• Membrane Journal
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• v.33 no.3
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• pp.110-126
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• 2023

In this review, the approaches, properties, and elements involved in the formation of polymeric membranes for various materials are discussed. The present research emphasizes the proficiency in several membrane formation processes such phase inversion, interfacial polymerization, stretching, track etching, and electrospinning. Additionally, the obstacles and applicability of various application manufacturing processes are addressed. Various polymeric membranes are reviewed with regard to significant surface properties such as surface roughness, surface tension, surface charge and surface functional group. Additional enhancements of popular membrane formation processes like phase inversion and interfacial polymerization are required to ensure advancements in membrane efficiency. Analysing the possibilities of modern manufacturing practices like track etching and electrospinning is also crucial.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.168-168
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• 2015

플라즈마를 이용하여 PET표면에 나노구조를 형성시킨 후 무전해 도금에 의해 구리를 코팅함으로써 플랙서블한 Cu/PET 기판을 제조하였다. 플라즈마 에칭시간을 달리하여 나노구조의 크기와 모양을 변화시켰으며 나노구조의 크기와 모양의 변화에 따른 Cu와 PET의 접합강도와 피로특성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.06a
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• pp.129-129
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• 2002

• Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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• 2005.05a
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• pp.324-328
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• 2005

스핀 밸스 트랜지스터를 소형화 할 수 있는 공정 기술을 소개한다. 스핀 밸브 트랜지스터는 두 개의 실리콘 에미터, 컬렉터 사이에 다층 자성 금속 박막이 존재하는 구조를 갖고 있는 스핀트로닉스 소자이다. SU8을 절연층으로 사용한 접촉 패드의 도입, 실리콘 온 인슐레이터의 사용, 그리고 이온빔/습식 복합에칭 공정의 적용으로 수 ${\mu}m$까지 소형화 할 수 있었다. 트랜지스터의 소형화에 따른 특성 변화는 관찰되지 않았으며, 기존의 트랜지스터와 동일한 $240\%$의 자기전류값을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.217.2-217.2
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• 2015

본 연구에서는 ITZO를 용액으로 제작하여, $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 및 광학적 특성을 분석하였다. 열처리 전 처리시간(0초~70초)을 가변하여 $O_2$ 플라즈마 처리하였다. 박막의 표면 상태를 RMS (Root Mean Square)로 비교하였다. 처리 전 표면의 거칠기는 1.38 nm이고, 50초에서 0.67nm로 표면의 상태가 좋아지며, 이후에는 RMS가 증가하여 표면 상태가 안 좋아짐을 확인하였다. 50초까지는 $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 상태의 개선된 효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면이 에칭되어 저하된 특성을 보이는 것을 확인하였다. 광학적 특성은 투과도와 밴드갭으로 차이를 확인하였다. 가시광선 영역 (380 nm~770 nm)에서의 투과도는 92%에서 90%로 감소하였고, 밴드갭은 3.64eV에서 3.57eV로 줄어들었다. $O_2$ 플라즈마 처리 시간에 따라 개선효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면에 결함을 야기하여 표면 및 광학적 특성의 저하를 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.222-222
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• 2011

용량성 결합 플라즈마는 반도체 및 디스플레이 공정에서 널리 쓰이기 때문에 그 방전 특성에 관한 연구는 매우 중요하다. 하지만 대부분의 연구는 상대적으로 유사한 면적을 갖는 전극 구조에서 주로 진행되어 왔다. 따라서 본 연구는 두 전극의 면적 차이가 매우 큰 비대칭 구조를 갖는 용량성 결합 플라즈마에서 방전 특성을 측정하였으며, 전력 소비 모드 전이와 플라즈마 밀도와의 상관관계에 관한 연구를 진행하였다. 인가 전력 또는 방전 전류가 증가함에 따라서 플라즈마에 전달된 전력은 초기에는 선형적으로 증가하다가 점차적으로 급격히 증가하였으며, 방전 저항은 감소하다가 증가하는 형태의 전이를 보였다. 전달 전력과 방전 저항의 변화는 용량성 결합 플라즈마에서 초기에는 대부분의 전력이 플라즈마 내의 전자에 의해 소비되다가 점차 쉬스 내의 이온의 가속 에너지로 소비되는 전력 소비 모드 전이에 의한 것이며, 이로 인해 플라즈마 밀도는 처음에는 큰 폭으로 증가하다가 그 증가 폭이 줄어들었다. 이러한 방전 특성에 관한 연구는 다양한 아르곤 압력 범위에서 인가 전력을 증가시킴에 따라서 실험하였으며, 스퍼터, 에칭 등 산업용 플라즈마 공정에서 최적의 방전 조건 형성을 위해 큰 도움이 되리라 예상된다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.6 no.2
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• pp.145-152
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• 2003

