• Title/Summary/Keyword: 에너지 흡수량

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Effect of DC bias on structure of hydrogenated amorphous silicon and microcrystalline silicon

  • 이윤정;주성재;임승현;윤의준
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.84-84
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    • 2000
  • 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)과 미세결정질 실리콘 ($\mu$c-Si:H)은 저온.건식 공정인 PECVD로 값싼 유리 기판을 사용하여 넓은 면적에 증착이 가능하다는 큰 장점으로 인해 광전소자(photovoltaic device)와 박막 트랜지스터(TFTs)등에 폭넓게 응용되어 왔으며 최근에는 nm 크기의 실리콘 결정(nc-Si)에서 가시광선 영역의 발광 현상이 발견됨에 따라 광소자로서의 특성을 제어하기 위해서는 성장 조건과 공정 변수에 따른 구조 변화에 대한 연구가 선행되어야 한다. 본 연구에서는 UHV-ECR-PECVD 법을 이용하여 H2로 희석된 SiH4로부터 a-Si:H과 $\mu$c-Si:H를 증착하였다. 그림 1은 SiH4 20sccm/H2 50sccm/25$0^{\circ}C$에서 기판의 DC bias를 변화시키면서 박막을 증착시킬 때 나타나는 박막의 구조 변화를 raman spectrum의 To phonon peak의 위치와 반가폭의 변화로 나타낸 것이다. 비정질 실리콘 박막은 DC bias를 증가시킴에 따라 무질서도가 증가하다가 어떤 critical DC bias에서 최대치를 이룬후 다시 질서도가 증가한다. 이온의 충격력에 의해 박막내에 응력이 축적되면 박막의 에너지 상태가 높아지고 이 축적된 응력이 ordering에 대한 에너지 장벽을 넘을 수 있을 만큼 커지게 되면 응력이 풀리면서 ordering이 가능해지는 것으로 생각된다. 그림 2는 수소 결합 형태의 변화이다. 박막의 무질서도가 증가할 경우 알려진 바와 같이 2000cm-1근처의 peak은 감소하고 2100cm-1 부근이 peak이 증가하는 현상을 보였다. 본 논문에서는 여러 공정 변수, 특히 DC bias에 따르는 박막의 구조 변화와 다른 성장 조건(온도, 유량비)이 critical DC bias나 결정화, 결정성 등에 미치는 영향에 대한 분석결과를 보고하고자 한다.등을 이용하여 광학적 밴드갭, 광흡수 계수, Tauc Plot, 그리고 파장대별 빛의 투과도의 변화를 분석하였으며 각 변수가 변화함에 따라 광학적 밴드갭의 변화를 정량적으로 조사함으로써 분자결합상태와 밴드갭과 광 흡수 계수간의상관관계를 규명하였고, 각 변수에 따른 표면의 조도를 확인하였다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다. 이것은 quinua 대체량 증가에 따른 반죽의 안정성이 저하되어 버린 것으로 생각되어진다. 더욱이 lipase를 첨가하면 반죽이 분화하는 경향이 보여졌지만 첨가량 75ppm에 있어서 상당히 비용적의 증대가 보였다. 이것은 lipase의 가수분해에 의해

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Research of luminescent characteristics of ZnS:CuCl powder electroluminescent device according to the doping concentration of CuCl and frequency of the applied voltage (ZnS:Cu,Cl 후막형 전계 발광 소자의 CuCl 첨가량과 인가 전압의 진동수에 따른 발광 특성 연구)

  • Park, Yong-Kyu;Sung, Hyun-Ho;Cho, Whang-Sin;Lee, Jong-Chan;Park, Dae-Hee
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2000.04b
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    • pp.22-25
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    • 2000
  • ZnS:Cu,Cl 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼 측정 결과 주게인 $Cl^-$ 이온과 받게인 $Cu^+$ 이온 사이의 흡수와 발광에 기인하는 peak과 국소화된 발광 중심인 $(CU_2)^{2+}$ 이온의 흡수와 발광에 기인하는 peak이 관측되었다. CuCl의 첨가량이 증가함에 따라 $Cu^+$ 이온의 농도가 증가하게 되어 $(Cu_2)^{2+}$ 이온에 기안하는 발광으로부터 공명 에너지 전달 (Resonant Energy Transfer)의 확률이 높아지기 때문에 513 nm를 중심으로 하는 발광의 세기가 증가하게 된다. 자체 제작한 ZnS:Cu,Cl 형광체를 이용하여 제작한 소자의 휘도 측정결과 400 Hz, 100 V 에서 CuCl 의 첨가량이 0.2 mole% 일 때 휘도가 최대였고, 진동수가 증가함에 따라 휘도가 포화되는 현상이 나타났다. CuCl의 첨가량이 증가함에 따라 513 nm를 중심으로 하는 발광이 강해지고 CIE 좌표값이 녹색영역으로 이동하게 된다. 진동수가 증가하면 인가된 전압의 유지 시간이 짧아지게 되어 발광의 감쇄시간이 긴 513 nm를 중심으로 하는 발광보다 감쇄시간이 짧은 458 nm를 중심으로 하는 발광이 강해지게 되고, CIE 좌표값이 청색영역으로 이동하게 된다.

