• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.90-90
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• 1998

전계 에미터 어레이(FEA)는 진공에서 전계률 인가하여 전극으로부터 전자률 방출시키는 전자원으로서, 마이크로파 소자 및 명판 디스플레이, 센서 둥에 이용된다 .. Transfer Mold 법 은 뾰족한 에미터 립과 게이트 절연막 및 게이트 전극 충올 형성한 후 유리와 같은 기판에 이전 시키는 방법으로, 이러한 방법은 Mold 형태 위에 코탱 충의 두께 조절과, 게이트와 립 높이 조절이 가능하며, 그리고 유리 기판 위에 접착하여 대면적의 평판 디스플레이를 제작 할 수 었다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 실리콘 기판올 습식 식 각하여 Mold률 제작하는 방법 대선에, 측벽 스페이스 구조률 이용한 새로운 방법의 Mold 형태률 이용하여 게이트률 가진 에마터 립올 제작하였다. 먼저 실리콘 기판 위에 산화막올 증착하고 그 위에 게이트 전극파 게이트 절연막을 LPCVD 방법으로 증착하여 구명 형태로 패터닝 한 후, BPSG(Boro Phospher Silicate Glass) 박막올 증착하여 고온에서 훌러 내려 뾰족한 형태의 주형(Mold)률 제작한 후 TiN율 증착하여 정전 접합(an여ic bon벼ng)이나 레 진(resine)둥으로 유리률 접합한 후 KOH 용액으로 실리콘 기판옵 뒷면부터 식각해 낸다. 그 다옴, 립과 게이트 위에 있는 절연막올 제거한 후 뾰족한 전계 에미터 어레이륭 제조하 였다. 자세한 제조 공정 및 제작된 에미터 립의 특성은 학회에서 발표될 예정이다.

• Transactions of Materials Processing
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• v.11 no.7
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• pp.601-607
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• 2002

Optically transparent materials such as fused silica, quartz and crystal have become important in the filed of optics and optoelectronics. Laser ablation continues to grow as an important technique for micromachining and surface modification of various materials, because many problems caused by direct contact between tools and workpiece can be avoided. Especially, laser ablation with excimer lasers enables fine micromachining of transparent materials such as fused silica, quartz and crystal, etc. In this study, laser-induced wet etching of fused silica in organic solution was conducted. KrF excimer laser was used as a light source and acetone solution of pyrene was used as etchant. Changing the number of laser pulses, micro holes of various depths are fabricated.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1994.07b
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• pp.1250-1253
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• 1994

(100), (110) and (111) Si wafers are etched by isotropic etching method, anisotropic etching method using KOH etchant and EPW etchant and combined two-step etching method to compare the results. Isotopic etching method is effective in fabrication of wedge-shaped tips, especially (110) Si. Anisotropic etching method of (100) Si using EPW etchant can fabricate sharp cone-shaped tips and isotropic etching after anisotropic etching of (100) Si can fabricate wedge-shaped tips.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.19 no.2
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• pp.77-81
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• 2020

Silicon wafer etching in micro electro mechanical systems (MEMS) fabrication is challenging to form 3-D structures. Well known Si-wet etch of silicon employs potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and sodium hydroxide (NaOH). However, the existing silicon wet etching process has a fatal disadvantage that etching of the back side of the wafer is hard to avoid. In this study, a wet etching bath for 150 mm wafers was designed to prevent back-side etching of silicon wafer, and we demonstrated the optimized process recipe to have anisotropic wet etching of silicon wafer without any damage on the backside. We also presented the design of wet bath for 300 mm wafer processing as a promising process development.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.16 no.4
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• pp.16-19
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• 2017

For the economical and environmental-friendly fabrication of polisher, Mo mask layer were sputtered on glass substrate instead of Cr mask material. Mo mask layers were sputtered by pulsed-DC sputtering and Photoresist patterns were formed on Mo mask layer for different develop times and optimized. After Mo mask layer were patterned and exposed glass was wet etched by HF solution for different etching times, the remaining Mo mask was stripped by using Al etchant. Develop time of 30 sec and HF wet etching time of 3 min were selected as optimized process condition and applied to the fabrication of polisher.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.6
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• pp.662-668
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• 1994

The physical and electrical characteristics of sub-l0nm thick capacitor dielectrics formed by wet oxidation of silicon nitride(oxide/nitride composite) and by removing the top oxide of oxidized silicon nitride(0xynitride) are described. For the capacitors with an oxide/nitride composite layer, the capacitance decreases sharply, but the breakdown field increases with an increase in the wet oxidation time at $900^{\circ}C$. For the capacitors with oxynitride layers, the values of both the capacitance and the breakdown field increase with increasing wet oxidation time. The reduction of effective thickness and the improved quality of oxynitride film are responsible for the improved capacitance and increased breakdown fields, respectively. In addition, intrinsic TDDB characteristics and early breakdown failure rate of oxynitride film are improved with increasing oxidation time. Consequently, the oxynitride film is suitable for dynamic memories as a thin dielectric film.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.3
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• pp.169-175
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• 1998

The plasma etching of polysilicon was performed with the HBr/$Cl_2/He-O_2$ gas mixture. The residual layers after photoresist strip were investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscopy (SEM). The etch residue was identified as silicon oxide deposited on the top of the patterned polysilicon. In order to clarify the formation mechanism of the etch residue, the effects of various gas mixtures such as $Cl_2/He-O_2$and HBr/$Cl_2$were investigated. We found that the etch residue is well formed in the presence of oxygen, suggesting that the etch residue is caused by the reaction of oxvgen and non-volatile silicon halide compounds. Wet cleaning and dry etch cleaning processes were applied to remove the polysilicon etch residue, which can affect the electrical characteristics and further device processes. XPS results show that the wet cleaning is suitable for the removal of the etch residue.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.3
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• pp.151-157
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• 2012

