• Title/Summary/Keyword: 와구조

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Design of 850 nm Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers by Using a Transfer Matrix Method (전달 행렬 방법을 이용한 850 nm수직 공진기 레이저 구조의 최적설계)

  • Kim Tae-Yong;Kim Sang-Bae
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.41 no.1
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    • pp.35-46
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    • 2004

  • In comparison with edge-emitting lasers(EELs), predicting the output power and slope efficiency of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers(VCSELs) is very difficult due to the absorption loss in DBR layers. However, by using transfer matrix method(TMM), we've made possible to calculate such parameters of multi-layer structures like VCSELs. In this paper, we've calculated the threshold gain, threshold current and slope efficiency through the methodology based on TMM. Also TMM is the way of customizing the VCSEL structure for the desired threshold current and slope efficiency by changing the number of DBR mirror layers.

  • PDF KSCI

Design Optimization for High Efficiency Distributed Bragg Reflectors through Simulation Methodology (시뮬레이션을 이용한 고효율 분산 브래그 반사경 최적화 설계 및 특성)

  • Kim, Kwan-Do
    • Journal of IKEEE
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    • v.22 no.1
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    • pp.189-192
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    • 2018

  • This study focused on the development of simulation methodology and design optimization for the DBR(Distributed Bragg Reflectors) structures, which are commonly used in manufacturing optical films and the key components of LED chip and LCD inspection equipments. From the multi-layer simulation, the following results are obtained. First, the wavelength(nm) vs. reflectance(%) can be calculated in the DBR structures that $TiO_2$ and $SiO_2$ thin films are stacked alternately. As a results, it is suggested that highly efficient DBR structures can be designed and manufactured using simulation methodology.

  • https://doi.org/10.7471/ikeee.2018.22.1.189 인용 PDF KSCI

In-Situ Synthesis of $\textrm{Si}_{3}\textrm{N}_{4}$-AIN Ceramic Composites ($\textrm{Si}_{3}\textrm{N}_{4}$-AIN 복합세라믹스의 In-Situ합성)

  • Lee, Byeong-Taek;Kim, Hae-Du;Heo, Seok-Hwan;Lee, Chan-Gyu
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.8 no.1
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    • pp.27-32
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    • 1998

  • In-Sit반응소결에의해 Si과 AI금속분말을 이용하여 Si$_{3}$N$_{4}$-AIN 복합세라믹스를 합성하였다. 합성된 Si$_{3}$N$_{4}$-AIN복합세라믹스의 미세조직과 결정구조를 해석하기 위해, OM, TEM, XRD및 EDX를 이용하였으며, Si$_{3}$N$_{4}$-AIN -20wt.%AIN복합세라믹스에서 Si의 질화율은 97%로 가장 높았다. Si$_{3}$N$_{4}$-AIN 복합세라믹스에서 Si의 질화율은 AI첨가량 증가에 따라 감소하였다. 대부분의 AI입자들은 다결정 AI입자들은 다결정 AIN(4-H구조)로 완전질화되었으며, 따라서 잔류 AI상은 반응소결체내에서 관찰되지 않았다. Si$_{3}$N$_{4}$의 결정구조는 $\alpha$와 $\beta$구조가 혼재된 상태이며, 잔류 Si입자내에서는 미소균열 및 전위가 관찰되었다. AI/Si$_{3}$N$_{4}$와 Si$_{3}$N$_{4}$ 두계면에서 이들은 거친 형상을 보이지만, 계면반응상은 관찰되지 않았다.

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산업구조(産業構造)의 고도화(高度化)와 중소기업(中小企業)의 기술개발(技術開發)

  • Park, Jun-Gyeong
    • KDI Journal of Economic Policy
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    • v.9 no.2
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    • pp.135-166
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    • 1987

  • 본고(本稿)에서는 기술도입(技術導入)과 도입기술(導入技術)의 소화(消化) 개량(改良)을 통하여 비교우위영역(比較優位領域)을 단계적으로 고위기술분야(高位技術分野)로 확장(擴張)하면서 자주적(自主的) 기술개발력(技術開發力)을 배양하여 가는 선발개도국(先發開途國)의 산업기술발전과정(産業技術發展過程)에서 중소기업이 분담하는 기술분야(技術分野), 중소기업의 기술개발(技術開發)이 지니는 특성(特性) 및 중소기업의 기술개발(技術開發)에 영향을 미치는 환경요인(環境要因)을 동태적(動態的) 변화과정(變化過程)의 이해(理解)에 중점을 두고 정리하였다. 경제(經濟)의 개방화(開放化) 국제화(國際化)가 진전됨에 따라 중소기업부문(中小企業部門)에서도 국제분업(國際分業)을 지향하는 적극적인 구조조정(構造調整)이 불가피하다. 구조조정(構造調整)의 원활한 진행을 위한 중소기업정책(中小企業政策)의 형성(形成) 운용(運用)은 산업전반(産業全般)의 기술집약화(技術集約化)와 유기적 관련을 갖고 진행되는 중소기업부문(中小企業部門)의 고도화과정(高度化過程)에 대한 이해에 바탕을 두어야 할 것이다. 동태적(動態的) 변화과정(變化過程)의 기본적(基本的) 성격(性格)이 제시하는 중소기업정책(中小企業政策)의 기본방향은 산업 전반의 기술집약화(技術集約化)에 따르는 기술수요(技術需要)의 변화(變化)에 대응하여 개별중소기업(個別中小企業)들이 경영관리능력과 기술개발능력을 강화하려는 노력을 자극하고 지원하기 위한 합리적(合理的) 경쟁질서(競爭秩序)의 확립(確立) 및 산업하부구조(産業下部構造)의 확충(擴充)과 환경변화(環境變化)에 따라 중소기업부문(中小企業部門)의 생산자원(生産資源)이 창업(創業) 폐업(廢業) 사업전환(事業轉換)을 통하여 원활히 재조직되도록 하는 제도(制度) 시책(施策) 관행(慣行)의 개선(改善)에 있다.

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