• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2008년도 동계학술발표회 논문집
• /
• pp.231-232
• /
• 2008

The effect of n-electrode patterns on the current distribution in active region is investigated in GaN-based blue vertical light emitting diodes (VLEDs). A 3-dimension circuit model is adopted to analyze the current flow patterns in VLEDs. We had fabricated VLEDs having different n-electrode patterns, measured their current-voltage characteristics, and compared to the numerical simulation. It turns out that the current spreading in VLEDs is strongly dependent on the n-electrode pattern. Some design guidelines for n-electrode patterns to produce uniform current injection are presented.

• 대한기계학회논문집B
• /
• 제37권1호
• /
• pp.27-33
• /
• 2013

제품의 성능 및 신뢰성 향상을 위하여 효과적이고, 적정한 방열장치의 중요성이 지속적으로 부각되고 있다. 현재 가장 널리 쓰이는 방열장치는 알루미늄 압출식 평행핀 형상의 히트싱크(heat sink)로 이의 설계를 위해서는 방열량과 최대 허용온도 등에 대한 목표가 결정되어야 하며, 사용 환경 및 설치 방법에 따른 열전달 계수의 예측이 이루어져야 한다. 본 연구에서는 히트싱크의 베이스가 수직, 수평상태를 유지함에 따라 나타나는 핀 주변의 자연대류 유동 특성을 전산모사 해석을 통해 고찰하였다. 또한, 일반적인 자연대류형 히트싱크를 대상으로 수평 및 수직상태에서의 열적 성능 실험을 수행하였으며, 기존의 연구결과와 비교함으로써 설치방향이 히트싱크 방열성능에 미치는 영향에 대하여 분석하였다. 실험결과 수평상태의 경우는 수직인 경우에 비하여 약 10~15% 열전달 계수의 감소가 발생하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.109-109
• /
• 1998

최근 들어 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN, InGaN, AIGaN를 이용한 광소자 ( (LED, LD)와 전자소자(FET, MODFET)에 대한 관심이 고조되면서, MOCVD 법 을 이용한 GaN 중심의 질화물 반도체 성장에 관심이 집중되고 있다. 금번 실험에 사용된 MOCVD 장비는 수직형 MOCVD 장비이다. 특히, wafer c carner를 1$\alpha$)() rpm이상의 고속으로 회전시킬 수 있는 장치로서 원료 가스의 반웅 기 내에서의 흐름을 균일하게 하여 uniformity가 높은 질화물 반도체를 성장시킬 수 있다 .. GaN 에피충은 c-plane 사파이어를 기판으로 하여 11 00 "C 이상의 고온 에서 수소를 이용하여 기판을 cleaning하고, 500 "C 부근에서 핵생성충올 성장시 킨 후 1050 "C에서 trimethylgallium(TMGa)과 NI-h를 이용하여 성장시켰다. n n -GaN를 성장시키기 위해서는 SiH4을 사용하였으며, InGaN의 경우는 t trimethylindium(TMIn)을 In원 료 가스로 하여 635 - 725 "C 범 위 에 서 성 장시 켰 다. 성 장된 undoped GaN, n-GaN, InGaN는 X -ray di잔raction(XRD), H떠l m measurement, Photoluminescence(PU동올 이용하여 결정성과 전기적 및 광학적 특성올 고찰하였다 .. 2ttm 두께로 성장된 undoped G값V박막의 경우 Hall 측정결과 6 6 X lOI6/e며 정도의 낮은 도핑 농도를 보였으며, V!lII ratio(2500 - 5000)증가에 따라 결정성이 향상됨을 GaN (102)면의 X -ray e -rocking분석올 통하여 확인하 였다 .. n-GaN의 경우 SiH4양올 3 - 13 sccm으로 증가시킴에 따라 n -type 도명농 도가 선형적으로 증가하였고, 1017/c며 범위 내로 도평이 된 경우 상온에서 300 e마 N Ns 이상의 high mobility를 얻올 수 있었다 .. PL 관측 결과로부터 Si 도핑으로 인 하여 GaN bandedge emission이 강화됨을 알 수 있었다 .. InGaN 박막의 경우 성 장온도를 낮춤에 따라서 m의 양을 증가시킬 수 있었다. 또한 유량비(TMIn I T TMGa)가 1에 가까운 경 우에서도 온도를 635 "C 정도로 낮훈 경우 410 nm정도에 서 PL bandedge peak올 얻을 수 있었으며, 이 때의 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다. 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.350-350
• /
• 2011