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Growth Characteristics of Net melon and Leaf vegetables to used the Capillary Supplying System (모관양액공급시스템을 이용한 네트멜론 및 엽채소 생육특성)

  • 장전익;김성배
    • Proceedings of the Korean Society for Bio-Environment Control Conference
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    • 2003.04a
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    • pp.30-33
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    • 2003
  • 최근 건강에 대한 인지도가 높아감에 따라 농산물의 안정성 요구도가 증가되고 있으며 환경농업의 필요성이 크게 대두되고 있고, 서구식 식문화의 급속한 도입으로 패스트푸드 식품과 육류 소비량의 증가로 신선채소의 소비가 증가되고 있는데 이에 따른 생산비 절감과 안정생산 기술이 요구되고 있다. 따라서 양액 공급에 따른 전력 등 에너지가 필요치 않고 일종의 폐쇄식 수경재배 방법으로써 작물이 주위 환경에 따라 양수분 흡수량이 다르므로 모세관 현상으로 배지내의 수분이 작물의 흡수한 만큼 공급되어 이용되고 배액이 없으므로 공해의 염려가 없고 고품질 채소의 저비용 생산이 가능한 새로운 모관양액공급시스템을 이용하여 양액공급시스템의 효율성을 검정하고 네트멜론과 몇 가지 엽채소의 생육특성을 구명코자 수행하였다. (중략)

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Selection of Poplar Clones for Short Rotation Coppice in a Riparian Area (수변지 단벌기 목재에너지림에 적합한 포플러 클론 선발)

  • Kim, Hyun-Chul;Lee, Sol-Ji;Lee, Wi-Young;Kang, Jun-Won
    • Journal of Korean Society of Forest Science
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    • v.105 no.1
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    • pp.103-107
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    • 2016
  • This study aims to select the most appropriate poplar clones for planting on short rotation coppice poplar plantations in a riparian area. The research investigated biomass production, nitrogen and carbon absorption with 2-year-old poplar (Populus spp.) clones including P. euramericana clone Eco28, P. deltoides hybrid clone 97-18, and P. alba ${\times}$ P. glandulosa hybrid clone 72-30. The average number of stems per stump was five and P. euramericana clone Eco28 had the greatest average number of live stems per stump with 5.9. The average stem diameter was 23.2 mm, and P. deltoides hybrid clone 97-18 achieved the largest average diameter with 25.4 mm. The average annual above-ground biomass production of Populus deltoides hybrid clone 97-18 was 16.1 ton/ha/year, followed by P. alba ${\times}$ P. glandulosa hybrid clone 72-30 and P. euramericana clone Eco28, 12.3 and 5.4 ton/ha/year, respectively. The average annual nitrogen uptake of poplar clones was 46.5 kg/ha/year. P. alba ${\times}$ P. glandulosa hybrid clone 72-30 had the highest average, 63.1 kg/ha/year. The average of annual carbon absorption was estimated 5.3 ton/ha/year and Populus deltoides hybrid clone 97-18 showed the best results with 7.7 ton/ha/year. Based on the results given above, P. deltoides hybrid aspen clone 97-18 is considered as the most suitable poplar clones for wood biomass production on riparian areas.

