진단적 초음파가 태아에 미치는 영향에 대하여는 대부분의 연구결과, 심각한 영향을 미칠 가능성이 매우 낮다고 보고되고 있으나, 장시간의 과도한 조사는 초음파가 인체조직에 온도 상승이나 물리적인 영향을 줄 수 있어 초음파 검사시간에 따라 허벅지의 온도 변화를 조사하여 태아 초음파 검사 시 영향이 없는 시간을 알아보았다. 그 결과 초음파 검사 전보다 40분 안에는 온도가 떨어졌고 50분에는 허벅지의 온도가 검사 전보다 $1^{\circ}C$이상 올라가는 것을 확인하였다. 그러므로 40분 안에 초음파 검사를 한다면 안전한 것으로 추론해 본다.
a-Si:H/c-Si 구조의 이종접합 태양전지 전면 투명전도막으로 Indium tin oxide(ITO) 박막의 조건에 따라 태양전지 특성을 연구하였다. ITO 박막은 파우더 타겟으로 마그네트론 스퍼터링 방식으로 성막하였고, 증착 온도(Ts)에 따라 전기적, 광학적 특성을 비교, 분석하였다. 기판 증착 온도가 증가할수록 박막의 저항이 낮아지는 것으로 나타났으며 $350^{\circ}C$ 조건에서 가장 낮은 저항($34.2{\Omega}$/sq)을 보였다. 투과도 또한 기판 증착 온도가 올라갈수록 전반적인 향상을 나타냈다. a-Si:H/c-Si 기판의 MCLT(minority carrier lifetime)는 $350^{\circ}C$에서 최적($359{\mu}s$)의 결과를 나타냈다. 그 이상의 기판 온도에서는 오히려 감소하였는데, 이는 높은 온도에서의 a-Si:H/c-Si 계면의 열손상으로 판단된다.
옥수수, 감자, 고구마 전분현탁액에 가열 전 $.$후 산을 첨가하여 pH를 4.0∼5.0으로 하였을 때 마밀로그라프에 의한 호화특성과 Brookfield 점도계로 측정한 전도 특성은 다음과 같다. 산 첨가에 따른 옥수수전분, 감자전분. 고구마전분의 아밀로그라프에 의한 특성은 가열전에 산을 첨가하였을때 호화개시온도가 대조군보다 상승되었고, 감자전분의 호화개시온도 상승이 가장 컸다. 각 전분의 점도는 pH가 낮아질수록 감소하였는데 옥수수전분의 경우 가열전 $.$후와는 관계없이 점도변화가 가장 적었다. 가열전 산을 첨가하였을 때 consistency(C-H), setback(C-P)은 증가하였고. breakdown(P-H)은 감소하였다. 가열 후 산을 첨가한 경우는 consistency(C-H), setback(C-P)은 감소하였고, breakdown(P-H)은 증가하여 가열전과 가열후 산첨가의 결과는 다르게 나타났다. 산에 의한 점도의 변화정도는 감자전분, 고구마전분, 옥수수전분 순으로 크게 변화하였다. 가열전 산을 첨가하여 일정온도까지 가열하여 Brookfield 점도계로 점도를 측정한 경우 pH가 낮을수록 점도는 전체적으로 낮게 나타났으나, 가열에 따른 냉각점도는 가열온도가 높을수록 pH의 영향에 따른 냉각점도의 감소가 뚜렷하게 나타났다. 가열 후 산을 첨가하여 냉각점도를 측정한 경우 가열전 산첨가에 비하여 옥수수전분 과 고구마전분은 전반적으로 점도가 높은 경향이었다.
