• 디지털콘텐츠
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• 7호통권110호
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• pp.40-43
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• 2002

"전자지불산업의 성장은 전체 인터넷 업계와 매우 밀접한 관계가 있습니다. 전자지불업체 혼자 성공할 수 없습니다. 전자지불업체는 인터넷기업의 성공이 선행되어야만 하는 공생의 관계인 셈입니다. 최근 일부 정보통신 기업과 인터넷 기업의 부정한 사업형태가 IT 시장의 물을 흐리긴 했지만 여전히 IT산업은 미래를 거는 성장 산업임에 틀림없습니다." 이니시스 김도균 사장은 전자지불업계 전망에 대해서 아직 샴페인을 터뜨리기에는 시기상조지만, 무한한 성장가능성을 보여주고 있다고 말했다. 이니시스가 전자지불서비스를 시작한 1988년도는 국내 전자상거래 시장이 아직 활성화되지 못한 초기시장으로써 국내에서는 전자지불서비스라는 개념도 아직 형성되지 않은 시기였다. 이니시스는 전자지불서비스라는 새로운 분야의 시장영역을 만들어 가면서 비즈니스를 창출한 선도자 역할을 수행해왔다고 할 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제22권1호
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• pp.11-14
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• 2012

AlGaN는 3.4~6.2 eV까지 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 최근에 자외영역의 광소자가 다양하게 응용되면서 자외선 발광이 가능한 AlGaN 역시 주목받고 있다. 이를 위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 $NH_3$ 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 $N_2$를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 $1090^{\circ}C$로 안정화하였다. 성장 후 샘플은 x-ray diffraction(XRD)과 electro luminescence(EL) 측정을 하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권2호
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• pp.36-46
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• 1984

Ga1-xlnxSe 단결정을 X=0.0∼0.1영역과 X=0.8-1.0영역에서 Bridgman방법으로 성장시켰다. 성장된 Ga1-xlnxSe 단결정은 X=0.0∼0.1영역에서는 hexagonal구조, X=0.8∼1.0영역에서는 rhombohedral 구조를 가지고 있었다. CaInSe 단결정은 간접천이형 energy gap을 가지고 있었으며, 15°K에서 250°K로 시편의 온도가 상승할 때 energy gap 은 감소되었고, 온도계수는 (-2.4∼-4.3)×10-4eV/K으로 주어졌다. Ga1-xlnxSe 단결정의, energy gap에 온도 의존성은 Schmid의 electron-phonon 상호작용의 이론으로 설명할 수 있었다.

• 주택과사람들
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• 통권205호
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• pp.90-93
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• 2007

1969년 창업 이래 꾸준한 발전을 거듭하고 있는 현진그룹의 2007년 경영화두는 '도전과 성장'이다. 국내는 물론 해외 건축 시장에까지 영역을 넓히고 있는 현진 에버빌이 초일류 글로벌 기업으로의 도약을 준비한다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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• pp.41.1-41.1
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• 2011

