• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2012.05a
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• pp.700-700
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• 2012

산지유역은 하천을 따라서 도로가 발달되어 있어서 대부분의 도로가 홍수시 하천의 영향을 많이 받는다. 산지하천은 경사가 급하고 만곡수충부가 많이 발달되어 있기 때문에 홍수시 유속이 빠르고 만곡수충부의 편수위가 매우 크다. 이는 만곡부 호안 파괴와 도로 유실의 피해를 일으키는 경우가 많다. 따라서 대부분의 산지하천 만곡수충부에는 홍수피해 방지를 위해 콘크리트 옹벽호안으로 되어 있다. 그러나 콘크리트 옹벽은 조도가 작기 때문에 유속이 더 빠르게 되고 편수위를 한층 증대시킬 수 있다. 산지하천 만곡수충부의 편수위를 줄이기 위해서는 접근유속을 줄여야 하나 산지하천 특성으로 볼 때 접근유속 저감을 위한 공학적 방법은 제한적이다. 따라서 만곡수충부의 유속을 줄이는 방법으로 콘크리트 옹벽호안의 조도계수를 증대시키는 것이 효과적일 수 있다. 본 연구에서는 개수로 측벽에 수직돌출줄눈이 설치되었을 때 흐름에 미치는 수리효과를 개수로 수리실험으로 파악하고자 한 것이다. 실험결과 돌출줄눈의 간격이 수직돌출줄눈의 무차원 폭이 9일 때 평균유속이 가장 작게 나타났다. 이는 돌출줄눈의 간격이 개수로 내부흐름의 유속분포, 최대유속발생 위치, 유수단 면적의 크기에 영향이 미치기 때문이다. 따라서 개수로 측벽 수직돌출줄눈의 간격을 조절함으로써 개수로 유수저항의 크기를 조절할 수 있다.

• Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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• v.27 no.3
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• pp.285-292
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• 2011

The purpose of thise study was to measure the thickness of the sinus lateral wall using computed tomography (CT), and to find the most suitable vertical position for lateral window opening prior to sinus elevation. Thirty patients requiring sinus elevation had CT images taken with Philips Brilliance iCT. The thickness of the sinus lateral wall was measured according to its vertical position against the sinus inferior border, and its mean was calculated through three repeated measurements. When measured 2 mm above the sinus inferior border (SIB+2), the thickness of the sinus lateral wall was observed to be more than 2 mm. When measured 3 mm above the sinus inferior border (SIB +3), the sinus lateral wall was less than 2 mm in thickness. It is recommended that the lateral wall window be made 3 mm above the sinus inferior border when performing sinus elevation using the lateral approach.

• Journal of the Korea Convergence Society
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• v.11 no.12
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• pp.97-103
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• 2020

This study sets the solar power system installed and applied to the vertical side wall among the photovoltaic systems in the building as the scope of the research. The theoretical background was considered through literature research as a research method, and the current status, trends and characteristics of solar generator design installed and applied to domestic and foreign vertical side walls were then investigated and analyzed cases. As a result, the importance and necessity of photovoltaic generators, potential for power generation and growth were identified, and positive factors and directions were found for improving aestheticity. Based on this point, we would like to propose expected effects that can be applied to photovoltaic system design installed and applied to vertical side walls in the future, and confirm the direction and significance of the improvement of aesthetic quality of the proposal for development of thin film solar cell design technology using green facade design.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2009.05a
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• pp.400-404
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• 2009

본 연구에서는 곧은 식생과 유연한 식생 및 다양한 수심비를 갖는 개수로 흐름 조건에 대한 수리실험을 실시하였다. 레이저 도플러 유속계를 이용하여 수로 전체 단면의 유속을 측정함으로써, 이차흐름이 평균유속 및 난류량에 미치는 영향을 분석할 수 있도록 하였다. 평균유속의 경우, 수치모의결과와 동일하게 측벽근처에서 최대 유속이 발생하였다. 유속측정자료를 이용하여 침수식생 개수로 흐름의 벡터도를 살펴본 결과, 침수식생 개수로의 경우 일반 개수로 흐름과는 달리 바닥 와 (bottom vortex)가 측벽 근처에서 매우 활발한 것으로 나타났으며, 이로 인해 수로 중앙의 높은 운동량을 가진 유체가 측벽방향으로 이동하고 있음을 확인하였다. 또한 측벽에서 이차흐름으로 인해 발생하는 강한 하강류가 레이놀즈응력 및 난류 강도의 수직방향 분포 형태에 영향을 미치는 것을 확인하였다.

• Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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• v.28 no.4
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• pp.349-357
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• 2012

The purpose of this study was to measure the thickness of the sinus lateral wall using cone-beam computed tomography (CBCT), and to find the most suitable vertical position for lateral window opening prior to sinus elevation. Fifty three patients requiring sinus elevation had CBCT scans acquired by CB MercuRay (Hitachi, Medico, Tokyo, Japan) from July, 2010 to June, 2012. The thickness of the sinus lateral wall was measured according to its vertical position against the sinus inferior border (SIB), and its mean was calculated through two repeated measurements. The thickness of the sinus lateral wall was more than 2 mm at 2 mm above the sinus inferior border (SIB+2), however, it was less than 2 mm at 3 mm above the sinus inferior border (SIB+3). In conclusion, it is recommended that the inferior border of lateral wall window be made 3 mm above the sinus inferior border during sinus elevation using the lateral approach considering the thickness of the sinus lateral wall.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1550-1552
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• 2003