본 실험은 고온기 근권 냉방 시간에 따른 배지 온도 하강과 파프리카(Capsicum annum L.) 'Orange glory'의 생리적 반응을 알아보고자 7월 16일부터 10월 15일까지 코이어 배지에서 수경 재배하였다. 배지의 일평균, 최고 및 최저 온도변화와 파프리카의 뿌리 활력, 수분 포텐셜, 개화시기 및 착과수 등을 측정하였다. $20{\pm}2^{\circ}C$의 냉수를 순환시키는 XL 파이프 근권부 냉방시간 처리는 전일(전일, 24시간), 야간(야간, 오후 5시-오전 3시), 및 냉방 무처리(대조구)로 7월 23일부터 9월 23일까지 처리하였다. 고온기(7월 23일-8월 31일) 동안 일평균 배지 온도가 전일 처리구에서는 $25.6^{\circ}C(22.7-28.2^{\circ}C)$, 야간 처리구에서는 $26.1^{\circ}C(22.9-29.2^{\circ}C)$로 대조구의 $29.1^{\circ}C(24.7-33.2^{\circ}C)$에 비해 $1.8-5^{\circ}C$ 낮아졌다. 하루 중(맑은 날, 8월 1일) 배지의 최고온도 도달 시간이 전일과 야간 처리구에서는 오후 4-5시였으며, 대조구는 오후 7-8시였다. 주간(오전 6시-오후 8시)과 야간(오후 8시-오전 6시) 시간의 배지 온도는 처리에 따라 차이를 보였다. 주간/야간의 배지 평균온도는 대조구보다 전일 처리구에서 $3.3^{\circ}C/4^{\circ}C$, 야간 처리구에서 $2.1^{\circ}C/3.4^{\circ}C$ 낮아졌다. 배지 깊이별 배지 온도 차(대조구 배지 온도 - 처리구 배지 온도)는 하부에서 가장 컸다. 전일 처리구의 배지 온도차 변화는 배지 상/중/하부에서 완만하였으나, 야간 처리구는 주간과 야간 시간대 배지 온도 차가 배지 중간, 하부에서 커졌다. 배지 평균 온도가 $25^{\circ}C$ 이상 계측된 날이 대조구에서는 40일, 전일 처리구에서는 23일, 야간 처리구에서는 27일로 대조구에 비해 각각 42.5%, 32.5% 배지온도 하강효과를 보였다. 전일 처리구의 파프리카 뿌리 활력과 수분 포텐셜은 야간 처리구보다 유의하게 높았다. 근권 냉방 처리의 첫 개화시기는 4-5일 앞당겨지고 착과수도 유의하게 증가하였다. 그러나 고온기 지상부가 고온(${\geq}30^{\circ}C$)으로 파프리카 착과는 늦어졌다. 이는 근권 냉방으로 배지 온도가 $1.8-5.0^{\circ}C$ 낮아졌으나, 고온기 파프리카 생육과 착과를 위해서는 근권 냉방뿐 아니라 지상부 온도를 낮추는 방식이 병행되어야 한다.
Ni를 Cd로 대치시켜 세라믹 소결법으로 합성한 Ni0.8Cd0.2Fe2O4 의 X-ray 회절선을 측정하여 구조를 확인하고, 형성된 결정체의 격자 상수를 조사하였다. 이 시료의 Mossbauer 스펙트럼을 80K-900K의 온도 영역에서 측정 분석하여 Mossbauer parameter의 온도 의존성과 Fe 이온에 대한 자료를 얻고, 이 자료를 토대로 Ni0.8Cd0.2Fe2O4 의 자기 전이 현상과 Curied 온도 Tc와 격자 비열 및 Debye 온도와 같은 물성을 조사하였다.
반도체 및 LCD 공정이 진행되는 진공 챔버는 유량계, 진공 펌프 및 밸브 등을 이용하여 적절한 공정용 기체와 압력을 제어하게 된다. 공정에 따라 매우 높은 온도를 유지해야 하는 경우도 있다. 챔버 내부의 압력은 유입되는 기체의 시간에 따른 유량 변화에 의하여 주기적으로 변화하게 된다. 이러한 유량 변화는 장기적으로는 결국 펌프의 신뢰성(내구수명)에 영향을 주게 되며, 특히 고유량 및 저유량을 반복하게 되는 공정에 있어서는 더욱 큰 영향을 미치게 된다. 또한 챔버 내부는 다양한 화학적 반응이 일어나며 이러한 공정 기체들의 높은 온도는 결국 챔버에 연결된 펌프의 성능 및 신뢰성에도 영향을 주게 된다. 대부분의 반도체 및 LCD 공정이 이루어지는 압력에서는 전도 및 대류의 열전달 형태보다는 열복사에 의한 영향을 받게 되어 챔버를 적절히 설계한다면 펌프에 직접적으로 전달되는 복사량은 상대적으로 낮고, 펌프에 미치는 영향도 크지 않게 된다. 그러나 압력의 변화에 따라 전도 및 대류의 영향이 커지게 되는 경우에는 펌프 자체 및 성능에 큰 영향을 주게 될 것이다. 터보형 펌프의 국내(KS) 및 국제규격(ISO)의 성능시험방법에는 이러한 온도에 따른 펌프의 성능 특성 변화를 다루고 있지 않으며, 크라이오 펌프인 경우 열복사의 영향에 대한 시험방법이 일부 공개되어 있다[J. Vac. Sci. Technol. A 17(5)]. 본 연구에서는 기체의 유량 및 온도 변화에 따른 진공 펌프의 성능 특성 변화를 고찰하고자 하며, 향후 이러한 시험방법에 대한 표준 절차를 확립하고자 한다.
