• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.23 no.6
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• pp.309-313
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• 2013

Silicon carbide (SiC) has recently drawn an enormous industrial interest because of its useful mechanical properties such as thermal resistance, abrasion resistance and thermal conductivity at high temperature. Especially, high purity SiC is applicable to the fields of power semiconductor and lighting emitting diode (LED). In this work, high purity carbon powders as raw material for high purity SiC were prepared by a RF induction thermal plasma. Dodecane ($C_{12}H_{26}$) as hydrocarbon liquid precursor has been utilized for synthesis of high purity carbon powders. It is found that the filtercollected carbon powders showed smaller particle size (10~20 nm) and low crystallinity compared to the reactor-collected carbon powders. The purities of reactor-collected and filter-collected carbon powders were 99.9997 % (5N7) and 99.9993 % (5N3), respectively. In addition, the impurities of carbon powders synthesized by RF induction thermal plasma were mainly originated from the surrounding environment.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.38 no.8
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• pp.887-892
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• 2014

In a conventional magnetic abrasive polishing process, the polishing abrasives are mixed with ferrous particles and slight cutting oil to form a cluster of abrasives. However, when a tool rotates at a high revolution speed, most of the polishing abrasives are scattered away from it due to the increase in centrifugal force. This phenomenon directly reduces the polishing efficiency. The use of a highly viscous matter such as silicone gel instead of cutting oil for mixing is one method to solve this problem and increase abrasive adhesion. Another method to avoid high abrasive scattering is the application of wet magnetic abrasive polishing (WMAP). In WMAP, abundant mineral oil is preliminarily applied to the workpiece surface. This study experimentally evaluated the effect of WMAP on abrasive adhesion. The relationship between the amount of working abrasives and polishing conditions was characterized. Despite the lower adhesion ratio of polishing abrasives, the surface roughness was found to be significantly improved as the result of WMAP.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2009.02a
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• pp.491-492
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• 2009

We have fabricated a microlens integrated silicon (Si) structure for optical interconnects. To form microlenses, the Si wafer was wet-etched with $SiN_x$ mask in a HF:$HNO_3:C_2H_4O_2$ solution and then the holes were filled with a AZ9260 photoresist. The focal length of microlens increased in proportional to its radius of curvature (ROC). For the ROC of $100-161{\mu}m$, the focal lengths were obtained approximately between $160{\mu}m$ and $310{\mu}m$, in an agreement with the simulated values using a ray tracing method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.562-562
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• 2013

산소 플라즈마는 음이온을 발생시키는 음전성 플라즈마로서 감광제 세정이나 금속, 폴리실리콘 등의 식각을 위해 할로겐 가스와 혼합하여 반도체나 디스플레이 공정에 광범위하게 사용되고 있다. 산소 플라즈마는 아르곤 플라즈마와 그 특성이 상이하고, 다량의 음이온이 국부적으로 만들어지므로 음이온의 공간분포 진단이 중요하다. 본 연구에서는 평판형 부유형 탐침에 고조화파 분석법을 적용하여 양이온의 밀도를 구하고, 직류 차단 커패시터를 제거하여 접지전위에서 전자 전류 측정을 통하여 위치에 따른 전자의 상대적인 공간 분포를 얻었다. 이러한 방법으로 측정된 양이온과 전자의 공간 분포로부터 음이온의 공간 분포를 구할 수 있었다. 가스 압력, 산소 첨가량, 인가 전력 등 여러 조건에서 측정된 음이온의 분포는 이론적인 경향성과 유사함을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1918-1920
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• 2001

초소형 히트파이프는 고집적 반도체 소자에서 발생되는 열을 효과적으로 소산하기 위한 열교환 장치이다. 초소형 히트파이프는 작동유체가 상 변화 잠열을 이용한 칩 레벨의 냉각 장치이다. 작동유체는 진공으로 밀봉된 공간내에서 외부 동력 없이 모세관력에 의하여 이동한다. 본 논문에서는 실리콘보다 열전도도가 우수하여 발생되는 열을 더욱 빠르게 소산시킬 수 있는 구리 모재의 초소형 히트파이프를 제작한다. 특히, 모세관력은 히트파이프의 성능을 좌우하는 요소이다. 모세관력 향상을 위해서 구리 전기도금으로 이용하여 홈(groove)부분을 제작한다. 윅(wick) 제작, 구리판 접합, 작동유체 충전등으로 초소형 히트파이프를 제작한 후, 성능 실험한 결과를 보여준다.

