• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권3호
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• pp.149-154
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• 2000

Bi-layer Mo films were deposited on soda-lime glass substrates using DC magnetron supttering. Increasing gas pressure, the resistivity varied from $1\times10^{-5}\; to\; 8.3\times10^{-3}\; \Omega.cm$. Furthermore, stress direction yielded compressive-to-tensile transition stress curves. The micro-structure of the compressively-stressed film which had poor adhesion consists of tightly packed columns, but of the tensile-stressed films had less dense structure. Under all gas pressure conditions, Mo films exhibited distinctly increasing optical reflection with decreasing gas pressure. The expansion of (110) peak width with the gas pressure meant the worse crystalline growth. The impurity levels in the Mo film exhibited highly concentrated Na, Se and O elements due to less dense micro-structure. The degree of Na diffusion depends on the type of the glass substrate used and the nature of the Mo film.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1621-1623
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• 2004

The $Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3/(Ba_{0.6}Sr_{0.4})TiO_3$ [PZT(52/48)/BST(60/40)] heterolayered thin films were deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates by using the RF sputtering method with RF powers of 60,70,80,90[W]. All thin films showed the peaks of the tetragonal phase. Increasing the RF power, dielectric constant and loss of the PZT(52/48)/BST(60/40)] heterolayered thin films were decreased. The thickness ratio of PZT and BST thin films was 1/1. The relative dielectric constant and the dielectric loss of the PZT(52/48)/ BST(60/40) heterolayered thin films were 562 and 13%, respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.282-282
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• 2012

본 연구에서 SiOC 박막을 제작하기 위해서 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 유량별 RF 파워의 변화에 따라서 AZO 박막을 성장시켰으며 박막의 광학적 특성을 조사하였고 투명 전도성 박막으로써 AZO 박막을 SiOC 박막 위에 성장시켜서 광학적인 특성을 조사하였다. Si 웨이퍼의 종류에 따라서 광학적인 특성에 조금의 변화가 있는 것을 확인하였으며, n-type Si의 경우 electron transition에 의한 emission 특성이 달라지는 것에 비하여 상대적으로 p-type Si의 경우 변화가 거의 없는 것으로 나타났다. 일반적으로 사용되는 SiO2 산화막 위에 증착한 AZO 박막에 비하여 SiOC 박막 위에 증착할 경우 빛의 흡수가 많이 일어나는 것을 확인할 수 있었으며, AZO/SiOC 박막의 반사도 역시 많이 감소하였으며, 이러한 전기적인 특성은 태양전지에서 전면전극으로 사용할 경우 반사방지막으로서의 특징도 나타낸다는 것을 의미한다. 스퍼터 방법에 의한 증착법은 낮은 온도에서도 공정이 가능하다는 장점이 있으며, 절연특성이 우수한 SiOC 박막을 AZO 박막의 보호막으로 사용할 경우 용도에 따라서 우수한 특성을 나타낼 수 있음을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.319.2-319.2
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• 2016

ZrN 코팅은 TiN과 특성이 유사한 옅은 금색의 질화 박막이나 내식성이 우수하여 의료용, 자동차 부품, 항공부품, 장식용으로 적용되고 있다. 스테인레스계 의료용 기구나 생활기구의 항균성 기능이 부여된 표면처리는 아직 널리 보급되고 있지 않아 장식성과 내부식성이 뛰어난ZrN 박막에 구리를 함유시킴으로서 항균성의 변화를 관찰하고자 하였다. 진공 아크 이온플레이팅 방법으로서 ZrN을 성장시키면서 스퍼터링법에 의하여 Cu를 함유시키는 방법으로 실험을 실시하였다. 기재는 SUS 304를 사용하였고, 공정온도 $400^{\circ}C$에서 질소분압 1-5 Pa, 아크전류 90 A의 조건에서 Cu 스퍼터링 타겟의 전류를 1-7A 까지 변화하여 구리함유 ZrN 박막을 합성하였다. 구리 함류량에 따른 XRD를 통한 결정구조분석과 SEM/EDX를 통한 성분변화분석을 실시하였다. 구리함유 박막에 대해서 시간에 따른 대장균을 성장을 분석하여 기재인 SUS304, ZrN, 구리 함유 ZrN에 대한 대장균 항균성을 조사하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.253-253
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• 2015

