• The Optical Journal
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• s.117
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• pp.61-65
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• 2008

초정밀 CMP가 없었다면 오늘날의 컴퓨터는 있을 수 없다. 초정밀 CMP 기술은 현재 옵토메카트로닉스 분야의 핵심 기술이고, 정보화 사회에서는 없어서는 안 될 IT 산업의 견인차가 되고 있다. 초정밀 가공 기술 중 CMP는 기능성 재료가 갖는 특이한 특성을 끌어낼 수 있는 무변형 평활 표면 가공법으로 3차원 초미세 가공을 하는 데 있어 기본이 될 것으로 기대되는 기술이다. 본 고에서는 현재 기술적으로 다른 예를 볼 수 없는 양산 베이스로 초정밀 가공이 실행되고 있는 초 LSI용 베어 실리콘 웨이퍼의 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 기술에 대해 해설하고, 디바이스화 웨이퍼의 Planarization(평탄화) CMP로의 응용에 대해 설명한다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.16 no.2 s.95
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• pp.60-67
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• 1999

Micro-fabrication techniques such as lithography and LIGA processes usually require large investment and are suitable for mass production. Therefore, there is a need for a new micro-fabrication technique that is flexible and more cost effective. In this paper a novel, economical and flexible method of producing micro-pattern on silicon wafer is presented. This method relies on selective removal of mask by mechanical cutting. Then micro-pattern is produced by chemical etching. V-shaped grooved of about 3 ${\mu}m$ wide and 2 ${\mu}m$ deep has been made on ${SiO_2}m$ coated silicon wafer with this method. This method may be utilized for making microstructures in MEMS application at low cost.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.16 no.12
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• pp.2279-2286
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• 1992

A hypereutectic Aluminum-Silicon Alloy is widely used in the parts of autombile because of high-resistance and good strength. In this study, the cutting of a hypereutectic Al-Si alloy (A390) for extraction of Si particle was experimentally investigated. By proper selection of cutting tool materials and optimization of cutting conditions, economical machining of this alloy is achieved. The surface roughness relates closely with the feed rate and cutting speed.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.8
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• pp.770-776
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• 2003

#140 mesh and #600 mesh wheels were adopted to grind (111) and (100) oriented single crystalline silicon wafer and the grinding induced change of the surface integrity was investigated. For this purpose, microroughness, residual stress and phase transformation were analyzed for the ground surface. Microroughness was analyzed using AFM (Atomic Force Microscope) and crystal structure was analyzed using micro-Raman spectroscopy. The residual stress and phase transformation were also analyzed after thermal annealing in the air. As a result, microroughness of (111) wafer was larger than that of (100) wafer after grinding. It was observed using Raman spectrum that the silicon was transformed from diamond cubic Si-I to Si-III(body centered tetragonal) or Si-XII(rhombohedral). Residual stress relaxation was also shown in cavities which were produced after grinding. The thermal annealing was effective for the recovery of the silicon phase to the original phase and the residual stress relaxation.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.81-81
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• 2009

반도체 산업의 중심 소재인 실리콘(Si)은 사용 목적과 환경에 따라 물성적 한계가 표출되기 시작했다. 그래서 각각의 목적에 맞는 재료의 개발이 필요하다는 것을 인식하게 되었다. SiC wafer는 큰 band gap energy와 고온 안정성, 캐리어의 높은 드리프트 속도 그리고 p-n 접합이 용이하다. 또한 소재 자체가 화학적으로 안정하고 $500\sim600^{\circ}C$에서 소자 제조 시 고온공정이 가능하며, 실리콘이나 GaAs에 비해 고출력을 낼 수 있는 재료이다. 반도체 소자로 이용하기 위한 wafer 가공 공정에 있어 물리적 힘에 의한 stress를 많이 받아 wafer가 휘는 현상이 생긴다. 반도체 소자의 기본이 되는 wafer가 휨 현상을 일으키면 wafer 위에 소자가 올라갈 경우 소자의 불균일성 때문에 반도체의 물성에 나쁜 영향을 미치게 된다. 그래서 반도체 소자의 기본이 되는 wafer의 휨 현상 개선이 중요하다. 본 연구에서는 산화로에서 Ar 분위기에서 압력 760torr, 온도 $1100^{\circ}C$ 부근에서의 조건으로 진행을 하여 wafer의 Flatness Tester(FT-900, NIDEK) 장비로 SORI, BOW, GBIR 값의 변화에 초점을 맞추었다. SiC 단결정을 sawing후 가공 전 wafer를 열처리하여 가공을 진행하는 것과 열처리 하지 않은 wafer의 SORI, BOW, GBIR 값 비교, 그리고 lapping, grinding, polishing 등의 가공 진행 중간 중간에 열처리를 하여 진행하는 것과 가공 진행 중간 중간에 열처리를 하지 않고 진행한 wafer의 SORI, BOW, GBIR 값의 비교를 통해 wafer의 휨 현상 개성에 관해 알아본다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.7 no.6
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• pp.1047-1055
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• 2006

