• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.7 no.4
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• pp.397-402
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• 1996

A compact excimer laser was developed with coaxial type which the one line cross flow fan is only used. At 1 kHz repetitive operation, average power of KrF laser is 56 watt. In this paper, Design parameter and CR characteristic are investigated for attainment of the compact 1 kHz excimer laser. We have obtained overall efficiency of 1.2% with KrF laser gas. At this time, CR and the variation of laser output are 2.97, $\pm$9%. Laser gas volume and active volume are 10 liter, 1.8(H)$\times$1.2(W)$\times$30(L)=64.8 ㎤, respectively.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.1
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• pp.29-33
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• 2004

In this paper, we investigated the ultra-low temperature(<$150^{\circ}C$) polycrystalline silicon film on plastic substrate application using RF-magnetron sputtering and excimer laser annealing. Amorphous silicon films were deposited using Ar/He mixture gas at $120^{\circ}C$ and in-film argon concentration was less than 2%, which was measured to Rutherford Backscattering Spectrometry. At energy density 320mJ/$\textrm{cm}^2$, RMS roughness was 267$\AA$ and UV crystallinity was 62%. The grain size varies from 50nm to 100nm after excimer laser irradiation.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.71-72
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• 2006

플라스틱 기판 위에 유도 결합 플라즈마 화학적 기상 증착장치 (Inductively Coupled Plasma Chemicai Vapor Deposition, ICP-CVD) 를 사용하여 실리콘 산화막 ($SiO_2$)을 증착하고, 엑시머레이저 어널링 (Excimer Laser Annealing, ELA) 과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해, 전기용량-전압(Capacitance-Voltage, C-V) 특성과 항복 전압장 (Breakdown Voltage Field) 과 같은 전기적 특성을 개선시켰다. 에너지 밀도 $250\;mJ/cm^2$ 의 엑시머 레이저 어닐링은 실리콘 산화막의 평탄 전압 (Flat Band Voltage) 을 0V에 가까이 이동시키고, 유효 산화 전하밀도 (Effective Oxide Charge Density)를 크게 감소시킨다. $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 항복 전압장은 6MV/cm 에서 9 MV/cm 으로 향상된다. 엑시머 레이저 어닐링과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 평탄 전압은 -9V 에서 -1.8V 로 향상되고, 유효 전하 밀도 (Effective Charge Density) 는 $400^{\circ}C$에서 TEOS 실리콘 산화막을 증착하는 경우의 유효 전하 밀도 수준까지 감소한다.

• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• 1993.06a
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• pp.29-33
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• 1993

펄스레이저를 고체표면에 조사하면 광-음향효과에 의해 입사지점에서 음향파원이 형성되고 음향파원의 형태와 재료의 특성에 따라 여러 유형의 종파, 횡파 및 표면파의 음향에너지가 발생된다. 본 연구에서는 열탄성영역과 플라스마영역에서 종파와 횡파의 변위파형을 해석하여 모의실험을 수행하였다. 실험에서는 KrF엑시머레이저를 탄소강, 알루미늄, 황동에 조사하여 플라스마영역에서의 광-음향신호를 검출하였으며 이론과 비교하여 분석하였다.

• 전기의세계
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• v.49 no.1
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• pp.21-26
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• 2000

• Laser Solutions
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• v.5 no.3
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• pp.9-13
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• 2002

• Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
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• 2002.11a
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• pp.61-64
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• 2002

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.10
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• pp.908-913
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• 1997

플라즈마 화학 증착 방법에 의해 corning 7059 유리기판위에 비정질 실리콘 박막을 만들고 고온열처리, 다단계급속열처리, 일차원 선형빔(line shape beam)의 가우스 분포를 가지는 엑시머 레이저 열처리를 이용하여 고상 및 액상의 재결정화를 통해 다결정 실리콘 박막을 제작하였다. 편광된 라만 분광학(Raman spectroscopy)을 통하여 여러 가지 열처리 방법과 기판온도에 따른 다결정 실리콘 박막의 잔류응력을 조사하였다. 레이저 열처리에 의하여 결정화된 실리콘 기판의 경우, 높은 결정화된 체적량과 잔류응력을 갖으며 equaxial결정성을 갖는다. 그러나 이러한 고상 재결정화된 다결정 실리콘 박막은 라만스펙트럼에서 480$cm^{-1}$ /주위에 넓게 퍼져있어 비정질상(amorphous phase)이 함께 존재함을 알 수 있다. 고온열처리와 다단계급속열처리의 경우 잔류응력의 크기는 각각 4.07x$10^{9.}$과 4.56x$10^{9 dyne}$ $\textrm{cm}^2$이다. 또한 엑시머레이저 열처리의 경우 기판온도가 상온에서 40$0^{\circ}C$로 증가할수록 열적인 완화에 의해 잔류응력이 1.35x$10^{10}$에서 8.58x$10^{9}$dyne/$\textrm{cm}^2$으로 감소하는 것을 알 수 있다.다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.7
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• pp.1680-1686
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• 2010

Optical fiber Bragg grating to have the lowest transmitivity at 1549.9nm wavelength was fabricated using a Gaussian distributed KrF Eximer laser of 248nm lasing wavelength and a phase mask of 1.072um period. The proper alignment of an optic setup to fabricate fiber gratings was investigated and the reproductivity of the grating fabrication was examined using the obtained optimum fabrication condition in this experiment.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2006.05a
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• pp.368-370
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• 2006

자외선영역에서 발진하는 엑시머 레이저 장치의 가스 장수명화에 의한 고효율화 방안을 제안하였다. 가스수명에 대하여 불소$(F_2)$의 감소와 불순물 발생에 의한 출력 변화의 이론적 해석 결과를 보고한다.