Rushton type 반회분식 반응기에서 염화은의 반응성 결정화 과정에 미치는 인자들에 대해 실험적으로 연구하였다. 용액 교반속도, 반응물의 주입속도, 주입방법 및 반응물의 농도 등의 인자가 염화은 결정의 크기 및 크기 분포에 뚜렷한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 실험결과로부터 염화은 반응성 결정화에서 용액 내에서의 염화은 과포화 농도 및 과량 이온의 농도 그리고 결저입자 주의에서의 물질전달속도 등의 변화가 이와 같은 인자들과 상호 연관이 있으며 이것이 결정핵 생성 및 성장과정에 직접적으로 영향을 미친 것으로 추론하였다. 그러나, 본 연구에서 실험한 인자들에 의한 염화은의 형태 변화는 나타나지 않았다.
전위차 측정형 바이오 센서는 기준전극에 대한 센서 전극의 전기화학적 전위를 정확하게 측정하여야 하므로 기준전극의 안정성이 매우 중요하다. 기준전극의 전위는 전해질 용액 내의 염소 음이온 농도에 영향을 받으나 다행히도 혈액 내의 염소 음이온 농도는 거의 변화가 없으므로 혈액 속에서의 은/염화은 기준전극의 전위도 거의 변화가 없다. 본 연구에서는, 사진석판 (Photolithography) 공정을 이용하여 실리콘 표면 및 다공질 실리콘 표면에 은/염화은 박막 기준전극을 제작하고 시료 용액에서의 drift, 안정성, 재현성 등에 대한 특성을 고찰하였고, SEM, AES, EDX 스펙트럼 등을 이용하여 전극의 표면을 분석하였다. 시료 용액의 염소 음이온 농도를 $10^{-4}$M에서 1M까지 변화시켜가며 기준 전극의 전위를 측정한 결과 약 50mV/pCl의 기울기를 얻었으며 이것은 Nernst식을 잘 따르는 결과이다.
나노 은이 첨가된 폴리염화비닐수지 등 염소화 고분자 수지내의 은(Ag)을 정량적으로 분석하였다. 염화비닐수지 등은 분해할 때 염산가스를 방출하며 이때 수지내의 은은 대부분 염화은으로 된다. 질산과 암모니아수를 사용하여 염산가스와 반응하지 않은 은과 반응하여 생성된 염화은을 은의 암모늄염으로 한 다음, 다시 열분해하여 얻은 은을 묽은 질산에 녹여 정량적으로 분석하였다. 회수율은 99.0% 이상으로 우수한 결과를 얻었다.
Lee, Jaer-Yeong;Tung Le, M.;Ahn, Jong-Gwan;Kim, Jong-Oh;Chung, Hun S.;Kim, Byoung-Gyu
자원리싸이클링
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제15권5호
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pp.33-37
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2006
기계화학적공정을 이용한 고순도 미립 은분말 제조를 목적으로 동일당량비의 염화은 (AgCl)과 구리(Cu)분말을 혼합하여, 이를 대기조건에서 유성밀로 반응진행 시켰다. 염화은과 구리분말의 초기 혼합물은 반응을 통하여 염화구리와 은분말의 새로운 혼합 상으로 변화하였다. 반응생성물로부터 은분말의 고순도 분리는 1 mol의 수산화암모늄에 의한 침출처리를 실시함으로써 가능하였다. 또한, 기계화학공정에 의한 기능재료 합성에 있어서, 가장 큰 단점인 강한 응집반응생성물을 제어하고자, 첨가제 polyvinylpyrrolidone (PVP)를 혼합 분쇄하였으며, 그 결과 반응생성 은분말의 미립화, 강한 응집상 억제가 가능하였고, 또한 침출공정에서는 고순도 분리된 은분말의 표면산화를 억제하는 효과도 얻을 수 있었다.
은 콜로이드 용액을 이용하여 은이 침적된 생체활성 세라믹 복합체를 제조하였다. 제조된 은 콜로이드 용액과 생체활성 세라믹 복합체의 물리적 특성은 각각 X-선 회절분석기, 라만분광기, 전자현미경으로 분석하였다. X-선 회절분석 자료에 의하면 은 나노입자의 표면에 염소이온이 화학적으로 결합한다는 사실을 알 수 있었다. 또한 전자현미경 분석에서는 은이 침적된 생체활성 세라믹 복합체의 표면에 염화은이 균일하게 분포하는 것을 알 수 있었다. 따라서 생체활성 세라믹 복합체 표면의 염화은이 생체활성 세라믹 복합체의 하이드록시아파타이트 형성을 강하게 방지한다는 사실을 확인할 수 있었다.