반도체 및 LCD 공정이 진행되는 진공 챔버는 유량계, 진공 펌프 및 밸브 등을 이용하여 적절한 공정용 기체와 압력을 제어하게 된다. 공정에 따라 매우 높은 온도를 유지해야 하는 경우도 있다. 챔버 내부의 압력은 유입되는 기체의 시간에 따른 유량 변화에 의하여 주기적으로 변화하게 된다. 이러한 유량 변화는 장기적으로는 결국 펌프의 신뢰성(내구수명)에 영향을 주게 되며, 특히 고유량 및 저유량을 반복하게 되는 공정에 있어서는 더욱 큰 영향을 미치게 된다. 또한 챔버 내부는 다양한 화학적 반응이 일어나며 이러한 공정 기체들의 높은 온도는 결국 챔버에 연결된 펌프의 성능 및 신뢰성에도 영향을 주게 된다. 대부분의 반도체 및 LCD 공정이 이루어지는 압력에서는 전도 및 대류의 열전달 형태 보다는 열복사에 의한 영향을 받게 되어 챔버를 적절히 설계한다면 펌프에 직접적으로 전달되는 복사량은 상대적으로 낮고, 펌프에 미치는 영향도 크지 않게 된다. 그러나 압력의 변화에 따라 전도 및 대류의 영향이 커지게 되는 경우에는 펌프 자체 및 성능에 큰 영향을 주게 될 것이다. 터보형 펌프의 국내(KS) 및 국제규격(ISO)의 성능시험방법에는 이러한 온도에 따른 펌프의 성능 특성 변화를 다루고 있지 않으며, 크라이오 펌프인 경우 열복사의 영향에 대한 시험방법이 일부 공개되어 있다[J. Vac. Sci. Technol. A17(5)]. 본 연구에서는 기체의 유량 및 온도 변화에 따른 진공 펌프의 성능 특성 변화를 고찰하고자 하며, 향후 이러한 시험방법에 대한 표준 절차를 확립하고자 한다.
본 연구에서는 CIGS박막 태양전지의 온도 및 시간 인가에 따른 전기적 특성 변화를 분석하였다. 실험에서는 온도 스트레스를 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 10시간씩 인가한 후에 Dark I-V와 C-V측정을 통해 전기적 특성 변화를 분석하였다. $25^{\circ}C$일 때를 초기 온도로 하여 특성을 측정한 것과 온도별로 노출시킨 후에 측정한 것을 비교했을 때 소자의 효율은 $100^{\circ}C$에서 감소하기 시작하였고, 인가한 온도가 높을수록 점점 많이 감소하는 모습이 나타났다. 이와 비슷하게 I-V그래프와 C-V그래프의 모습도 초기 값과 비교해서 변화하는 모습이 나타났고, 온도가 높아질수록 점점 변화하는 양이 증가하였다. I-V그래프에서 Diode ideality factor는 온도변화에 따라 초기 값 대비 증가하는 모습이 나타났다. 온도에 노출되기 전보다 노출된 후에 current와 capacitance가 감소하는 경향을 보이는데, 이는 온도의 영향으로 인해 소자의 결함이 증가하여 전하들의 반응에 영향을 주었기 때문으로 판단된다.
본 논문에서는 첨단 정밀 전자장치의 신뢰성 시험을 위해 사용하는 온도시험 장비의 오동작이 발생이 되면, 시험담당자에게 문자메시지를 통해 현재 시험장비가 오동작 중임을 알릴 수 있는 시스템을 제안한다. 제안시스템은 기존에 오픈 소스를 이용한 시험장비의 오동작 여부를 모니터를 하는 시스템에 시험담당자에게 이 사실을 SMS로 전달하는 시스템을 추가한 것이다. 정밀 전자장치는 출고전에 온도시험 장비를 사용하여 설정한 저온, 고온 온도 상황에서 각각 정상적으로 장치가 동작하는지의 여부를 확인하게 된다. 만약 이 상황하에서 온도 시험장비가 설정한 저온의 온도 이하 혹은 설정한 고온의 온도 이상 등의 오동작이 발생되면, 수억원에 이르는 고가의 시험대상 제품이 손상을 입어 폐기하는 경우가 생긴다. 제안한 시스템은 시험 운용자가 자리를 비우는 야간에 특히 유용한 시스템으로서 온도시험장비와 별도의 전원을 사용하여 그 신뢰성을 높이는 장점을 가진다.
본 연구에서는 기관 실린더 사이의 거리와 기관 블럭의 외벽에 부착된 윈이 실린더내벽면 온도분포에 미치는 영향을 알아보기 위하여 2차원 정상.비정상 열전도 해석을 하였다. 물론 2차원 열전도 해석 결과는 전 실린더 블럭에 적용할 수 있는 것은 아니며 블럭의 상단과 하단 부근에서는 적용시키기 어렵고 중간 부근에서만 적용 할수 있는 것이지만, 2차원 해석을 통해서 격자의 수를 대단히 많이 늘일 수 있어서 그해의 정확도를 높힐 수 있기 때문에 실린더 사이의 간격과 휜의 크기 등이 실린더 내벽면 온도에 미치는 영향, 정상.비정상 해석의 차이점 등을 명확히 규명할 수 있는 잇점이 있어서 본 연구에서 채택하였다.따라서 본 해석 결과는 전 실린더에 대해서 국부적으로 적용될 수 있는 것이 아니라 전 실린더에서의 값에 대한 평균 값으로 이해 되어야 할 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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