The two dimensional electron gas system based on GaAs/$Al_xGa_{1-x}As$ heterostructure is widely used for fabricating quantum structures such as quantum dot, quantum point contact, electron interferometer and so on. However the conductance of the device is usually unstable due to the presence of random telegraph noise in the device. To overcome such problem, we have studied the effect of surface state on the stability of the device by altering the surface state of the device with oxygen plasma. The dramatic improvement of the device stability has been observed after cleaning the device surface with oxygen plasma (by 50 W~120 W plasma power) for 30 sec followed by etching in HCl : $H_2O$ (1 : 3) solution.

• Air Cleaning Technology
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• v.17 no.4 s.67
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• pp.39-57
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• 2004

첨단산업으로 불리는 반도체, LCD, PDP, 유기EL(OLED) 등의 생산 공정은 고도의 청정상태를 요구하며, 때문에 이들의 생산공정 중 대부분이 클린룸 내에서 이루어진다. 클린룸 내에서의 주요공정은 크게 박막형성(Layering), 노광(Photo Lithography), 식각(Etching) 등 3가지 공정으로 나눌 수 있으며, 반도체 제조공정의 경우 특별히 도핑(Doping) 공정이 추가된다. 오염물질을 함유하는 클린룸 배기는 일반적으로 산, 알칼리, Toxic(PFCs, Flammable), VOC 등으로 분류하며, 각각의 배기는 각 배기특성에 맞는 오염제어 장치를 통해, 정화된 후, 대기로 방출된다. 산, 알칼리 배기는 일반적으로 최종 단계에서 중앙집중식 습식스크러버에 의해 흡수, 중화 처리되며, VOC의 경우 농축기(Concentrator) & 축열식 열 산화장치(RTO) 설비에 의해 연소 처리된다. 하지만 CVD공정으로부터의 배기가 주를 이루는 Toxic배기의 경우, 다량의 PFCs(과불소화합물) 가스를 함유하고 있는 이유로, 대부분 클린룸 내부에 P.O.U(Point of use) 처리장치가 설치되며, P.O.U에 의해 1차 처리된 후 최종적으로 중앙집중식 습식스크러버를 거쳐 대기로 방출된다. 알칼리배기의 주성분으로는 암모니아($NH_3$), HMDS (Hexa Methyl DiSilazane), TMAH (Tetra Methyl Ammonium Hydroxide), LGL, CD 등이며 흡수액에 황산(Sulfuric Acid)용액을 공급, 중화처리하고 있다. 탄소성분을 먹이로 하는 미생물의 번식에 의한 막힘 문제를 제외하고는 큰 문제가 없다. 하지만 Toxic배기 및 산배기의 경우 처리효율이, 가스흡수 이론에 의한 계산결과와 비교할 때, 매우 저조하게 나타나는 효율부족 현상을 겪고 있으며, 이는 잔여 PFCs 가스성분 및 반응에어로졸, 응축에어로졸 등의 영향으로 추정하고 있다. 최근 Toxic 배기의 경우, P.O.U 설비를 Burn & Wet type으로 변경하여, 배기 중 PFCs 및 반응에 에어로졸($SiO_2$)의 농도를 원천적으로 감소시키는 노력이 진행 중이다. 산배기의 경우, 산결로 현상에 의한, 응축에어로졸이 문제가 되고 있으나 내식열교환기(Anti-Corrosive Heat Exchanger), 하전액적스크러버 시스템(Charged Droplets Scrubber System), Wet ESP(Wet Electrostatic Procipitator) 등의 도입을 통해 문제해결을 위한 노력을 경주하고 있다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.73.1-73.1
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• 2010

태양광 시장은 세계적인 금융 위기 속에서도 점점 그 규모가 확대되고 있다. 시장의 규모가 확대되고 있음에도 불구하고 금융 위기를 겪으면서 생산자 중심의 시장에서 수요자 중심의 시장으로 바뀌게 되었다. 이에 따라 더 적은 비용으로 높은 출력의 제품만이 경쟁력을 가지게 됨으로써 효율이 더욱 이슈화되었다. 여러 태양전지 중 가장 점유율이 높은 결정질 태양전지는 일반적인 양산 공정만으로 효율을 높이는데 한계가 있으므로 selective emitter, back contact, light induced plating 등의 새로운 공정을 도입하여 효율을 높이려는 경향이 나타나고 있다. 본 연구에서는, ALD 장치를 사용하여 결정질 태양전지의 후면을 passivation 함으로써 효율을 높이는 방법을 모색하였다. 부동화 층으로는 $Al_2O_3$를 사용하였으며 셀을 제조하여 평가하였다. 실험방법은 p-type의 웨이퍼를 이용하여 습식으로 texturing 후 $POCl_3$ 용액으로 p-n junction을 형성하였고 anti-reflection 막인 SiNx는 PECVD를 사용하여 R.I 2.05, 80nm 두께로 증착하였다. 그런 다음 후면의 n+ layer를 제거하기 위하여 SiNx에 영향을 미치지 않는 용액을 사용하여 후면을 식각하였다. BSF 층은 screen printer로 Al paste를 printing하여 형성하였고 Al etching용액으로 여분의 Al제거한 후 ALD 장치를 이용하여 $Al_2O_3$를 증착하였다. 마지막으로 전극을 형성한 후 laser로 isolation하여 효율을 평가하였다.