나주 정촌고분 1호 석실 출토 소환두도는 내부 별도 장식이 없는 오각형 환두도이다. 또한 모도와 자도 2자루로 구성된 모자대도이다. 정촌고분 소환두도는 환두부, 병부, 신부, 초미금구로 구성되었다. 소환두도 환두는 철지은장(鐵地銀裝)이지만 은(銀)이 염화은으로 부식되면서 연보라색을 띠며 내부 철제 심의 부식물이 표면에 형성되었다. 염화은은 염화이온이 용해된 매장 환경에서 은이 수분과 반응하여 생성되는데, 가루 형태로 부식되어 유물의 형태 보존을 어렵게 한다. 정촌고분에서 함께 출토된 다른 은제 유물도 유사한 부식 형태를 보여주고 있다. 정촌고분 소환두도의 X선 투과조사 및 CT 분석 결과, 철제 외환에 T자형 슴베를 만들고 신부의 슴베와 연결하였다. 소환두도의 자도를 참고하여 모도의 형태를 유추하면, 모도는 환두, 병두금구, 병연금구를 은판(銀板)으로 감싸고 금제 환과 은제 선으로 병부를 장식하였다. 환두 슴베와 신부 슴베의 연결 방식은 리벳 구멍이 확인되지 않아 단접(鍛接)한 것으로 판단되었다. 초미금구는 철판으로 형태를 만들고 끝단을 견직물로 감싸고 그 아래를 은판과 금제 환으로 장식하였다. 정촌고분 소환두도는 금 은 철제 금속을 다양하게 사용하였으며 백제, 신라, 가야의 여러 가지 요소가 복합적으로 구성되어 주변 유적 및 여러 문화권 영향을 받았음을 확인할 수 있었다.
호염성세균 H. subglaciescola DH-1은 염화나트륨이 없거나 0.8 M 이하로 존재하는 환경에서 생장하지 못한다. 이 호혐성세균은 2.0 M의 염화나트륨이 존재하는 조건에서는 최적온도($30^{\circ}C$)보다 높은 $40^{\circ}C$에서 생장이 가능하였으나, 0.8 M의 염화나트륨이 존재하는 조건에서는 생장이 크게 저하되었다. 세포추출물을 염화나트륨이 존재하는 조건에서 $50^{\circ}C$로 1시간 동안 열처리하였을 때 세포내 효소의 활성이 유지되었으나, 염화나트륨이 없는 조건에서 열처리하였을 때 효소의 활성은 유지되지 않았다. 반면, 대장균의 세포추출물의 효소활성은 1.0 M이상의 염화나트륨이 존재할 때 온도 또는 pH와 관계없이 측정되지 않았다. H. subglaciescola DH-1은 pH $7{\sim}10$의 범위에서 생장하였고, 생장을 위한 최적 pH는 8이었다. 이러한 생리적인 특성으로부터 염화나트륨은 H. subglaciescola DH-1의 물질대사를 위한 필수적인 무기영양소라는 사실을 유추할 수 있다.
방향족 화합물인 폴리염화비페닐(PCB)은 비페닐 기본골격의 10개소의 탄소에 1개에서부터 10개까지의 염소가 치환되어 있는 물질로써 그 독성과 잔류성으로 인해 중대한 환경오염물질의 하나로 주목받고 있다. 폴리염화비페닐에 의한 환경오염은 수질오염으로 이어지며, 식물연쇄에 의해 어류의 경우 그 농축계수가 10만 정도까지 이른다고 한다. 이러한 현상은 육상에서도 일어나며 생물농축과 식물연쇄에 의해 결국 식품을 오염시키게 된다. 이와 같은 난분해성 오염물질의 정화에는 미생물이 가지고 있는 분해능력이 큰 역할을 담당한다는 것이 알려져 있다. 1970년대 토양으로부터 비페닐을 분해ㆍ이용할 수 있는 비페닐 자화성균이 단리된 이후, 호기적으로 폴리염화비페닐을 분해하는 균을 중심으로 연구가 행해져 왔으며 방향족 화합물에 있어서의 대사 경로 등이 밝혀지게 되었다. 본 연구에서는 폴리염화비페닐을 분해하는 능력을 가지는 분해균을 모델로 하여 다양한 환경하에서 폴리염화비페닐을 분해ㆍ대사 할 수 있는 미생물의 분리를 시도하였다. 그 결과 클로로비페닐 분해능을 가진 Gram 양성균을 단리하는데 성공하였고, 이 균이 Bacillus속의 미생물인 것을 확인하였다.
가리염(加里塩)을 달리하여 투수조건하(透水条件下)에서 수도(水稻)를 재배(栽培)할때 논토양(土壤)에서 투수중(透水中)에 용탈(溶脫)되는 성분변화(成分変化)를 분석검토(分析検討)한 결과(結果)는 다음과 같다. 침투수(浸透水)의 pH는 염화(塩化)칼리구(区)가 황산(黃酸)칼리구(区)보다 약간 높았다. 석회(石灰), 마그네시움, 칼리, 암모니움과 같은 양(陽)이온의 용탈(溶脫)은 염화(塩化)칼리구(区)가 황산(黃酸)칼리구(区)보다 용탈(溶脫)이 약간 높았다. 인산(燐酸)의 용탈(溶脫)은 반대(反対)로 황산(黃酸)칼리구(区)가 염화(塩化)칼리구(区)보다 약간 용탈(溶脫)이 많았다. 철(鉄)의 용탈(溶脫)은 재배구(栽培区)가 높고 규산(硅酸)의 용탈(溶脫)은 무재배구(無栽培区)가 높았으나, 철(鉄), 규산(硅酸)의 용탈(溶脫)에 미치는 칼리염(塩)의 영향(影響)은 뚜렷하지 않았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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