ZnO는 II-VI족 화합물 반도체로서 3.37 ev의 band gap energy와 60 mv의 exciton binding energy를 가지며 차세대 소자로 다양한 분야에서 연구되어지고 있다. ZnO 박막과는 다르게 ZnO nano structure는 효율성과 특성 향상의 이점으로 태양전지와 투명전극 소자에 많은 연구가 되고 있으며 UV 레이저, 가스센서, LED, 압전소자, Field Emitting Transistor (FET) 등 다양한 응용분야에서 연구되고 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 RF Magnetron sputtering법을 이용해 ZnO buffer layer를 다양한 두께(~1,000${\AA}$)로 증착한 뒤, Zn powder (99.99%)를 지름 2inch 석영관 안에 넣어 Thermal furnace장비를 이용하여 Thermal Evaporation법으로 약 500$^{\circ}C$에서 30분 동안 촉매 없이 성장 하였다. 수직성장된 ZnO 나노 구조체의 특성을 전계방출주사전자현미경(SEM), X-선 회절패턴(XRD), UV-spectra를 이용하여 분석하였다. SEM 분석을 통하여 ZnO buffer layer위에 성장된 ZnO 나노 구조체는 직경이 약 ~50 nm, 길이가 ~2 um까지 성장을 보였으며, XRD 측정결과, ZnO 우선 성장 방향(002)을 확인하였다. 두 가지 측정을 통하여 ZnO buffer layer의 유무에 따라 성장 특성이 향상되었음을 확인하였으며, 이는 buffer layer가 seed 역할을 한 것으로 사료된다. UV-spectra 측정을 통하여 가시광 영역(400~780 nm)에서 60%대의 투과도를 보여 가시광 영역에서 투명성을 요구하는 전자 소자 및 광소자 등에 적용 가능성을 확인하였다. 이 연구를 통하여 우수한 투과도를 가지며 유리 기판위에 수직성장된 ZnO 나노구조체는 태양전지와 플렉서블 디스플레이 등 다양한 활용 분야를 제시할 수 있다.

• 한국재료학회지
• /
• 제23권3호
• /
• pp.194-198
• /
• 2013

In this paper, we studied a p-type reflector based on indium tin oxide (ITO) for vertical-type ultraviolet light-emitting diodes (UV LEDs). We investigated the reflectance properties with different deposition methods. An ITO layer with a thickness of 50 nm was deposited by two different methods, sputtering and e-beam evaporation. From the measurement of the optical reflection, we obtained 70% reflectance at a wavelength of 382 nm by means of sputtering, while only 30% reflectance resulted when using the e-beam evaporation method. Also, the light output power of a $1mm{\times}1mm$ vertical chip created with the sputtering method recorded a twofold increase over a chip created with e-beam evaporation method. From the measurement of the root mean square (RMS), we obtained a RMS value 1.3 nm for the ITO layer using the sputtering method, while this value was 5.6 nm for the ITO layer when using the e-beam evaporation method. These decreases in the reflectance and light output power when using the e-beam evaporation method are thought to stem from the rough surface morphology of the ITO layer, which leads to diffused reflection and the absorption of light. However, the turn-on voltage and operation voltage of the two samples showed identical results of 2.42 V and 3.5 V, respectively. Given these results, we conclude that the two ITO layers created by different deposition methods showed no differences in the electric properties of the ohmic contact and series resistance.

• 한국진공학회지
• /
• 제20권2호
• /
• pp.127-134
• /
• 2011

본 연구에서는 고분해능 X선 회절법을 이용해 Ni/Ag 반사막 p형 오믹 전극의 Ag 집괴에 따른 전극의 구조 분석을 수행하였다. 대기 분위기에서 오믹 전극을 고온 열처리할 경우, 열처리 시간이 증가할수록 Ag의 집괴가 진행되어 24시간 열처리 후, 전류-전압 곡선은 쇼트키 특성을 나타내었고, 또한 460 nm 파장에서 21%의 낮은 반사도를 나타내었다. X선 회절 결과로부터 Ag의 집괴가 진행될수록, Ag 박막의 내부 변형율을 감소되는 방향으로 Ag 원자의 확산이 진행되어, Ag (111) 결정면의 면간 거리가 bulk Ag와 거의 동일하게 나타났다. 이러한 반사막 오믹 전극의 구조 분석은 고출력 고효율 수직형 LED에 적합한 열적 안정성이 우수한 오믹 전극의 개발에 매우 중요함을 알 수 있다.

