• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.4
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• pp.96-106
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• 2012

차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭($E_g=3.4eV$)과 고온($700^{\circ}C$) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.65-66
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• 2006

AIGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistors, HEMTs)는 와이드 밴드-갭과 높은 항복 전계 및 우수한 채널 특성으로 인해 마이크로파 응용분야와 전력용 반도체에서 각광받고 있다. 최근, 전력 응용분야에서 요구되는 높은 항복 전압과 출력, 우수한 주파수 특성을 획득하기 인해 이중 게이트 AIGaN/GaN HEHTs에 관한 연구가 발표되고 있다. 본 논문에서는 AIGaN/GaN HEMTs에 이중 게이트를 적용하여, 두 개의 게이트와 드레인, 소스의 누설 전류를 각각 측정하여 이중 게이트 AIGaN/GaN HEMTS의 누설 전류 메커니즘을 분석하였다. 또한 제안된 소자의 $SiO_2$ 패시베이션 전 후의 누설 전류 특성을 비교하였다. $SiO_2 $ 패시베이션되지 않은 소자의 누설 전류는 드레인, 소스와 추가 게이트로부터 주 게이트로 흐른 반면, 패시베이션 된 소자 누설 전류는 드레인으로부터 주 게이트 방향의 누설 전류만 존재하였다. $SiO_2$ 패시베이션 된 소자의 누설 전류는 (87.31 nA ) 패시베이션 되지 않은 소자의 누설 전류 ( $8.54{\mu}A$ )에 비해 의게 감소하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.14 no.4
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• pp.277-282
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• 2010

In this paper, we proposed ZnO trench Static Induction Transistor(SIT). Because The compound semiconductor had superior thermal characteristics, ZnO and SiC power devices is next generation power semiconductor devices. We carried out modeling of ZnO SIT with 2-D device and process simulator. As a result of modeling, we obtained 340V breakdown voltage. The channel thickness was 3um and the channel doping concentration is 1e17cm-3. And we carried out thermal characteristics, too.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.278-278
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• 2010

3.37 eV의 와이드 밴드갭과 60 mV의 높은 엑시톤 결합에너지를 갖는 반도체인 ZnO는 화학 및 열적 안정성, 압전특성 등 다양한 특성을 갖는 물질로써, 수열합성법을 이용하여 길이 $1.5{\mu}m$, 직경 100nm의 n-type ZnO 나노와이어를 성장시켰으며, P3HT는 유기 태양전지에서 가장 많이 사용되는 고분자 도너로써 열처리를 통하여 결정화 됨에 따라, 엑시톤의 확산속도나 전하의 이동도가 증가하여 더 많은 광전류를 생성하는 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 ZnO 필름이 아닌 n-type ZnO 나노와이어와 Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)를 사용 하여 ZnO/P3HT 이종접합 태양전지를 제작하였다. 기판으로 글래스, 전극으로 ITO (Indium Tin Oxide), 나노와이어의 씨앗층으로 ZnO:Al를 스퍼터로 100nm 증착 하였다. Znc nitrate hydrate와 hexamethylenetetramine이 혼합된 수용액에서 기판을 담그고 n-type ZnO 나노와이어 성장 시키고, P3HT의 스핀 코팅조건과 열처리 온도를 변화시켜 P3HT의 두께와 결정화도가 ZnO/P3HT 이종접합 태양전지에 미치는 영향을 비교 분석 하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.22 no.2
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• pp.427-431
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• 2018

This research was worked about $Ga_2O_3$ Epi wafer that was one of the mose wide band gap semiconductors to be used power semiconductor industry. This wafer was grown $5.3{\mu}m$ thickness on Sn doped $Ga_2O_3$ Substrate by HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy). Generally, we can fabricate 600V class power semiconductor devices when the thickness of compoound power semiconductor is $5{\mu}m$. but in case of $Ga_2O_3$ Epi wafer, we can obtain over 1000V class. As a result of J-V measurment of the grown $Ga_2O_3$ Epi wafer, we obtain $2.9-7.7m{\Omega}{\cdot}cm^2$ on resistance. Specially, in case of reverse, we comfirmed a little leakage current when the reverse voltage is over 200V.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.32 no.4
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• pp.121-127
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• 2022

β-Gallium oxide (Ga₂O₃), an ultra-wide bandgap semiconductor, has attracted great attention due to its promising applications for high voltage power devices. The most stable phase among five different polytypes, β-Ga₂O₃ has the wider bandgap of 4.9 eV and higher breakdown electric field of 8 MV/cm. Furthermore, it can be grown from melt source, implying higher growth rate and lower fabrication cost than other wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN and diamond for the power device applications. In this study, β-Ga₂O₃ bulk crystals were grown by the edge-defined film-fed growth (EFG) process. The growth direction and the principal surface were set to be the [010] direction and the (100) plane of the β-Ga₂O₃ crystal, respectively. The spectra measured by Raman an alysis could exhibit the crystal phase an d impurity dopin g in the β-Ga₂O₃ ingot, and the crystallinity quality and crystal direction were analyzed using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The crystal quality and various properties of as-grown β-Ga₂O₃ ribbon was systematically analyzed in order to investigate the spatial variation in entire crystal grown by EFG method.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.53 no.7
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• pp.11-16
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• 2016

Silicon carbide (SiC) has received significant attention over the past decade because of its high-voltage, high-frequency and high-thermal reliability in devices compared to silicon. Especially, a SiC Schottky barrier diode (SBD) is most often used in low-voltage switching and low on-resistance power applications. However, electric field crowding at the contact edge of SBDs induces early breakdown and limits their performance. To overcome this problem, several edge termination techniques have been proposed. This paper proposes an improvement in the breakdown voltage using a double-field-plate structure in SiC SBDs, and we design, simulate, fabricate, and characterize the proposed structure. The measurement results of the proposed structure, demonstrate that the breakdown voltage can be improved by 38% while maintaining its forward characteristics without any change in the size of the anode contact junction region.