RF-PECVD로 성장시킨 $a-Si_{1-x}C_x:H$ 박막의 증착조건에 따른 광학적 특성 분석

  • 박문기;김용탁;홍병유
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.76-76
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    • 2000
  • 최근 비정질 SiC 박막은 열과 광안정도면에서 비정질 Si 박막에 비해 우수하며 공정변수들을조절함으로써 비교적 쉽고 다양하게 광학적.전기적 특성을 얻을 수 있고, 낮은 광흡수계수 및 105($\Omega$cm)1 이상의 높은 전도도를 가지고 있어 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)을 통해 가전자제어 (Valency electron control)가 가능한 비정질 SiC 박막이 제작된 이래 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 결정성이 없는 비정질 물질은 상대적으로 낮은 온도에서 성장이 가능하며, 특히 glow-sidcharge 방식으로 저온에서 성장시킬 수 있음에 따라 유리등과 같은 다른 저렴한 물질을 기판으로 이용, 넓은 면적의 비정질 SiC 박막을 성장시켜 여러 분야의 소자에 응용되고 있다. 비정질 SiC 박막이 넓은 에너지띠 간격을 갖는 물질이라는 점과 화학적 안정성 및 높은 경도, 비정질성에 기인한 대면적 성장의 용이성 등의 장점이외에, 원자의 성분비 변화에 의해 에너지띠 간격(1.7~3.1eV)을 조절할 수 있다는 점은 광전소자의 응용에 큰 잠재성이 있음을 나타낸다. PECVD 방식으로 성장된 비정질 SiC 박막은 태양전지의 Window층이나 발광다이오드, 광센서, 광트랜지스터 등에 응용되어 오고 있다. 본 연구에서는, RF-PECVD(ULVAC CPD-6018) 방법에 의하여 비정질 Si1-xCx 박막을 2.73Torr의 고정된 압력에서 RF 전력(50~300W), 증착온도(150~30$0^{\circ}C$), 주입 가스량 (SiH4:CH4)등의 조건을 다양하게 변화시켜가며 증착된 막의 특성을 평가하였다. 성장된 박막을 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS), UV-VIS spectrophotometer, Ellipsometry, Atomic Force Microscopy(AFM)등을 이용하여 광학적 밴드갭, 광흡수 계수, Tauc Plot, 그리고 파장대별 빛의 투과도의 변화를 분석하였으며 각 변수가 변화함에 따라 광학적 밴드갭의 변화를 정량적으로 조사함으로써 분자결합상태와 밴드갭과 광 흡수 계수간의상관관계를 규명하였고, 각 변수에 따른 표면의 조도를 확인하였다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다.

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이온 조사에 따른 전도성 고분자의 Photoluminescecne (PL) 변화 연구

  • 이철수;주진수;고석근
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.200-200
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    • 1999
  • ^g , pp V (Poly-para phenylene vinylene) 유도체와^g , pp P(Poly-para phennylene) 유도체에 Ar, H2, N2 및 O2 등의 이온을 조사하여 PL(Photoluminescence)의 변화를 실험하였다. 각각의 전도성 고분자는 ITO9indium tin oxide)가 증착되어 있는 유리기판위에 spin coating을 하였으며 이렇게 처리된 전도성 고분자의 표면에 이온을 조사하였다. 여기에서 조사된 이온의 가속 에너지는 300eV에서 700eV까지 변화시켰고 이온 조사량은 1$\times$1013ions/cm2에서 1$\times$1017ions/cm2까지 변화시켰다. 이때 이온빔의 전류밀도는 0.2$\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$이하로 고정하였으며 chamber내의 진공도는 $1.5\times$10-4Torr를 유지하였다. 이온 빔처리후 불안정한 고분자의 표면이 대기와 반응하는 것을 어느정도 방지하기 위해 이온 빔으로 처리된 시료를 chamber의 내부에 일정시간동안 방치하였다. Ar, H등의 이온으로 처리된 MEH-PPV의 경우는 PL의 세기가 감소하였고 이온 조사량이 1016ions/cm2 보다 클 때 PL의 세기는 급속히 감소하였다.^g , pp V와^g , pp P 유도체의 경우는 특정 이온 조사량에서 PL의 증가현상을 보였는데^g , pp P 도체중에서 P3의 경우를 보면 이온 빔 에너지가 300eV이고 이온 전류 밀도가 0.05$\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$인 N2이온을 조사하면 이온 조사량이 1$\times$1013ions/cm2가 될 때 PL의 세기가 39%까지 증가하였다. PL의 변화에 대한 비교를 위해 이온빔으로 처리된 시료와 처리되지 않은 시료의 UV흡수스펙트럼과 IR 흡수 스펙트럼을 분석하였다. 본 실험에 사용된 모든 시료의 PL 세기는 1016ons/cm2이상의 dose에서 급격한 감소 현상을 나타내었고 PL의 최대값을 나타내는 파장의 이동은 관찰되지 않았다.

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Compression Dynamic Performance of Glass Bubble/Epoxy Resin Adhesion (글라스버블/에폭시 수지 접착부의 극저온 압축 동적 성능)

  • Bae, Jin-Ho;Hwang, Byeong-Kwan;Lee, Jae-Myung
    • Composites Research
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    • v.32 no.2
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    • pp.90-95
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    • 2019
  • Sloshing impact loads on liquefied natural gas (LNG) carr iers are the main issue of damage to the insulation system in LNG cargo containment system (LNG CCS). The damage to the insulation system would be fatal in maintaining a temperature-savings environment in LNG CCS. The typical method is to enhance the insulation materials that can maintain a constant cryogenic temperature. Insulation materials consist of polyurethane foam and plywood, an adhesive for bonding these two materials. This study intends to improve the absorption energy of the material when the impact load is applied by creating a glass bubble/epoxy composite resin as part of the insulation. The experimental scenarios consider the effect of temperature ($20^{\circ}C$, $-163^{\circ}C$), glass bubble weight fraction in epoxy resin through free fall experiments. Experiments have shown that if the glass bubble additive reaches 20 wt.%, the cryogenic absorption energy is a maximum performance and that 0 wt.% has a maximum ambient absorption energy. However, the agglomeration has been occurred due to deterioration of the stirring performance if weight fraction was 20 wt.% and the result of 0 wt.% have been revealed that ambient absorption energy is significantly lower.

