• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.243.2-243.2
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• 2014

기존의 저압 플라즈마에 비해 여러 장점을 가지는 중간압력 플라즈마 및 대기압 플라즈마는 수년전부터 많은 관심을 받고 있으며 다양한 응용분야에서 활발히 이용되고 있다. 기초과학으로서의 플라즈마 측면뿐만 아니라 플라즈마 응용의 결과들은 플라즈마의 특성에 따라 좌우되므로 플라즈마 진단 역시 최근 플라즈마 연구에 중요한 부분을 차지하고 있다. 일반적으로 플라즈마 내의 모든 화학적 반응 및 물리적 반응에 있어 전자가 결정적인 역할을 하기 때문에 플라즈마 내의 전자의 정보를 대표하는 지표인 전자온도($n_e$) 및 전자밀도($T_e$)의 측정이 중요하다. 본 연구에서는 대기압 플라즈마에서 중성원자와 전자의 상호작용에 의한 연속 방출광을 자외선-가시광 영역에서 측정하고, 이를 기반으로 $n_e$ 및 $T_e$를 측정하였다. 높은 압력에서 불완전 전리된 플라즈마는 이온화율이 낮고 중성원자의 밀도가 이온밀도보다 훨씬 높기 때문에 중성 제동복사(Neutral bremsstrahlung)의 방사도를 이용한 ne 및 Te의 측정이 가능하다. 특히 아르곤 대기압 플라즈마에서 측정된 연속 방출광 스펙트럼의 자외선 영역(280~450 nm)에서는 중성 제동복사에 의한 연속 방출광뿐만 아니라 수소분자에 의한 dissociative 연속 방출광이 함께 존재하는 것이 확인되어 최종적으로 두 연속 방출광을 고려하여 정확한 ne 및 Te를 측정할 수 있었다. 대기압 아르곤 축전결합방전에서 입력전력에 따라 전자온도는 2.5 eV로 유지되었으며, 전자밀도는 $(0.7-1.1){\times}10^{12}cm^{-3}$ 범위에서 $j_d{\propto}n_e{\propto}P_{rf}$ 관계를 따르며 변화하는 것이 관찰되었다.

• Bulletin of the Korean Space Science Society
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• 2006.10a
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• pp.177-180
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• 2006

We observed $2.1218{\mu}m$ $H_2$ 1-0 S(1) emission from H II region A, which is located just next to Sgr A East and one of the nearest star forming regions to the Gatactic center. Cooled Grating Spectrometer 4 (CGS4) at the 3.8 m United Kingdom Infrared Telescope (UKIRT) was used with aa echelle grating at a velocity resolution of ${\sim}$ 18km s^{-1}$ and an angular resolution of ${\sim}$ 2 arcsec. Comparing the distributions and kinematics of the observed $H_2$ emission with radio continuum and $NH_3$ emission, we find no evidence that this H II region is interacting with Sgr A East. This conclusion supports that the star formation in this region has not been stimulated by the blast wave of Sgr A East.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• v.14 no.1
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• pp.59-66
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• 1997

The relationship between Mg II emission line and light variation of V711 Tau has been derived to investigate the chromospheric activity on V711 Tau. First, a shape of an optical light curve was compared with that of ultraviolet constructed from the IUE low resolution spectra. Second, the intensities of Mg II k emission lines have been reduced from IUE high resolution spectra. The intensity of Mg II k line was compared with brightness of the UV light curve at given phase. The Mg II line intensity is maximum at the phase $O.^{P}4$ where the light is minimum. The evidence of chromosperic activity is indicated by the intensity variation of the MgII emission line with orbital phase for V711 Tau.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.213-213
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• 1999

현재 LCD용 기판재료는 ITO/glass를 전극으로 사용하고 있다. 그러나 유리기판은 무겁고 깨지기 쉽기 때문에 사용상 곤란한 점이 많다. 최근 flexible하고 가공성 및 생산성이 우수한 플라스틱한 ITO를 성막하여 EL용, Touch panel, plastic LCD용 사용하려는 시도로, roll-to-roll 연속 스퍼터링에 의한 ITO성막공정에 대한 연구가 최근 활발하게 이루어지고 있다. 폴리머는 유리에 비해 Tg 온도가 낮고, 기판으로부터의 수분 및 여러 종류의 가스방출이 심하기 때문에 유리와는 달리 ITO막의 제조에 있어 큰 차이점이 있다. 따라서, 폴리머에 반응성 스퍼터링을 하기 위해서는 표면처리가 중요한 변수가 되며, roll to roll sputter로 ITO 필름을 얻기 위해서는 폭과 길이 방향으로 균일한 막을 얻는 것이 중요하다. 두께 75$\mu\textrm{m}$, 폭 190mm, 길이 400m로 권취된 광학용 Polyethylene terephthalate(PET:Tg:8$0^{\circ}C$)위에 In-10%Sn의 합금타겟과 Unipolar pulsed DC power supply를 사용하여 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 0.2m/min의 속도로 연속 스퍼터링 하였다. PET를 Ar/O2 혼합가스로 플라즈마 전처리를 한 후, AFM, XPS를 이용하여 효과를 분석을 하였고, 성막전에 가스방출을 막기 위해 TiO를 코팅하였다. Pilot 연속 생산공정에서 재현성을 위해 PEM(Plasma Emission Monitor)의 optical emission spectroscopy를 이용, 금속과 산화물의 천이구역에서 sprtter된 I/Sn 이온과 산소 이온의 반응에 의한 최적의 플라즈마의 강도값을 입력하여 플라즈마의 radiation을 검출하고, 스퍼터링 공정중 실질적인 in-situ 정보로 이용하였다. PEM을 통하여 In/Sn의 플라즈마 강도변화를 조사하였다. 초기 In/Sn의 플라즈마 강도(intensity)는 강도를 100하여, 산소를 주입한 결과, plasma intensity가 35 줄어들었고, 이때 우수한 ITO 박막을 얻을 수 있었다. Pulsed DC power를 사용하여 아크 현상을 방지하였다. PET 상에 coating 된 ITO 박막의 표면저항과 광투과도는 4-point prove와 spectrophotometer를 이용하여 분석하였고, AES로 박막의 두께에 따른 성분비를 확인하였다. ITO 박막의 광투과도는 산소의 유량과 sputter 된 In/Sn ion의 plasma emission peak에 따라 72%-92%까지 변화하였으며, 저항은 37$\Omega$/$\square$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.1
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• pp.37-42
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• 2000

