• The Optical Journal
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• s.170
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• pp.54-58
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• 2017

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.2
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• pp.165-170
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• 1995

This paper describes the fabrication and characteristics of a Si Hall sensor fabricated on a SOI (Si-on-insulator) structure. The SOI structure was formed by SDB(Si-wafer direct bonding) technology and the insulator of the SOI structure was used as the dielectrical isolation layer of a Hall sensor. The Hall voltage and sensitivity of the implemented SDB SOI Hall sensors showed good linearity with respect to the applied magnetic flux density and supplied current. The product sensitivity of the SDB SOI Hall sensor was average 600V/A.T and its value has been increased up to 3 times compared to that of bulk Si with buried layer of 10.mu.m. Moreover, this sensor can be used at high-temperature, high-radiation and in corrosive environments.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2003.06a
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• pp.113-115
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• 2003

우리가 타자기로 글을 쓸 때는 먹지리본을 햄머가 가격하여 종이 위에 글씨 청태의 먹이 묻는 원리로 진행된다. 이러한 원리를 미세 패터닝에 응용하여, 해머 역할을 하는 Nd-YAG 레이저로 유리기판/100nm Cr(먹지)// 실리콘기판 (종이) 구조의 적충물에 조사시켜 Cr이 실리콘기판 위에 전사됨으로써 미세 패터닝이 가능한지 확인하였다. 제안된 미세 패터닝은 TeraBit/in²급 고밀도 정보저장 또는 반도체 공정의 생산성 향상을 위해 응용이 가능하다. 선폭 50 ㎛급 레이저를 주사속도 200과 1500 ㎜/s, Q스위치 조건을 10,000～50,000 ㎐로 변화시키며 마킹을 실시한 결과 Cr의 전사는 진행되지 않았으나, 최종적으로 입사 선폭의 33％ 이하로 마킹이 가능하여 비싼 광학계를 가진 레이저를 대치하여 보다 정말한 마킹이 가능함을 확인하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.4 no.3
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• pp.317-321
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• 2003

A conventional typewriter types letters by hammering a carbon ribbon which is attached at a paper. The laser typing process which write a micro pattern of Chrome on a silicon wafer has been developed. A glass that is coated with 100 nm Chrome (Carbon ribbon) is attached on a silicon wafer (paper). An Nd-Yag laser (hammer) is irradiated on the glass, and the Chrome is transferred on the silicon wafer. Micro patterns are made by controlling laser beam trajectory. The suggested micro pattering can be used at the high density data storage of TeraBit/in$^2$ or at the improvement of productivity of semiconductor manufacturing procedure.

• The Optical Journal
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• s.118
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• pp.60-63
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• 2008

7월호와 9월호에 이어 최근 관심이 고조되고 있는 태양전지에 대해 다루고 있다. 이번호는 마지막 시간으로 주택용 태양전지인 다결정 실리콘 태양전지의 전망에 대해 알아본다. 본 원고에서는 다결정 실리콘 태양전지의 변환효율향상 시도에 대해서 개괄한 후, 최근의 연구개발에서 달성된 고효율화 기술에 관한 성과를 소개한다. 각각의 특징을 비교하고 다결정 실리콘 태양전지의 고효율화 기술을 실용화할 때의 지침에 대해서 언급하겠다. 그리고 기판의 저 코스트화와 원료이용효율의 향상책으로서 이미 실용화레벨이 달하고 있는 슬라이스레스 실리콘기판기술에 대해서 비교검토하고, 이후의 지침에 대해서 언급하겠다. 마지막으로 이후의 초박형 Cast기판 태양전지를 전망하겠다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.06a
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• pp.871-874
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• 1998

A new transmission line parameter extraction method of iC interconnects on silicon substrate is presented. To extract the acurate parameters, the silicon substrate effects were taken into account. Since the electromagnetic fields under the silicon substrate are propagated with slow wave mode, effective dielectric constant and different ground plane with the multi-layer dielectric structures were employed for inductance and capacitance matrix determination. Then accurate signal transients simulation were performed with HSPICE by using the parameters. It was shown that the simulation resutls has an excellent agreement with TDR/TDT measurements.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.216-217
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• 2002

최근의 반도체 제조기술의 급속한 발달로 인하여 시스템의 소형화ㆍ경량화의 추세가 증가하고 있다. 특히 휴대용 전화기, PCS 등 정보통신기기의 소형화 및 경량화의 추세가 두드러지게 나타나고 있다. 또한 각종 부품의 동작 가능 주파수 대역이 종전의 kHz 또는 MHz 대역에서 GHz 대역으로 옮겨지고 있는 추세에 있다[1]. 이러한 추세 중 인덕터의 소형화ㆍ경량화 기술은 반도체 제조기술을 이용해 실리콘기판 등의 위에 평면 모양의 코일을 만드는 박막 인덕터가 이용되고 있다. (중략)

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.5
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• pp.356-363
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• 1998

Using the results analyzed by FEM(Finite Element Method). the microheaters with the stress-balanced $Si_3N_4$(150 nm)/$SiO_2$(300 nm)/$Si_3N_4$(150 nm) diaphragms were fabricated by silicon micromachining techniques. Pt was used as microheater materials. Pt temperature sensor was fabricated to measure the temperature of microheaters. Resistance of temperature sensor and power dissipation of microheater were measured and calculated at the various temperatures. The thermal distribution of heater was examined by a IR thermoviewer. Measured and simulated results are compared and analyzed. The temperature coefficient of resistance of heater was about $0.00379/^{\circ}C$. Pt heater showed the power dissipation of about 51 mW at $300^{\circ}C$ and a uniform thermal distribution on the surface.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.04b
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• pp.126-129
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• 2000

This paper describes on the fabrication of a SOI substrate by SDB technology and electrochemical etch-stop. The surface of the thinned SDB SOI substrate is more uniform than that of grinding or polishing by mechanical method, and this process was found to be very accurate method for SOI thickness control. During electrochemical etch-stop, leakage current versus voltage curves were measured for analysis of the open current potential (OCP) point, the passivation potential (PP) point and anodic passivation potential. The surface roughness and the controlled thickness selectivity of the fabricated a SDB SOI substrate were evaluated by using AFM and SEM, respectively.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.151-151
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• 2003

열화학기상증착법(Thermal-CVD)을 이용하여 SOI(snilicon-on-insulator)기판과 실리콘기판 상에 단결정 3C-SiC 이종박막을 동시에 성장하고, 그 특성을 비교 분석하였다. 결정성 평가로는 X-선 회절(XRD)분석과 Raman 산란 분광분석, 그리고 투과전자현미경을 이용하였고, 잔류 웅력 비교 분석으로는 laser scanning 방법 과 Raman 산란 분광분석의 3C-SiC LO peak의 위치변화, 그리고 X-선 회절분석의 3C-SiC(004) peak의 위치변화를 이용하였다. 그 결과 SOI 기판과 실리콘 기판상에 고품위의 단결정 3C-SiC 박막이 성장됨을 확인하였고, SOI 기판을 사용한 경우 실리콘 기판에 비해 성장된 3C-SiC 이종박막의 잔류 응력이 실제로 감소됨을 확인하였다.