A Kinetic Study on the Hydration Process of Barley Kernels with Various Polishing Yields (도정수율별 보리의 수화공정(水和工程)에 관(關)한 속도론적(速度論的) 연구(硏究))

  • Mok, Chul-Kyoon;Lee, Hyun-Yu;Nam, Young-Jung;Min, Byong-Yong
    • Korean Journal of Food Science and Technology
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    • v.15 no.2
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    • pp.136-140
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    • 1983
  • The hydration characteristics of barley kernels with various polishing yields were investigated at temperatures of $20-60^{\circ}C$ and their sorption kinetics were studied. The moisture gain in initial stage of hydration was directly proportional to square root of hydration time and there was a break point at the moisture gain of 0.45-0.55g $H_2O/g$ solid. The hydration rate was great in order of polishing yield of 50, 70, 95, 90 and 100%, and increased with increasing hydration temperature. The diffusivity of water into barley kernels followed Arrhenius equation, and the activation energies in hydration reaction of polished barley were ranged from 6.9 to 9.5 Kcal/mole and that of non-polished one was 11.6Kcal/mole.

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신기술.신이론 - 양계사의 암모니아 방출 감소

  • Go, Tae-Song
    • Monthly Korean Chicken
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    • v.18 no.2
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    • pp.122-127
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    • 2012
  • 계사내 공기중의 암모니아 농도 감소 목적으로 식물 기원 소화율 촉진제(phytogenic digestibility enhancer) 사용이 가능하다. 이 소화율 촉진제는 사료 설계 명세서 내 특정 성분(조단백질)을 감소시키고 영양소 이용성을 개선하여 동물생산성을 향상시키기 때문이다. 조단백질 함량이 낮은 사료 급여는 가금에게 적정 요구량 이상 흡수된 단백질(excess protein)의 뇨산(尿酸 : uric acid) 전환에 에너지를 소비하지 않아서 열역학적 이점(熱力學的 利點 : energetic advantage)이 있고, 이 에너지는 유익한 성장에 사용이 가능하도록 존재한다. 더욱이 동물 사료 중 조 단백질 1%는 약 3% 더 많은 물의 섭치가 필요하고, 그 중 80%는 다시 배설되므로 단백질 함량 적정화 사료들(protein optimized diets)은 음수 요구량을 감소시킨다. 이러한 단백질 적정화 사료는 동물 사육업자들에게 관심의 대상으로 명확한 경제적 이득이 발생한다.

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방전으로 인한 화학반응과 그의 응용

  • 이덕출
    • 전기의세계
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    • v.34 no.11
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    • pp.671-677
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    • 1985
  • 지금까지 알려진 방전반응은 이외로 수가 많지만 이들을 정연하게 분리해본다는 것은 쉽지않다. 일반적으로 방전으로 인하여 화학반응은 물질에 전기에너지를 흡수시키면서 행하는 기술이고 전기적입력량을 화학적입력량으로 변환할때 복잡한 조작 파라미터를 솜씨좋게 조절해야한다. 대부분의 반응을 보면 어떠한 방전형식으로 그의 반응물질을 방전처리 하고 혹은 그중에서 방전을 행하게 하고 생성물을 분석한 것이다. 반응의 단순화 혹은 생성물이 1차 혹은 부착적으로 이루어진 것인가에 대한 검토는 적고 어떤계는 방전처리하면 이와같이 되었다고 한 예에 지나지 않는다고 본다. 방전형식에 의한 차이, 방전조건 가령 전극의 성질, 구조 및 배치, 가스압력, 조성온도, 유속 및 방전전류에 의해서도 물론 반응내용에 다소 차이가 있다고 생각된다. 특히 방전반응의 큰 결점은 소요의 소과정만을 일으키게 하는 에너지를 선택적으로 투입할 수 없는점 예를 들면 방전을 행하기 위하여는 전자가 전계내에서 가속되어 분자를 이온화하는 경우 동시에 분자의 여기 해리도 일으키는 상태가 있음으로 분자의 해리 과정만을 단일로 일으키게 하는 것은 곤란하다. 따라서 반응의 단순화가 얻을 수 없다.

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