Capacitance of a hybrid capacitor that has characteristics of both electrolyte capacitor and supercapacitor is determined by anode surface covered with oxide layer. In this study, optimal condition processes for anode to fabricate a high voltage hybrid capacitor was investigated. We mixed aluminum powder having mean particle size of $40{\mu}m$ with NaCl powders at weight ratio of 4 : 1 and prepared a disk type electrode after annealing at various temperature. After dissolving NaCl in $50^{\circ}C$ distilled water, heat treatment, eletropolishing, chemical treatment, and the first and the second etching of Al disk were conducted. In each process, capacitances and resistances of the disk measured by ac-impedance analyzer were compared to find its optimum treatment condition. Also, the surface morphology of treated disks were observed and compared by SEM. After the second etching, the Al disk was anodized at 365V to make an anode of hybrid supercapacitor that can be operated at 300V, Capacitance and resistance of the anodized Al disk electrode was compared with those of commercialized conventional aluminum electrolytic capacitor at different frequencies.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.14 no.2
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• pp.59-64
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• 2004

We investigated the soft magnetic properties of nanocrystalline Fe-Al-O film as etching the oxide film with ion beam etching method. It is thought that the grain size of Fe-Al-O film increases as the thickness decreases. The coercivity and squareness increase with decreasing thickness. The surface curvature of Am images increases when the etching experiment proceeds. This phenomena could be due to the grain growth which occurs during sputtering. This grain growth could be assisted by the the plasma energy during sputtering. Therefore proper thickness should be searched to acquire the good soft magnetic properties for the nanocrystalline film material. Good soft magnetic properties of Fe-Al-O film was acquired at the thickness of more than 900 nm.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.48-48
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• 2009

최근 빠른 동작속도와 고 집적도를 얻기 위해 metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) 의 크기는 계속 해서 줄어들고 있다. 동시에 게이트의 절연층도 얇아지게 된다. 절연층으로 사용되는 $SiO_2$ 의 두께가 2nm 이하로 얇아 지게 되면 터널링에 의해 누설 전류가 발생하게 된다. 이 문제를 해결하기 위해 $SiO_2$ 를 대체할 고유전체 물질의 연구가 활발하다. 고유전체 물질 중에는 $ZrO_2,\;Al_2O_3,\;HfO_2$ 등이 많이 연구 되어 왔다. 하지만 유전상수 이외에 band gap energy, thermodynamic stability, recrystallization temperature 등의 특성이 좋지 않아 대체 물질로 문제점이 있다. 이를 보안하기 위해 산화물을 합금과 결합시키면 서로의 장점들이 합쳐져 기준들을 만족하는 물질을 만들 수 있고 $HfAlO_3$가 그 중 하나이다. Al를 첨가하는 이유는 문턱전압을 낮추기 위해서다. $HfAlO_3$는 유전상수 18.2, band gap energy 6.5 eV, recrystallization temperature 800 $^{\circ}C$이고 열역학적 특성이 안정적이다. 게이트 절연층은 전극과 기판사이에 적층구조를 이루고 있어 이방성인 드라이 에칭이 필요하고 공정 중 마스크물질과의 선택비가 높아야한다. 본 연구는 $HfAlO_3$박막을 $BCl_3/Ar,\;N_2/BCl_3/Ar$ 유도결합 플라즈마를 이용해 식각했다. 베이스 조건은 RF Power 500 W, DC-bias -100 V, 공정압력 15 mTorr, 기판온도 40 $^{\circ}C$ 이다. 가스비율, RF Power, DC-bias, 공정 압력에 의한 마스크물질과 의 선택비를 알아보았다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.18 no.7
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• pp.796-808
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• 2007

In this paper, two novel compact microstrip bandstop filters using complimentary split ring resonators(CSRRs) and spiral resonators is proposed. The first one is the bandstop filter using an array of CSRRs etched on the center line of a microstrip. The bandstop is due to the presence of negative effective permittivity and positive permeability near resonant frequency which prevent the wave propagation. The second on is the bandstop filter using an array of spiral resonators etched on the center line of a microstrip. The bandstop is due to the self-resonance of spiral circuit. We have achieved controllable resonance frequency and bandwidth, super compact dimension, low insertion losses in the passband and high level of rejection in the stopband with sharp cutoff. The electrical sizes of two proposed filter are very small. Additionally, they can be easily fabricated and compatible with MMIC or PCB technology.