• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 1999.06a
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• pp.249-252
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• 1999

전도성 충진제가 포함된 결정성 고분자내에 대전류가 흐르게 될 경우 Joule 효과로 소재자체의 발열현상이 발생하며 온도가 증가함에 따라 고분자의 용융점 부근에서 급격한 열팽창으로 인하여 고분자 내에 분포되어 있던 전도성 충진재 입자사이의 간격이 증가하게 되며 전자들의 흐름이 방해를 받게 된다. 이에 따라 전기저항이 커져 전류의 흐름이 감소되는 철상이 발생하며 이를 PTC(Positive Temperature Coefficient)라 하고 온도 증감에 따른 전도성 충진제 간의 electron tunnelling과 고분자의 결정변화에 의해 민감한 전기저항변화 특성을 나타낸다. (중략)

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.14 no.4
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• pp.866-872
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• 1990

본 연구에서는 전보의 $J_{IC}$ 시험법 기교에 이어, 전기저항 가열로(splic furnace)와 고온용 신장계(high temperatuer extensometer)를 이용하여, 고온에서의 $J_{IC}$ 측정의 가능성을 검토하였으며, 고온용 신장계를 사용할 때와 COD게이지를 사용할 때의 $J_{IC}$값의 차이를 비교 검토하였다. 또한, 20.deg. C~600.deg. C에서, 온도 변화가 $J_{IC}$값에 미치는 영향에 대하여 고찰하여 보았다.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.41 no.6
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• pp.661-672
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• 1992

In this study, the 154kV 800 MVA cryogenic resistive cable and its power transmission system were designed and built in a purpose of suggestion a plan using high density and large power transportation systems in practice to solve the recent increase in demands of electrical energy. Cryogenic resistive cable uses the benefits of increasing the conductivity of matals in LNS12T. We describe the details of designs of cryogenic resistive cable consisting of main part in this system.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.1
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• pp.45-50
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• 1998

Platinum-Cobalt alloy thin films were deposited on $Al_{2}O_{3}$ substrate by magnetron cosputtering for RTD temperature sensors. We made Pt-Co alloy resistance patterns on the $Al_{2}O_{3}$ substrate by lift-off method and investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions, the input power, working vacuum, annealing temperature and time, and also after annealing these films. The resistivity and sheet resistivity of these films were decreased with increasing the annealing temperature. At input power of Pt : $4.4\;W/cm^{2}$, Co : $6.91\;W/cm^{2}$, working vacuum of 10 mTorr and annealing conditions of $800^{\circ}C$ and 60 min, the resistivity and sheet resistivity of Pt-Co thin films was $15{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ and $0.5{\Omega}/{\square}$, respectively and the TCR value of Pt-Co alloy thin films with thickness of $3000{\AA}$ were $3740ppm/^{\circ}C$ in the temperature range of $25{\sim}600^{\circ}C$. These results indicate that Pt-Co alloy thin films have potentiality for the RTD temperature sensors.

• Geophysics and Geophysical Exploration
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• v.13 no.4
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• pp.378-387
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• 2010

We present the results of laboratory measurement of porosity and electrical resistivity for the samples collected near marine hydrothermal deposit to provide fundamental perspective of physical properties for future electromagnetic survey. The rock cores are sampled from the host rock, pumice, hydrothermal altered zone, and chimney. These samples are featured as easily brittle, rough surface with large pores, having components easily solvable in the water. We suggest systematic approach for measuring weights, volumes of core samples to calculate density and porosity. Measurements reveal that the resistivities of black host rock, gray host rock, pumice and chimney are 102, 39, 11, 0.1 ohm-m, respectively, when the core samples are saturated with saline water of $32,000\;{\mu}S$/cm (0.5 ohm-m) at temperature of $2.5^{\circ}C$ and these correspond to the factors of 5 for sea water, 110 for pumice and 390~1020 for host rocks with respect to the resistivity of chimney. We also confirm that resistivity of rock samples saturated with water decrease with temperature linearly over the temperature range of $20{\sim}80^{\circ}C$.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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• v.43 no.5 s.311
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• pp.60-67
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• 2006

Thermal analysis and prediction of electronic components is required to predict and optimize the reliability of onboard electronic unit employed in space vehicles. This paper introduces a methodology on thermal prediction that uses isothermal PCB model, thermal force model, thermal resistance matrix and superposition principle to calculate electronic devices temperatures undergoing thermal conduction environment. An example is Presented including a prediction result by this method and simulation results performed by commercial program.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.218-218
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• 2010