• 한국가시화정보학회:학술대회논문집
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• 2004.04a
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• pp.19-28
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• 2004

유동장의 특성을 구분할 수 있는 척도는 평균자유행로와 특성거리의 비인 누센수이다. 누센수에 따라서 유장은 연속체영역, 미끄럼영역, 천이영역, 및 자유분자영역으로 나누어진다. 고고도에서 비행체 주위의 유동장, 진공에서의 유동장 등이 비연속체영역 즉 저밀도유동장에 해당된다. 비연속체영역에 해당되는 또 다른 중요한 분야는 미세 유동장이다. 최근에 관심이 대두되고 있는 미세항공기(MAV)와 실리콘혁명 이래 유망한 미래기술중의 하나인 MEMS 장치 주위의 유동장 등이 바로 미세 유동장이다. 비연속체영역에서 유체의 이동 및 전달현상을 기술하기 위하여는 Boltzmann 방정식을 해석하여야한다. Navier-Stokes 방정식을 이용한 기존의 CFD 기법이 적용되지 않는 새로운 유동영역이기 때문이다. 본 발표에서는 Boltzmann 방정식의 유력한 해법인 직접모사(Direct Simulation Monte Carlo)법을 이용한 저밀도 유동장 해석이 소개될 것이다. 또한 직접모사법이 이용되기 어려운 다양한 저속 유동장에 대한 해석결과도 소개될 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.310-310
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• 2010

태양전지의 양자효율이란 입사되는 광자 수에 대한 태양전지에 의해 수집되는 캐리어 수의 비를 의미한다. 본 연구에서는 결정질, 다결정질, 비정질 실리콘 태양전지 양자효율 측정 정확도 향상에 대하여 연구하였다. 태양전지 양자효율 측정에 어떠한 변수들이 영향을 미치고 정확한 측정을 하기위해서는 측정을 어떻게 하여야 하는가에 대한 실험을 하였다. 태양전지 특성분석은 실제 사용 환경에 맞도록 표준측정조건(standard test condition: STC)에서 측정한 데이터를 사용하여야 한다. 이 표준측정조건은 AM1.5G 스펙트럼, $100\;mW/cm^2$의 강도 및 온도 $25^{\circ}C$에서의 측정을 말한다. 조건에 맞지 않는 측정을 할 경우 어떠한 변화가 있는지와 어떻게 측정을 하는 것이 정확한 측정인가에 대한 연구를 진행하였다. 바이어스 광의 강도와 쵸핑 주파수에 따라 측정을 진행하였고, 태양전지의 분광반응도(spectral response: SR)를 측정하여 이를 이용하여 양자효율을 계산하였고, 양자효율 결과를 토대로 분석을 진행하였다.

• The Korean Journal of Rheology
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• v.10 no.3
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• pp.143-151
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• 1998

실리콘 오일에 인산처리 셀룰로오스 분말을 분산시킨 비수계 전기유변성(ER) 유체 의 전기유변 거동을 상온에서 최대 2.5KV/mm의 전기장하에서 실험하였다. 넓은 온도 영역 에서 사용이 가증한 비수계 ER 유체를 개발하기 위해 셀룰로오스의 인산 에스테르 반응이 ER 유체의 전기유변효과에 미치는 영향을 조사하였다. 먼저 여러 가지의 인산처리 농도로 처리된 인산처리 셀룰로오스 미립자를 분산시킨 ER 유체를 제조한 후 ER 유체의 유전상수, 전류밀도 및 전기전도도 등과 같은 전기적 특성을 측정하였으며 ER 유체의 전기유변 특성 또한 측정하였다. 인산처리 셀룰로오스가 분산된 비수계 ER 유체의 전류밀도는 셀룰로오스 의 인산 에스테르 반응에서의 인산처리 농도에 의해 조절할수 있음을 알수있었으며 셀룰로 오스의 인산처리 농도가 2.5 M과 3.0 M 사이일 때 인산처리 셀룰로오스가 첨가된 비수계 ER 유체의 전기유변효과 ($\tau$/$\tau$0)가 가장 높게 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.278-278
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• 2011

수소 중성입자빔을 이용한 silicon etching은 기존의 silicon etching 공정 가스(Fluorine이나 Chlorine 계열의 가스) 사용 시 배출되는 유해 가스로 인한 지구 온난화 방지 및 폐기물 처리에 추가적인 비용이 발생하지 않는 친환경 etching 공정이다. 본 연구에 사용된 수소 중성입자빔을 발생시키기 위한 플라즈마 소스는 낮은 압력에서 높은 플라즈마 밀도를 발생시킬 수 있는 ECR 플라즈마 소스를 사용하였으며 중성입자빔의 에너지를 조절할 수 있는 중성화판과 플라즈마로부터의 전하손상을 방지할 수 있어 charge free 공정을 가능하게 하는 Limiter로 구성되어 있다. 본 연구에서는 플라즈마 밀도, 공정 압력 그리고, 중성입자빔의 에너지를 조절하여 수소 중성입자빔을 이용한 poly-crystal silicon과 a-Si:H 간의 etch rate와 etching selectivity를 관찰하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1993.07b
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• pp.1277-1279
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• 1993

As a highly information-oriented society developes, various kinds of amorphous semiconductor devices, such as solar cells, electrographic printers, image sensors, and flat-panel televisions, have been developed as man/machine interfaces. This paper proposed the laser CVD techniques to deposit hydrogenated amorphous silicon thin film on glass or dielectric substrate at low temperatures. Varying the deposition conditions, we examined optical and electrical charateristics of a-Si:H film deposited by Laser CVD.