• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2002.04a
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• pp.557-560
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• 2002

본 논문에서 제안하는 분절된 화소들의 특징추출 방법은 이진화 영상에서 수직/수평 화소들의 분절점을 탐색하여 추출하는 특징 탐색기이다. 숫자의 구조적인 면을 고려하여 사소한 부분들도 명확한 특징으로 탐지하여 추출하였고, 이러한 방법은 일반적으로 사용하여지는 특징추출 방법 몇가지를 선택하여 이용하였고, 제안하는 방법과 결합하여 필기체 숫자를 인식하였다. 인식기를 구현하기 위하여 3 개층 구조를 갖는 클러스터 MLP 신경망을 사용하였다. 실험 결과 단순히 일반적인 특징만을 활용하여 얻는 인식률 보다 훨씬 향상됨을 보여주었다.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.27 no.4
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• pp.463-468
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• 2023

In this paper, we proposed reconfigurable dual polarization patch array antenna that can select two polarizations(Vertical, RHCP) using defected ground structure and Pin diode. The proposed antenna was designed arranging a circular polarization patch antenna implemented with a square microstrip patch and two slots 3x3 at 25.8mm placed, a half-wavelength of 5.8 GHz. Conect the pin diode and the capacitor to the slot diagonally placed on the ground of each antennas, and select polarization using the open/short operating according to the application of DC voltage to the pin diode. As a result of the design, the gain of the antenna is 11.7 dBi at vertical polarization and 11.6 dBic at RHCP. The axial ratio is 20.3 dB at 1.8 dB vertical polarization at RHCP. Mutual Coupling is Maximum to -20.8 dB for vertical polarization and Maximum to -30.1 dB for RHCP.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.45 no.1
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• pp.91-96
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• 2008

In this paper, a monopulse fled for three mode $2{\times}2$ array feed horn antenna was designed. Gain of single feed was 8.25dB. Increasing property of gain and rectangular waveguide and reflection of free space is decreased because it has structure extending to electric plane at connected part from transformation to free space. When fled port1 and port2 is placed vertically and thickness of aperture hem is reduced, isolation is satisfied with property of lower -25dB. Also, at higher frequency, it is confirmed that isolation is improved. Combination of electric field occurs less influence because port1 and port3 is placed horizontally and distribution of electric field is connected to parallel. However, because of combination of electric field, it is more improved from 2dB to 6dB than isolation of port1 and port2. Direct combination occult less effect at port1 and port4 than effect of port2 and port3, it is lower -35dB.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2005.05a
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• pp.1339-1342
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• 2005

이기종 네트워크들이 계층적인 구조로 결합되어 있는 오버레이 네트워크 환경에서 이동 단말(Mobile Terminal:MT)의 끊김없는 이동성 지원을 위해서는, 패킷 손실 및 호 단절 현상을 최소화할 수 있는 최적의 핸드오버 시점을 결정할 수 있어야 한다. 기존의 수직적 핸드오버 기법은, 단순히 MT의 위치 정보를 바탕으로 핸드오버 수행을 예측하고 결정하였다. 하지만 이 기법은, MT의 위치와 관계없이 네트워크의 과부하로 인한 패킷 손실 및 호 단절 현상이 발생할 수 있기 때문에, 네트워크의 과부하에 따른 핸드오버 시점을 간과하는 문제점을 노출하였다. 하루가 다르게 인터넷 트래픽이 급증하는 현실에서, 네트워크의 과부하를 고려하는 핸드오버 기법이 필요한 때이다. 따라서 본 논문에서는 MT의 위치와 네트워크의 부하를 모두 고려하여 핸드오버 시점을 결정할 수 있는 핸드오버 맵(Handover-Map:H-Map)의 개념을 제안한다. 그리고 핸드오버 동기화 현상을 최소화하기 위해 향상된 H-Map을 기반으로 차별화된 핸드오버 시점을 부여하는 VAH(Vertical handover on Advanced H-Map) 기법을 소개하고, 이의 성능을 기존기법과 비교한다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.87.1-87.1
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• 2012

넓은 밴드갭 (3.37eV)과 높은 엑시톤 결합에너지 (60meV)를 가지는 ZnO 물질은 ultra violet light 센서 및 light emitting diode (LED)의 재료로써 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 나노와이어 구조를 이용하여 소자를 만들 경우 양자효과와 1차원적 캐리어 수송경로 효과로 인하여 그 특성을 보다 향상 시킬 수 있다. 나노와이어를 이용한 이종접합 p-n 다이오드를 제작하기 위하여 ZnO와 격자상수가 비슷한 GaN, NiO, CoO와 같은 물질들이 나노구조 접합에 많이 쓰이고 있지만, 격자상수 차이로 인해서 접합부분 캐리어 수송효율이 떨어지는 단점을 가지고 있다. n-type과 p-type ZnO를 만들어 동종 접합을 만들 경우 이러한 문제점을 극복할 수 있지만, 도핑되지 않은 ZnO가 n-type을 특성을 나타내기 때문에 안정적인 p-type ZnO 합성에 대한 연구가 필수적이다. 본 연구에서는 안정적인 p-type ZnO 합성을 위해서 수열합성법을 이용하여 phosphorus (P) 도핑을 하였고, 나노와이어 diode 구조를 만들었다. P 도핑으로 인한 격자상수 변화는 x-ray diffraction (XRD)를 사용하여 확인하였고, x-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 도핑 원소를 분석하였으며, 이때의 recification ratio, turn-on voltage 등의 전기적 특성을 평가하였다.

• Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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• 2010.04a
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• pp.409-412
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• 2010

본 연구는 목조 건축물 흙벽의 수평가력실험 결과를 이용한 내진성능 평가를 목적으로 한다. 흙벽 실험시험체는 기둥과 보 결합방식에 따라 민도리, 초익공, 장여방식으로 분류되고 벽체 형태에 따라 창문, 문, 전면 벽체, 인방 부재수 등으로 계획을 하였다. 12개 흙벽 시험체의 가력결과, 전면 벽체 시험체는 변위각 1/30에서 가장 큰 강성 저하율을 보이며 중인방과 수직재가 있는 벽체는 에너지 소산능력이 가장 큰 것으로 나타났다. 기존 연구로부터 목조 건축물 항복점 평가방법을 이용하여 등가탄소성 곡선으로 나타낸 전단내력은 민도리방식이 프레임과 전면 벽체일 경우 가장 크고, 전단응력은 벽체 개구율에 따라 다르게 나타났다. 실험결과로부터 적용 대상 건축물의 X, Y방향 구조성능을 산출하고 구조내진지표와 역량스펙트럼을 이용하여 내진성능 평가를 실시한 결과, 대상 목조 건축물은 내진성이 있음으로 평가되었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.8 no.3
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• pp.49-53
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• 2001

Vortical etching experiments of ($SrBi_2Ta_2O_9$)/Si thin films have been performed by using the inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-ME) apparatus. The purposes of these experiments are to get the effective area of vertical surface. Because this technology is very important to get good qualities of ferroelectric gate structure, capacitor and the minimum parasitic effects related to the excellent performances of the FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) device. The reacting gases were Ar and $Cl_2$gases, and various $Ar/C1_2$flow ratios were used. The etching experiments were carried out at various RF powers such as 700, 700, 500W and at various DC powers such as 200, 150, 100, 50W, respectively. The maximum etch rate of $SrBi_2Ta_2O_9$/Si thin films was 1050 A/min at the $Ar/C1_2$ gas ratio of 20/16, RF power of 700 W and DC power of 200 W. From the SEM (scanning electron microscopy) image of the SBT thin films, the wall angle was as good as about $82^{\circ}$.

• Journal of Adhesion and Interface
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• v.24 no.1
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• pp.36-40
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• 2023

A van der Waals material refers to a material having a two-dimensional layered structure composed of van der Waals bonds with weak interlayer bonding. The research based on heterojunction structures using such van der Waals two-dimensional materials has been steadily studied since the discovery of graphene. Herein, this paper reports a van der Waals heterojunction -based field-effect transistor device based on monolayer single crystalline MoSe2 grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition. We found that MoSe₂ grown under optimized process conditions did not have atomic-level defects and the transistor devices incorporating MoSe₂ also showed excellent characteristics.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.8 no.2
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• pp.91-97
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• 2004

This paper presents the development of InGaAsP multiple quantum well asymmetric Fabry-Perot modulators(AFPM), which have a vertical structure and high performance and describes measurements of devices operating at 10GHz for next generation broadband wireless communication applications such as picocell systems. Advantages of the AFPM include low drive voltage, which is less than -2V, and -3dB coupling loss, good flatness of the frequency response and simple fiber alignment. A simple link demonstration has been introduced, resulting in 92dB/Hz spurious free dynamic range and 40dB inter-modulation distortion. This modulator could be use for broadband radio over fiber systems such as picocell and multiple RF links.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.3 no.1
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• pp.31-36
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• 1992

6, 9-Difluoro-11, 21-dihydroxyl-16, 17-[(1methylehtylidene)bis(oxy)]-pregna-1, 4-diene-3, 20-dione (fluorocinolone acetonide) , C24H3OF106, trigonal, R3 (defined as a hexagonal lattice), a =b = 17.896 k, c: 18.365 k, V=5094.3 A', Z=9, 1 (MoK a) =0.7107 A, D=1.31 g/cm3, D.: 1.328 g/cm3 T=298 K, final R=0.050 for 1101 unique observed reflections. The molecule has conformational features in common with other corticosteroids. Three molecules related by 3-fold symmetry are involved in hydrogen bonding, forming a layer of molecules perpendicular to the c-axis.