본 연구에서는 MOCVD법으로 사파이어 기판위에 u-GaN를 성장한 후 Mg을 도핑시켜 p-GaN를 성장하고, RF 스퍼터를 이용하여 n-ZnO를 도포하여 n-ZnO/p-GaN 이종접합을 형성한 후 진공증착기를 이용하여 Au/Ni를 증착시켜 발광다이오드(LED)를 제작하고 전기 광학적 특성을 조사하였다. 두께가 500 nm인 u-GaN 위에 성장된 p-GaN의 운반자 농도는 $1.68{\times}10^{17}\;cm^{-3}$ 이었다. 그리고 150, 300 nm 두께의 p-GaN에 대하여 측정된 DXRD 반치폭은 각각 450 arcsec, 396 arcsec 이었고, 상온에서 2.8~3.0 eV 영역에서 Mg 억셉터와 관련된 광루미네센스가 검출되었다. RF 스퍼터링에 의해 0.7 nm/min의 속도로 증착된 n-ZnO 박막은 증착 두께에 따라 비저항이 27.7 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 에서 6.85 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 까지 감소하였다. 그리고 n-ZnO 박막은 (0002)면으로 우선 배향되었으며, 상온에서 에너지갭 관련된 광루미네센스가 3.25 eV 부근에서 주되게 검출되었다. n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 전류전압 특성곡선은 다이오드 방정식에 만족하는 특성을 나타내었다. 다이오드 지수는 3 V 이하 영역에서 1.64, 3~5 V 영역에서 0.85이었다. 그리고 5 V 이상 영역에서 공간전하의 제한을 받았으며, 다이오드 지수는 3.36이었다. 한편, 역방향 전류전압 특성은 p-GaN 박막의 두께에 영향을 받았으며, p-GaN 박막의 두께가 150, 300 nm 일 때 각각의 누설 전류는 $1.3{\times}10^{-3}$ mA와 $8.6{\times}10^{-5}$ mA 이었다. 상온에서 측정된 EL 스펙트럼의 주된 발광피크는 430 nm이었고, 반치폭은 49.5 nm이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.164-164
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• 2011

본 연구에서는 InAs 양자점 태양전지의 활성영역에 크기가 다른 양자점을 삽입하여 그 광학적 특성변화를 photoreflectance (PR)와 photoluminescence (PL)를 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 InAs 양자점 태양전지 구조는 n+-GaAs (100) 기판 위에 n+-GaAs buffer를 300 nm 성장 후 활성영역에 InAs 양자점과 40 nm 의 n-GaAs spacer를 이용하여 8층의 양자점을 삽입하였다. 그 위에 n-GaAs $1.14{\mu}m$와 p+-GaAs $0.6{\mu}m$, p+-AlGaAs window를 50 nm 성장하고 ohmic contact을 위하여 p+-GaAs 10 nm 성장하였다. 활성영역에 사용된 InAs 양자점의 크기는 InAs 조사량을 1.7 ML~3.0 ML까지 변화시키며 조절하였다. 양자점 태양전지의 활성영역에 삽입한 양자점의 크기에 따른 photoreflectance 측정에서 InAs 조사량이 0~2 ML 사이에서는 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주기가 짧아지고 2.5 ML 이상에서는 일정한 값 가짐을 보였다. 이는 양자점의 크기가 커질수록 내부 응력에 의한 전기장의 변화에 의한 것으로 사료된다. 아울러 InAs 양자점 태양전지의 photoluminescence 측정 결과 상온에서 1.35 eV 근처에 발광이 관측되었으며 InAs 조사량이 증가할수록 발광중심 낮은 에너지쪽으로 이동함을 보였으며 태양전지 효율은 2.0 ML 인 경우 최고치를 나타내었다. InAs 조사량을 2.0 ML 이상 증가 시킨 경우는 효율이 점진적으로 감소하였다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제12권11호
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• pp.236-245
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• 2012

본 연구는 한국과 일본 여자 간호대학생들의 음주행위와 건강증진 생활양식을 파악하고, 과음과 관련있는 건강증진 생활양식을 파악하고자 수행하였다. 연구대상은 한국 간호대학생 304명과 일본 간호대학생 244명이었고, 분석은 건강증진 생활양식 프로파일 II의 차이를 비교했고, 과음과 관련있는 건강증진 생활양식의 하부영역을 분석하였다. 연구 결과 일본학생이 영양습관, 대인관계, 스트레스 관리영역에서 높았고, 영적성장은 한국학생이 높았다. 신체활동은 양국 모두 가장 낮은 점수를 나타냈다. 음주는 한국이 일본에 비해 더 많이, 더 자주 했으며, 과음 여부에 따라 건강증진 생활양식에는 유의한 차이가 없었다. 한국 학생 중 과음의 가능성이 있는 경우는 대인관계점수가 높은 경우와 영적성장점수가 낮은 경우이며, 일본 학생 중에는 건강책임감이 높은 경우였다. 결론적으로 한국에서는 영양습관과 스트레스 관리 교육을, 일본에서는 영적성장영역 강화, 양국 모두 신체활동 영역 강화와 건전한 음주 교육이 필요하다.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제3권1호
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• pp.33-40
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• 2002