본 연구에서는 투명 전극 대체 물질로써 유망한 ZnO의 전기적 특성 향상을 위하여 IV족 원소인 Si을 1, 3, 5 wt% 첨가하여 SZO 박막을 제작하여 dopant의 앙, 온도 변화에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성을 분석하였다. Rf-magnetron sputtering system을 이용하여 slide glass위에 증착 하였으며 $100{\sim}500^{\circ}C$ 온도 변화를 주었다. 결정성 분석을 위한 XRD 분석 결과 온도 증가에 따라 (002) peak의 세기가 증가하며, Si 첨가량과 관계없이 동일한 2 theta에서 peak가 관측되었다. 미세 구조 분석 결과 입자 크기 또한 온도 증가에 따라 증가함을 확인하였으며, 박막 두께는 대략 300nm로 확인하였다. 모든 SZO 박막은 가시광선 영역에서 80% 이상의 투과율을 보였으며 PL 분석 결과 Si 첨가량과 관계없이 동일한 스펙트럼을 가지며 380 nm, 540 nm 근처에서 peak를 확인하였다. 최소 비저항 값은 5SZO 막에서 $2.44{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm^{-1}$을 보였다.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.37 no.2
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• pp.187.1-187.1
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• 2012

본 논문은 저궤도 위성의 각 유닛의 온도 정보를 획득하기 위해 사용되는 온도 센서인 써미스터의 data 처리를 위한 calibration 방법을 정리한 것이다. 써미스터는 온도에 따라 저항 값이 바뀌는 소자이며, 위성 프로세서는 정전류 소스를 공급하고 여기에 걸리는 전압을 AD converter를 이용해 데이터로 전송한다. 지상에서는 전송된 데이터를 calibration 공식에 대입하여 온도 정보를 얻어낸다. 특히 발사 준비 및 발사 후 발사체와 분리되기 전까지 계속 모니터링이 필요한 배터리 온도 정보의 경우 배터리 내부의 한 개 써미스터에 대해 발사장전기시험장비와 발사체의 MUX 시스템 그리고 위성 내부 프로세서에서 프로세싱이 동시에 이루어지기 때문에 각 시스템의 영향성까지 고려해야 한다. 본 논문에서는 저궤도 위성의 열진공 시험 및 발사 동안의 실제 데이터 처리 결과를 통해 정밀한 써미스터 데이터 처리 및 그 시스템 설계에서 고려해야 할 점들을 정리한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.257-257
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• 2010

최근 저항 변화 메모리는 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory보다 access time(writing)이 105배 이상 빠르고, DRAM과 같이 2~5 V 이하의 낮은 전압 특성 및 간단한 제조 공정 등으로 차세대 비휘발성 메모리 소자로 주목 받고 있지만, 여전히 소자의 Endurance 및 Retention 특성 등의 신뢰성 문제를 해결해야 할 과제로 안고 있다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해 페로브스카이트계 산화물 또는 이원 산화물 등의 다양한 저항 변화 물질에 대한 연구가 진행되고 있다. 하지만, 현재 주로 연구되고 있는 금속 산화물계 물질들은 그 제조 공정상 산소에 의한 다수의 산소 디펙트 형성과 제작 시 쉽게 발생할 수 있는 표면 오염의 문제점을 안고 있다. 본 연구는 기존의 금속 산화물계 박막의 제조 공정에서 발생하는 문제점을 해결하기 위해 질화물계 박막을 저항변화 물질로 도입함으로써, 기존의 저항 변화 물질의 장점인 간단한 공정 및 저전압/고속 동작 특성을 동일하게 유지 할 뿐 아니라, 그 제조 공정상 발생하는 다수의 산소 디펙트와 표면 오염의 문제를 해결함으로써, 보다 고효율을 가지며 재현성이 우수한 메모리 소자를 구현 하고자 한다 [1, 2]. 본 연구를 위해 Pt/AlN/Pt 구조의 Metal/Insulator/Metal(MIM) 저항 변화 메모리를 제작 하였다. 최적의 저항 변화 특성 조건을 확인하기 위해 70~200nm까지 두께 구분과 N2 가스 분위기의 열처리 온도를 $200{\sim}600^{\circ}C$까지 진행 하였다. 본 소자의 저항 변화 특성 실험은 Keithley 4200-SCS을 이용하여 진행 하였다. 실험 결과, AlN의 최적의 두께 및 열처리 온도 조건은 130nm/$500^{\circ}C$였으며, 안정적인 unipolar 저항 변화 특성을 확인 활 수 있었다.

• Journal of the Korean Geotechnical Society
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• v.25 no.10
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• pp.31-40
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• 2009

As the measurement of strain-gage type cone penetrometer is influenced by the temperature change during penetration, the temperature is a factor producing an error of the cone tip resistance. In this study, the 0.5 mm diameter temperature transducer and 7 mm diameter micro cone penetrometer are manufactured by using FBG sensors to evaluate the effect of temperature on the cone tip resistance. Design concepts include the cone configuration, sensor installation and the temperature compensation process. The test shows that the tip resistance measured by strain gauge is affected by the temperature change. The error of the tip resistance increases with an increase in temperature change, while the temperature effect on the tip resistance of FBG cone is effectively compensated by using FBG temperature transducer. Temperature compensated tip resistance of the strain gauge cone shows the good matched profile with FBG cone which performs real-time temperature compensation during penetration. This study demonstrates that the temperature compensation by using FBG sensor is an effective method to produce the more reliable cone tip resistance.