• 한국광학회지
• /
• 제3권1호
• /
• pp.43-49
• /
• 1992

Marx generator와 진공 다이오드, Bifilar helical wiggler, 인도자장 솔레노이드 등을 이용하여 마이크로파 영역의 자유전자 레이저를 설계 제작하였다. Bifilar helical wiggler의 자장분포를 분석하였고 공간전하의 수직성분 효ㅗ가를 고려하여 계산한 전자궤적 모의실험을 통하여 Wiggler자장이 전자빔 입사에 적합함을 확인하였다. Wiggler자장 300G, 인도자장 4.4kG, 전자빔 에너지 170keV일때 분산방정식에 의하여 계산된 출력 주파수는 약 11GHz였고 실험 결과 나타난 출력 주파수의 점위는 9.78GHz-11.7GHz로 추정되었다. 전자 속도의 축방향 퍼짐을 고려하여 이론적으로 이득을 계산하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.10-13
• /
• 2010

본 논문은 N-face n-type GaN 표면에 산소 플라즈마 처리에 의해서 오믹전극과 접촉 저항을 낮추기 위한 연구를 하였다. 120초 산소 플라즈마 처리후 Ti (50 nm) / Al (35 nm)을 증착한 결과 오믹 전극을 구현하였으며, $1.25{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm^2$의 접촉저항을 보였다. 이는 산소 플라즈마 처리가 기존의 플라즈마 처리와 같이 질소결원이 발생하였기 때문이다. 이를 통해 쇼트키장벽 높이(SBH)이 낮아지게 되었고, 오믹 전극및 플라즈마 처리를 안 한 경우보다 더 낮은 접촉저항의 결과를 획득하였다.

• 한국콘텐츠학회논문지
• /
• 제13권5호
• /
• pp.82-89
• /
• 2013

한국영화산업에서 디지털 기술의 도입은 저예산 디지털 영화제작을 활발하게 하는 요소가 되었고, 그 결과 국내 영화감독들이 해외 영화제에서 각종 수상과 함께 작품성을 인정받으며 마침내, 2012년 김기덕 감독은 <피에타>로 세계 3대 영화제 중 하나인 베니스 영화제에서 최고상인 '황금사자상'을 수상하는 쾌거를 이루기도 하였다. 하지만 저예산 디지털 영화들이 양적 증가에 비해 질적 성장을 비례적으로 완성하지 못한 이유들이 드러나면서 제작 단계와 시스템 측면에서 몇 가지 한계점을 안고 있다. 본 연구에서는 이러한 문제점들의 해결방식의 하나로서, 2000년부터 현재까지 제작 시스템을 통해 영화산업의 가치사슬 구조가 일반형에서 수직 수평통합형으로 변화되고 있음을 살펴보았다. 또한, 2000년대 중 후반 부에 제작된 저예산 디지털 영화들을 중심으로 (홍대)인디밴드 음악시장의 성공사례, 제작비의 정책적인 지원, 저예산 영화제작 투자사에 대한 세제혜택, 그리고 해외 영화제에 대한 지원책 등을 제시하였고, 상업적으로 성공을 거둔 저예산 디지털 영화의 제작과정을 분석하여 그에 따른 방안을 모색하였다.

• 한국항공우주학회지
• /
• 제42권1호
• /
• pp.37-46
• /
• 2014

본 논문에서는 지상 주행과 비행이 가능한 이중모드 PAV의 무인 축소모델 개념설계 및 개발시험 과정에 관하여 기술하였다. 운용 요구도를 검토한 결과 멀티로터 형상에 나셀틸트 기능을 결합한 쿼드 틸트 프롭형 비행체가 제안되었다. 프로펠러 추진을 위한 모터와 주행을 위한 구동장치를 하나의 나셀에 집적하고, 나셀 틸트 구조에 의해 비행 및 주행모드의 변경이 가능하도록 구현하였다. 개념설계를 통해 주요 설계변수와 초기 제원이 확정되었고, 비행모드 및 주행모드 시험용 플랫폼을 제작하여 기능시험을 수행하였다.