고밀도의 트렌치 전력 MOSFET를 제작하는 데 있어서 새로운 소자의 구조와 공정을 제시하고 이차원 소자 및 공정 시뮬레이터를 이용하여 검증했다. 트렌치 게이트 MOSFET의 온-저항을 낮추기 위해 셀 피치가 서브-마이크론으로 발전할 경우 문제가 되는 소오스 영역을 확보하고자 p-base의 음 접촉을 위한 P+ 영역과 N+ 소오스 등이 트렌치의 측벽에 형성되고, 트렌치 게이트는 그 아래에 매몰된 구조를 제안했다. 시뮬레이션 결과는 항복전압이 45 V이고, 온-저항이 12.9m${\Omega}{\cdot}mm^2$로 향상된 trade-off 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.108-108
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• 2004

전동차의 차체는 최대승객하중의 운행조건 하에서 시스템의 기능을 만족하도록 강성 및 강도를 갖도록 되어 있으며, 수직하중 및 수평하중을 지지하는 언더프레임(Under Frame), 측벽의 하중을 지지하는 측면구조틀(Side Frame) 지붕을 구성하는 지붕구조틀(Roof Frame), 끝막이 골조(End Frame)로 구성되어 있다.(중략)

• Fire Science and Engineering
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• v.33 no.1
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• pp.50-59
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• 2019

Experimental and numerical studies on the fire characteristics according to the distance between the fire source and sidewall under the over-ventilated fire conditions. A 1/3 reduced ISO 9705 room was constructed and spruce wood cribs were used as fuel. Fire Dynamics Simulator (FDS) was used for fire simulations to understand the phenomenon inside the compartment. As a result, the mass loss rate and heat release rate were increased due to the thermal feedback effect of the wall in the compartment fire compared to the open fire. As the distance between the fire source and sidewall was reduced, the major fire characteristics, such as maximum mass loss rate, heat release rate, fire growth rate, temperature, and heat flux, were increased despite the limitations of air entrainment into the flame. In particular, a significant change in these physical quantities was observed for the case of a fire source against the sidewall. In addition, the vertical distribution of temperature was changed considerably due to a change in the flow structure inside the compartment according to the distance between the fire source and sidewall.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.3
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• pp.282-286
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• 1997

Reactive ion etching (RIE) characteristics of InP in the $Cl_2$/ CH_4/H_2$ discharges was investigated, as a function of the rf power, substrate temperature and gas composition. It was observed that the etch rate increased as the rf power, sample temperature and/or $Cl_2$ gas concentration increased. Etch rate of about 0.9$\mu\textrm{m}$/min was obtained at the optimum condition of 150W rf power, $180^{\circ}C$ substrate temperature and $10Cl_2$ /$5CH_4/85H_2$ gas ratio. Polymer formation was completely suppressed by adding $Cl_2$ to the $CH_4$ /$H_2$ discharges.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.20.1-20.1
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• 2009

반도체 소자 제조 공정 프로그램인 T-suprem4와 MEDICI를 이용하여 NMOS구조를 설계 하였다. MOS 소자 시뮬레이션을 통해 식각 공정에서 생기는 언더컷에 의한 전기적 특성을 I-V 곡선으로 비교하여 분석하였다. NMOS 구조는 반도체 소자 제조 공정 프로그램 T-suprem4를 이용하여 기본 소자 구조를 설계하였다. 실험의 변수로는 첫째, 소자 공정 중 폴리 실리콘의 언더컷 식각의 각도를 $70^{\circ}C$부터 $110^{\circ}C$까지 $10^{\circ}C$의 차이로 설계하였다. 또한, 언더컷에 의한 드레인-소스사이의 전류($I_{DS}$) 손실이 없는 유효한 각도를 확인하기 위해 $80^{\circ}C$부터 $100^{\circ}C$까지는 $2^{\circ}C$ 크기로 설계 하였다. 둘째, 게이트 크기를 축소하고 역시 언더컷 식각의 각도를 다양하게 설계하였다. 설계된 소자를 반도체 소자 특성 분석 프로그램 MEDICI를 이용하여 소자의 전기적 특성을 측정하였다. 우선 NMOS소자 게이트에 2V의 전압을 인가하였다. 그리고 드레인 부분에 전압을 인가하여 그에 따른 드레인의 전류를 측정 하였다. 드레인 전압은 0V 부터 변화시키며 인가하였다. 측정된 전류 값으로 I-V 곡선을 나타내었다. I-V 곡선의 분석을 통해 식각 후 언더컷의 각도가 $70^{\circ}C$, $80^{\circ}C$, $110^{\circ}C$ 일 때 $4\times10^{-8}A/{\mu}$의 전류가 흐르고, $90^{\circ}C$, $100^{\circ}C$ 일 때는 $1.8\times10^{-7}A/{\mu}$의 전류가 흐르는 것을 확인 하였다. $80^{\circ}C$에서 $100^{\circ}C$까지는 $2^{\circ}C$ 크기로 측정한 결과 $88^{\circ}C$에서 $100^{\circ}C$ 사이 일 때 $90^{\circ}C$ 각도의 경우와 같이 $1.8\times10^{-7}A/{\mu}$의 전류가 측정 되었다. 즉, 식각 중 수직 측벽 도에 언더컷이 $10^{\circ}C$이상 발생하면 $I_{DS}$ 전류 값이 약 22%로 감소하였다. 또한 일반적으로 $90^{\circ}C$의 수직측벽을 가지는 공정이 중요하다고만 생각 되었지만, 이번 연구를 통하여 식각 후 측벽의 각도가 $88^{\circ}C$에서 $92^{\circ}C$ 사이에 있을 때 $I_{DS}$ 값이 가장 최대가 되는 것을 확인 할 수 있었다.