We patterned nano-width lines on a super hard bulk diamond substrate by varying the ion beam current and ion beam sources with a dual beam field ion beam (FIB). In addition, we successfully fabricated two-dimensional nano patterns and three-dimensional nano plate modules. We prepared nano lines on a diamond and a silicon substrate at the beam condition of 30 kV, 10 pA $\sim$ 5 nA with $Ga^+$ ion and $H_2O$ assisted ion sources. We measured each of the line-width, line-depth, etched line profiles, etch rate, and aspect ratio, and then compared them. We confirmed that nano patterning was possible on both a bulk diamond and a silicon substrate. The etch rate of $H_2O$ source can be enhanced about two times than that of Ga source. The width of patterns on a diamond was smaller than that on a silicon substrate at the same ion beam power The sub-100 nm patterns on a diamond were made under the charge neutralization mode to prevent charge accumulation. We successfully made a two-dimensional, 240 nm-width text of the 300-lettered Lord's Prayer on a gem diamond with 30 kV-30 pA FIB. The patterned text image was readable with a scanning electron microscope. Moreover, three dimensional nano-thick plate module fabrication was made successfully with an FIB and a platinum deposition, and electron energy loss spectrum (EELS) analysis was easily performed with the prepared nano plate module.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.1
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• pp.42-47
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• 2000

The surface structure and the crystalline features in the near surface region have been investigated for CZ(Czochralski) grown Si wafers. Si wafers were annealed by RTA (Rapid Thermal Annealing) method in H$_2$ambient after mirror polished process. The densities of COPs (Crystal Originated Particles) after RTA process were remarkably decreased at the surface and in the region of 5um depth from the surface as well. terrace type surface structure which was formed by etching and re-arrangement of Si atoms during $H_2$annealing process also has been observed.

• Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
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• 2003.04a
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• pp.132-136
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• 2003

최근 셀룰로오스 섬유에 대해 위생적이고 건강성을 강조하는 항균 방취 가공을 부여하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 지구상에서 생물체에서 얻는 키틴은 셀룰로오스 다음으로 그 생산량이 많은 천연고분자 물질이다. 키토산은 키틴을 탈아세틸화 함으로써 얻어지는 다수의 아미노기를 갖는 천연다당계열의 생체적합성, 생분해성 고분자이다. 특히 키토산은 우수한 항균ㆍ방취 기능성 부여와 대전방지등의 효과를 나타내어 우수한 가공제로 사용된다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.260-260
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• 2004

연삭 가공은 대직경 반도체 웨이퍼의 경면 가공, 산업용 정밀 부품, 광학 분야의 고정밀급 렌즈 등 여러 산업 분야의 각종 정밀 부품의 마무리 공정에 적총되어 제품의 질을 좌우하는 필수적인 공정이라 할 수 있다. 이러한 연삭 가공은 높은 치수 정밀도와 양호한 표면 거칠기 및 제품의 형상을 동시에 만족시킬 수 있는 가공 기술로서 , 대직경 웨이퍼 생산에 있어서, 고정밀ㆍ고품위의 웨이퍼를 양산하는데 적합한 기술로 인식되고 있다.(중략)

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.157-158
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• 2007