We have numerically solved rate-equations of semiconductor optical amplifier (SOA) to understand the characteristics of SOA. The rate-equations we have used can describe injection carrier density, amplified spontaneous emission and signal photon density in spatial and time domain by dividing the cavity into multi-section. We have investigated injection carrier density, amplified spontaneous emission and signal photon density as a function of position and time in the case of single channel input in the form of square pulse. Also we have analyzed the non-linear phenomena of SOA in the case of injecting multi-channel wavelengths as in WDM. Intermodulation distortion (IMD) caused by beat among channels has significant effects on the signal distortion as the channel spacing becomes narrower, and channel crosstalk becomes larger as the power of signals increases. In the case of the injection of another CW laser whose wavelength is far enough from the signal wavelengths, the crosstalk and the output signal distortion can be significantly reduced. duced.

• KSBB Journal
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• v.6 no.2
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• pp.181-187
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• 1991

Physiological and morphological characteristics of Anabaena azollae cells immobilized in a synthetic polymer, polyvinyl(PV), were investigated. The cell density of the non-immersed PV foam reached 4.4mg Chl/g dry wt. PV foam. This is 8 times higher than that of PV-immobiliz action in immersed batch system. And MSX-induced ammonia productivity and the photosynthectic oxygen evolution activity are higher than that of free cells after short-term dark storage. Nitrogenase activity and thermostability of photosynthetic activity are also higher than that of free Anabaena cells after immobilization. Total hydrogen production reached to 1.6ml $H_2$ per reactor (total 4mg Chl) after 6 days.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.3
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• pp.15-30
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• 2004

In this paper, an analytical modeling for the dark and photo-current characteristics of a buried-gate short- channel GaAs MESFET is presented. The presented model shows that the increase of drain current under illumination is largely due to not the increase of photo-conductivity in the neutral region but the narrowing effect of the depletion layer width. The carrier density profile within the neutral region is derived from solving the carrier continuity equation one-dimensionally. In deriving the photo-generated current, we assume that the photo-current is compensated with the thermionic emission current at the gate-channel interface. Moreover, the two-dimensional Poisson's equation is solved by taking into account the drain-induced longitudinal field effect. In conclusion, the proposed model seems to provide a reasonable explanation for the dark and photo current characteristics in a unified manner.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.6 no.4
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• pp.274-281
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• 1995

The new method of recording and reconstructing a synthetic object, which was called as scannedobject holography (SOH), was proposed and its feasibility was demonstrated theoretically and experimentally. The hologram was recorded by interfering the fixed reference beam with spherical waves emitting from a moving point source, whose trajectory determined the shape of the synthetic object to be recorded. The end face of an optical fiber and the output from a pulsed laser were utilized in order to implement a moving point source experimentally. tally.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.5-6
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• 2007

반투명 전도성 음극 (semi-transparent conducting cathode)인 Ba (x nm)/Au (20 nm)/ITO (100 nm)을 이용하여 전면발광 유기전계 발광 소자 (top-emitting organic light-emitting didodes, TEOLEDs)를 제작했다. Ba과 bis(8-quinolinolato)aluminum (III) ($Alq_3$) 계면의 전자구조는 엑스선 광전자 분광법 (X-ray photoelectron spectroscopy, XPS), 자외선 광전자 분광법 (ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 및 가까운 끝머리 엑스선 흡수 미세구조 (near-edge x-ray absorption fine structure, NEXAFS) 스펙트럼의 광 방출 특성을 통하여 조사되었다. $Alq_3$/Ba 계면 특성에 있어서 XPS와 NEXAFS 특성에 의하면, $Alq_3$ (10.0 nm) 위에 Ba이 연속적으로 증착됨에 따라 Ba으로부터 $Alq_3$로의 전자전달 (electron charge transfer) 특성은 꾸준희 증가된다. 그러나 Ba의 두께가 1.0 nm 이상 초과되면 Ba의 전자전달에 기인한 반응성때문에 $Alq_3$의 분자구조가 해리된다. 한편, 제작된 TEOLEDE의 전류-전압-휘도 곡선의 경우에서도 바륨의 증착 두께가 1.0 nm일 때 가장 우수한 구동특성을 나타냈다.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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• v.30 no.3
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• pp.505-510
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• 1997

Temperature and light responses on the growth and maturation of gametophytes of Undaria pinnatifida were studied in laboratory culture. The effect of the environmental factors on formation of young sporophyte of U. pinnatifida was also examined in the same culture system. Maximum growth and rapid maturation of the gametophytes were observed at $12:12LD,\;17^{\circ}C$ and 60{\mu}mol\;m^{-2}s^{-1}. However, they survived in a wide range of the examined temperature, light intensity and photoperiod. Particularly they survived under continuous dark condition (0:24LD) until 210 days without any growth and maturation, but died within $10\~40$ days at $30^{\circ}C$. This suggests that optimum rendition for conservation of Undaria gametophytes is under continuous dark photoperiod at $17\~25^{\circ}C$.