10 V이하의 프로그래밍 전압을 갖는 $Ta_{2}O_{5}/SiO_{2}$ 로 구성된 안티휴즈 소자
($Ta_{2}O_{5}/SiO_{2}$ Based Antifuse Device having Programming Voltage below 10 V)
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- 센서학회지
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- 제4권3호
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- pp.80-88
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- 1995