최근 세계적으로 대체 에너지는 중요한 이슈가 되고 있으며 특히 열전 재료는 유망한 에너지 기술로서 주목 받고 있다. 특히 고 직접화 전자 소자의 발열 문제를 해결하기 위해, 소형화와 정밀 온도 제어가 가능한 박막형 열전 소자에 대한 관심이 크다. 박막형 열전소자 중 산화물 반도체계에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이러한 산화물 반도체계 중 In2O3는 BiTe, PbTe 등의 기존의 재료에 비해 독성이 낮을 뿐만 아니라 고온에서 열적 안정성이 우수하여 고온에서 적용 불가능한 금속계 열전 재료의 한계를 극복할 수 있다는 장점을 가진다. 좋은 성능의 열전 재료는 높은 전기 전도도 및 제백 계수 그리고 낮은 열전도도 특성을 가져야 한다. 비정질 구조를 가지는 박막 열전 재료는 격자에 의한 열 전도도가 낮기 때문에 결정질 구조와 비교하여 전체 열 전도도 값이 낮을 것으로 기대된다. 이러한 특성을 바탕으로 본 연구에서는 비정질 구조를 갖는 ZnO와 SnO2를 동시에 첨가한 In2O3 박막의 전기적 특성과 열전 특성에 관한 연구를 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.56.1-56.1
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• 2015

RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 유리 기판위에 ZnO:Al 박막을 증착하고 열공정에 따른 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 연구하였다. 열공정 파라미터로는 공정 온도와 어닐링 온도를 이용하였다. 각각의 열공정 파라미터 변화에 따라 ZnO:Al 박막의 특성이 영향 받음을 확인하였다. 모든 샘플에서(002) 우선 배향성을 보였으며 80% 이상의 투과도 특성을 보였다. 하지만, 열공정에 따라 결정성이 나빠지기도 좋아지기도 하였다. 표면 거칠기는 열공정 종류에 상관없이 온도 증가에 따라 증가하였다. 또한, 투과도도 열공정 종류에 상관없이 온도 증가에 따라 감소함을 보인 반면 광학적 밴드갭은 적색이동 현상을 나타내었다. 적색이동 현상은 Burstein-Moss effect와 관련이 있으며 온도증가에 따라 캐리어 이동도가 감소하여 나타난 현상이다. 열공정에서 따라 비저항이 민감하게 변화하였다. 각각의 열공정에서 온도가 증가함에 따라 비저항이 증가하였고 캐리어 농도와 이동도는 감소함을 보이고 있다. ZnO:Al 박막의 화학적인 상태를 분석한 결과, 열공정 온도에 따라 Al 농도 변화와 불순물 표면 흡착 변화가 발생하였으며 이에 따라캐리어 농도와 이동도의 감소가 나타난 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권8호
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• pp.729-733
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• 2005

Al electrode for OLED was deposited by FTS (Facing Targets Sputtering) system which can deposit thin films with low substrate damage. The Al thin films were deposited on the cell (LiF/EML/HTL/Bottom electrode) as a function of working gas such as Ar or Ar+kr mixed gas. Also Al thin films were prepared with working gas pressure (1, 6 mTorr). The film thickness and I-V curve of Al/cell were measured and evaluated. In the results, when Al thin films were deposited using pure Ar gas, the turn-on voltage of Al/cell was about 11 V. And using the Ar:Kr($75\%:25\%$) mixed gas, the turn-on voltage of Al/cell decreased to about 7 V.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권10호
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• pp.505-509
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• 2004

The (Sr/sub 0.9/Ca/sub 0.1/)TiO₃(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/SiO₂/Si) using RF sputtering method at various substrate temperature. The optimum conditions of RF power and Ar/O₂ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin film was about 18.75[Å/min]. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of substrate temperature in the temperature range of 100～500[℃]. The dielectric constant of SCT thin films were increased with the increase of substrate temperature, and changed almost linearly in temperature ranges of -80～+90[℃]. The current-voltage characteristics of SCT thin films showed the increasing leakage current as the substrate temperature increases.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권4호
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• pp.441-447
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• 1995

Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST) thin films were deposited on Pt/SiO2/Si(100) substrate by rf magnetron sputtering. The substrate temperature changed from 35$0^{\circ}C$ to 55$0^{\circ}C$ and crystalline BST thin films were deposited above 45$0^{\circ}C$. Most of the films had (111) preferred orientation regardless of deposition temperature, but the films changed to (100) preferred orientation as gas pressure increased. The dielectric constant increased with increasing substrate temperature and film thickness, and ranged from 100 to 600 at room temperature. The leakage current increased as substrate temperature increased or as film thickness decreased.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.88-91
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• 2000

The $(Sr_{0.85}Ca_{0.15})TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/$SiO_2$/Si) using RF sputtering method. The crystallinity of SCT thin films is increased with increase of substrate temperature in the temperature range of 200~500$[^{\circ}C]$. V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature. The conduction mechanism of the SCT thin films observed in the temperature range of 25~100$[^{\circ}C]$ can be divided into four characteristic regions with different mechanism by the increasing current.