• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.170-170
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• 2009

DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ITO, ITO:Yb 및 ITO:Sm의 조성을 가지는 각각의 타겟을 사용하여 상온에서 박막을 증착한 후 후 열처리를 실시하였다. Yb 및 Sm이 첨가된 타겟을 사용하여 증착한 박막의 경우, 미세구조 및 전기적 특성, 표면거칠기 등은 ITO 박막내의 불순물의 함량에 크게 의존한다는 것을 알 수 있었다. 이것은 새로운 불순물의 첨가에 따른 ITO 박막의 결정성의 저하에 기인한다고 생각된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.134-135
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• 2007

ITO는 평판디스플레이에서 사용되어지고 있는 대표적인 실용화 투명전극재료로서, ITO박막은 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 생산되어지고 있다. 이러한 마그네트론 스퍼터링법을 사용할 경우, 캐소드 자장의 강도나 모양은 박막의 물성에 많은 영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 외장형 마그네트론과 내장형 마그네트론을 장착한 캐소드를 사용하여 증착한 ITO박막에 대하여 열처리에 따른 박막의 물성변화에 대하여 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1993.11a
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• pp.108-109
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• 1993

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1995.02a
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• pp.065-66
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• 1995

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1992.05a
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• pp.50-50
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• 1992

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.32-39
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• 1995

SnO2/AI/Ag/AI/SnO2층 구조로 이루어진 열처리 가능한 열선반사막을 직류 스퍼터링법에 의해 soda-lime silicate 유리위에 형성시켰다. 이 코팅유리를 $650^{\circ}C$에서 열처리하면 가시광선 투과율 85%이상, plasma wavelength 970nm 이하를 얻을 수 있었다. 따라서 이 구조의 막은 유리 곡가공에 견디는 열적 안정성을 나타내었으며, 코팅유리의 열처리에 따른 전기적 특성 및 열적 안정성은 각각 Ag와 AI층의 두께에 의존하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.188-188
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• 2009

ZIO 박막은 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 기판 가열 없이 상온에서 non-alkali 유리 기판 위에 증착하였다. RF/(DC+RF) 비율은 0%에서 100%까지 25% 비율로 증가시키면서 전체 파워는 80W로 유지하였다. 100%의 RF/(DC+RF) 비율에 의해 증착된 ZIO 박막에서 $1.28{\times}10^{-3}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항을 나타내었으며, 이것은 캐리어 농도의 증가에 기인되어진다고 생각된다. 한편, 결정성은 50%의 RF/(DC+RF) 비율로 증착된 ZIO 박막에서 가장 우수하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.5
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• pp.544-551
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• 1995

Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 Si, SiO$_{2}$/Si 가판의에 전도성 RuO$_{2}$ 박막을 증착하고, 공정변수가 증착되는 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 대부분의증착조건에서 주상정 구조의 단일상 RuO$_{2}$ 박막이 증착되었으며, 부착원자들의 표면이동도가 낮은 영역에서는 (101) 우선배향성이 관찰되었고, 높은 영역에서는 (200) 우선배향성이 관찰되었다. 증착조건에 따른 박막의 우선배향성 변화는 박막의 결정구조와연관지어 논의되었다. 기판온도 35$0^{\circ}C$에서 증착된 박막은 치밀하고 표면이 평탄하며, 비저항이 90㏁-cm 정도로 낮아서 고유전율 박막의 전극물질로 이용하기에 적합하였다. 45$0^{\circ}C$ 이상의 기판온도에서 증착된 박막은 46㏁-cm 정도로 매우 낮은 비저항을 갖니만 표면이 거칠었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.209-209
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• 2012

고 해상도를 요구하는 차세대 디스플레이에서 ITO 박막은 매우 얇은 두께에서 높은 투과율과 고 전도성을 동시에 가져야 한다. 이러한 박막 물성을 함께 가지는 고품질 ITO 초박막을 제조하기 위해서 DC와 RF의 장점을 동시에 가지는 DC/RF 중첩형 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 다양한 $SnO_2$ 함량을 가진 ITO 초박막(~50 nm)을 증착하여 물성 및 미세 구조 변화를 관찰 하였다. 또한, 상온과 결정화 온도 이상에서 증착한 ITO 초박막의 $SnO_2$ 함량에 따른 박막의 전기적, 광학적 거동 및 미세구조의 변화를 확인하는 동시에, RF/(DC+RF) 중첩 비율에 따른 ITO 초박막의 물성 변화를 확인 하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2004.12a
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• pp.154-155
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• 2004