본 연구에서는 의료영상 저장 및 전송 시스템에 필수적인 무손실 의료영상 압축 기법을 제안하였다. 의료영상은 방사선 영상 중에서 유방영상(mammography)과 자기공명영상을 사용하였으며, 이들 영상을 무손실로 압축하기 위하여 영역성장에 의한 영상분할 알고리듬을 제안하였다. 제안된 알고리듬은 원 영상이 에러 영상과 불연속 계수 영상, 그리고 상위 비트 데이터 등 세 가지의 부 영역으로 분할되도록 하였다. 그리고 영역성장 과정 후 생성된 불연속 계수 영상 데이터와 에러 영상을 국제 이진영상압축 표준이며 그레이코드(graycode)화된 영상의 압축에 적합한 JBIG(Joint Bi-level Image expert Group) 알고리듬을 이용하여 압축시켰다. 제안한 알고리듬과 타 연구에서 사용된 기법들을 비교 검토 한 결과 제안한 무손실 압축 기법을 적용하여 얻어지는 압축율은 JBIG, JPEG, LZ 기법에 비해 평균적으로 각각 3.7%, 7.9%, 23.6% 정도 개선됨을 알 수 있었다.

• 한국수학교육학회지시리즈A:수학교육
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• 제61권4호
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• pp.631-651
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• 2022

우리나라 학생들의 수학 정의적 성취도가 낮고 학년이 올라갈수록 학생들이 수학을 포기하는 비율이 증가한다는 점이 지속적으로 문제 제기되어 왔다. 이에 국가 기관이나 교육청, 학교 차원에서 다양한 수학 정의적 영역 관련 정책이 추진되어 왔으나, 더욱 본질적인 측면에서의 개선을 위해 기존의 여러 정책을 살펴보고 개선 방향을 탐색할 필요가 있다. 본 연구는 성장 마인드셋이 정의적 성취의 신장에 도움을 준다는 선행연구에 기초하여, 학생의 수학에 관한 성장 마인드셋을 향상시켜서 궁극적으로 수학 정의적 성취를 신장시킬 수 있는 정책을 탐색하는 데 초점을 두었다. 이에, 먼저 문헌 연구를 통해 우리나라 학생들의 수학 정의적 성취 실태 및 변화 추이를 살펴보고, 국내외에서 이루어진 수학 정의적 영역 관련 정책 및 사례를 조사하였다. 그 결과를 토대로 키워드를 설정하여 수학 마인드셋 향상과 정의적 성취 신장을 위한 정책의 방향을 제안하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.344-349
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• 2021

Super Junction구조는 항복전압과 온-상태 전압강하의 트레이드-오프 특성을 개선하고자 제안된 구조이다. 본 논문은 Super Junction IGBT P-Pillar 내부 영역에 Trench SiO₂를 성장시킨 구조를 제안한다. Super Junction구조에 인가되는 전계를 3D로 관찰 시 P-Pillar 내부에 전계가 인가되지 않는 영역을 확인하였다. Pillar영역의 부분저항은 각 Pillar의 크기와 항복전압에 의해 변동되는데 전계가 인가되지 않는 P-Pillar 내부 영역을 Trench 한 후 SiO₂를 성장시켜 P-Pillar의 크기를 감소시킨다. 4.5kV의 동일한 항복전압을 가질 때 온-상태 전압강하 특성이 Field Stop IGBT 대비 약 58%, 기존의 Super Junction IGBT 대비 19% 향상되는 것을 확인하였다.