape, distributions of temperature and stress, etc. The calculated cutting force was found to agree with the experiment result with the consideration of friction characteristics on chip-tool contact region. Because of considering the tool edge radius, this cutting model using the finite element method can analyze the micro-machining with the very small depth of cut, almost the same size of tool edge radius, and can observe the 'size effect' characteristic. Also the effects of temperature and friction on micro-machining were investigated.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.8 no.3
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• pp.25-30
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• 2001

The stress intensity factors for edge cracks located at the bonding interface between the semiconductor chip and the adhesive layer subjected to a uniform transverse tensile strain are investigated. Such cracks might be generated due to a stress singularity in the vicinity of the free surface. The boundary element method (BEM) is employed to investigate the behavior of interface stresses. The amplitude of complex stress intensity factor depends on the crack length, but it has a constant value at large crack lengths. The rapid propagation of interface crack is expected if the transverse tensile strain reaches a critical value.

• Proceedings of the Earthquake Engineering Society of Korea Conference
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• 1999.04a
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• pp.27-31
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• 1999

진도의 거리에 따른 감쇠양상은 두가치 측면에서 중요하다. 첫째는 역사지진의 크기를 평가하는데 사용되고 둘째는 역사지진자료를 이용하여 지진위험도를 평가하는데 이용된다. 한반도의 경우 대부분의 지진활동 자료가 역사지진이므로 이지진들의 크기를 결정하고 이들을 이용하여 지진위험도를 평가하기 위하여 합리적인 진도감쇠양상의 결정은 매우 중요한 과제라 할수 있다 진도의 감쇠양상은 진앙진도와 진앙거리 등 두요소에 같이 의존함이 알려져 있으므로 한반도에서 MMI VIII만의 지진자료를 이용하여 결정된 Lee의 기존의 감쇠공식은 그 사용범위에 한계가 불가피하므로 상기 두 가지 요소를 함께 고려한 새로운 감쇠공식의 유도가 요구되어진다. 지체구조적으로 Sino-Korean 지괴라고 불리우는 중국 북동부와 한반도에서 발생한 MMI VIII-X 지진들의 자료를 이용하여 한반도에서 발생하는 MMI VIII-X의 강진들에 대한 새로운 진도감쇠양상을 결정하였다.

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.14 no.3
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• pp.309-315
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• 2001

The Stress intensity factors for edge cracks located at the bonding interface between the elastic semiconductor chip and the viscoelastic adhesive layer have been investigated. Such cracks might be generated due to stress singularity in the vicinity of the free surface. The domain boundary element method(BEM) has been employed to investigate the behavior of interface stresses. The overall stress intensity factor for the case of a small interfacial edge crack has been computed. The magnitude of stress intensity factors decrease with time due to viscoelastic relaxation.