• 한국산업정보학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.1-6
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• 2016

본 논문에서는 기생 트랜지스터를 억제하여 대기 전류를 낮춰 기동전류를 개선한 수직 PNP 트랜지스터의 특성을 소개한다. 기생 효과를 억제하기 위해, 회로 변경 없이 "DN+ 링크"를 사용하여 기생 PNP 트랜지스터를 억제 시킨 수직 PNP 트랜지스터를 설계하였으며, 표준 IC 프로세서를 이용한 LDO 레귤레이터를 제작했다. 제작된 기생 PNP 트랜지스터의 hFE 가 기존의 18에서 0.9로 감소하였다. 개선된 "DN+ 링크" 구조 수직 PNP 트랜지스터로 제작된 LDO 레귤레이터의 기동 전류는 기존의 기동 전류 90mA에서 32mA 로 감소되었다. 이로 인해 대기상태에서 저 소비전력을 구현한 LDO 레귤레이터를 개발하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.326-326
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• 2008

갈륨 질화물 (GaN) 기반의 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 최근 디스플레이, 교동신호등, 휴대폰용 키패드의 광원 등에 널리 사용되는 전자소자로, 차세대 조명용 광원으로도 각광받고 있다. 일반적인 수평 구조의 LED에 비해 수직형 구조 LED 는 발광면이 n-GaN 표면 전체이며, 전류 확산 특성이 매우 뛰어남으로 인해 차세대 구조라고 표현되어 진다. 이런 구조에서 활성층 영역에서의 균일한 전류 분포는 전류밀집 현상을 억제하여 결과적으로 광학적 특성을 향상시킨다. 따라서 현재까지도 전류확산에 따른 발광다이오드의 성능향상에 대한 연구가 다각도로 이루어지고 있다. 본 연구에서는 수직형 GaN LED 의 전극 패턴에 따른 활성층 영역에서의 전류밀도 분포에 대해 조사하였다. 전극 패턴의 크기 및 구조 변화에 따른 활성층 영역에서의 전류분포도를 삼차원 회로 모델을 이용하여 분석하였다. 또한 활성층 영역으로 주입되는 전류 밀도의 크기가 내부양자효율에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 활성층 영역에서의 균일한 전류밀도 분포를 갖는 전극구조를 설계하였으며, 각각의 전극구조를 적용한 수직형 GaN LED의 전기/광학적 특성에 대해 전산모사 하였다. 최종적으로, n-GaN 위 전극의 크기 및 구조 변화에 대한 시뮬레이션 결과를 토대로, 균일한 전류분포 및 내부 양자효율 향상을 위한 전극패턴 설계 방침을 제안한다.

• 한국자기학회지
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• 제15권2호
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• pp.61-66
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• 2005

서브 마이크론 크기의 셀을 제조하기 위하여 종래의 방식인 전체시료구조를 증착한 후 이온밀링 방식으로 제조하는 대신에 Pt 스텐실 마스크 공정과 e-beam 리소 및 습식 식각 공정을 이용하여 배치형 submicron 셀을 lift-off 방식으로 제조하였다. $500nm{\times}500 nm,\;200nm{\times}300 nm$ 크기에 $CoFe(30 {\AA})/Cu(100{\AA})/CoFe(120{\AA}$) 3층 구조를 셀내에 증착하고 수직전류를 인가하여 자기저항 특성을 조사하였다. 자기저항 특성은 두 자성층의 보자력 차이를 이용하여 스핀의 반평형 구조를 유도하여 슈도 스핀밸브이며 각 셀의 크기에서 1.1, $0.8{\%}$의 자기저항비가 얻어졌다. 또한 전류인가에 따른 저항변화로부터 스핀전달 효과에 따른 스위칭 변화가 일어남을 확인하였으며, 이 구조에서 저항의 변화로부터 측정된 임계전류밀도는 약 $7.65{\times}10^{7}A/cm^2$였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1570-1571
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• 2011

인접한 독립 접지전극에 접지전류가 인가된 경우 접지전극 상호간 전위간섭을 일으키게 된다. 상용주파수 접지전류에 대한 전위간섭은 많은 분석이 이루어 졌으나, 뇌서지와 같은 고주파수를 포함하는 접지전류에 대한 전위간섭의 분석은 충분히 수행되지 못하였다. 본 논문에서는 상호간 영향을 줄 수 있는 길이 4 m인 수직 접지전극을 대상으로 주파수에 따른 전위간섭의 영향을 분석하였으며, 수직 접지전극의 주변에 나타나는 대지표면전위와 함께 상호 비교 분석하였다. 그 결과, 전위간섭은 접지임피던스의 변화에 의존하는 경향성을 나타내었으며, 수직 접지전극 길이의 1.5배에 해당하는 이격거리에서 접지전극의 전위와 대지표면전위가 거의 일치하는 것으로 나타났다.

• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.115-120
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• 2008

코일에 전류가 서로 수평방향으로 흐를 때 힘이 발생한다. 그러나 코일에 수직으로 완전 교차하면 힘은 0이다. 반 코일 구조를 이용하여 완전수직 교차가 아닌 반만 수직으로 전류가 흐를 때는 힘이 존재함을 적분 방적식으로 풀이 할 수 있다. 수식 모델을 만들어 컴퓨터 씨뮬레이션 할 수 있도록 하고 특히 전기 피스톤에 응용 할 수 있도록 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.5-8
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• 1998

기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거 하기 위해서, 베이스 부분의 매몰충을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피충과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 소자 시뮬레이션의 자료를 얻기 위하여 수직 npn 트랜지스터와 병합 pnp 트랜지스터의 전류-전압 특성을 분석하여 특성 파라미터를 추출하였다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 형성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

• 한국광학회지
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• 제7권4호
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• pp.419-427
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• 1996

광섬유전류센서에서 온도변화에 따른 감도변화를 제거하기 위한 연구를 하였다. 센서헤드로는 두개의 원형틀을 수직으로 결합하고 여기에 광섬유를 번갈아 감아서 사용하였다. 이 경우 수직한 원형틀은 광섬유의 고유편광축을 상호수직하게 하므로 감겨진 광섬유에 발생된 선형복굴절량을 상쇄하여 최소화할 수 있었다. 이렇게 제작된 전류센서는 온도에 대해 보다 안정된 성능을 보였다. 센서헤드부의 온도는 약 1시간 40분동안 20-45.deg.C의 느린 변화를 주었다. 이때의 전체적인 센서 오차는 .+-.1.2% 정도였고 500A에서 3시간동안 안정성 측정을 했을 경우 .+-.1%미만의 변화를 보였다. 센서의 헤드부 전후단의 광섬유에 의해서 신호의 요동이 생기는 것을 방지하기 위한 방법으로 센서헤드부에 편광기와 편광분할기를 놓고 리드부와 분리를 했다. 광원으로서는 두개의 레이저 다이오드를 편광이 수직이 되게 배열함으로써 무편광 광원으로서의 효과를 내었다. 신호처리는 각 채널별로 분리를 하여 기계적인 부분에 의한 광손실의 영향을 배제하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제6회(2017년)
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• pp.398-403
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• 2017

본 연구에서는 gate-all-around(GAA) 수직 나노선 Field-Effect Transistor(FET)의 소스/드레인 반도체/실리사이드 접합에 존재하는 Schottky 장벽이 트랜지스터의 DC특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Non-Equilibrium Green's Function와 Poisson 방정식 기반의 시뮬레이터를 사용하여, Schottky 장벽의 위치와 높이, 그리고 채널 단면적의 크기에 따른 전류-전압 특성 곡선과 에너지 밴드 다이어그램을 통해 분석을 수행하였다. 그 결과, 드레인 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압에 의해 장벽의 높이가 낮아져 전류에 주는 영향이 작지만, 소스 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압과 게이트 전압으로 제어가 불가능하여 외부에서 소스 단으로 들어오는 캐리어의 이동을 방해하여 큰 DC성능 저하를 일으킨다. 채널 단면적 크기에 따른 DC특성 분석 결과로는 동작상태의 전류밀도는 채널의 폭이 5 nm 일 때까지는 유지되고, 2 nm가 되면 그 크기가 매우 작아지지만, 채널 단면적은 Schottky 장벽에 영향을 끼치지 못하였다. 본 논문의 분석 결과로 향후 7 nm technology node 에 적용될 GAA 수직 나노선 FET의 소자 구조 설계에 도움이 되고자 한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제22권4호
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• pp.71-76
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• 2015

최근 Light Emitting Diode (LED)의 효율을 높이기 위한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 특히 소자 측면에서는 수평형 LED, 수직형 LED, via-hole 구조의 수직형 LED 등의 다양한 구조가 제시되었다. 본 논문에서는 시뮬레이션을 통해 via-hole 구조의 수직형 LED의 새로운 전극 디자인을 제시하였다. 기존 Via-hole 구조의 수직형 LED의 n-contact hole 주변에 전류가 밀집되는 문제점을 해결하면서 유효 발광면적을 극대화 시켜 소자 전체에 균일한 전류를 주입할 수 있는 소자 디자인에 대해 평가하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 최적의 전극 디자인을 실제 디바이스로 제작하여 기존의 via-hole 구조의 수직형 LED와 비교 분석하였다. 최적화된 디자인이 적용된 via hole type 수직형 LED의 경우 기존 디자인에 비해 350 mA 주입시 약 0.2 V의 Forward Voltage 감소하였지만 광 출력은 비슷하여 최종적으로 4.2%의 WPE (Wall plug efficiency)가 향상됨을 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제17권4호
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• pp.365-373
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• 2008

최적화된 량의 황화수소 첨가 가스를 이용하여 실리콘 기판위에 증착된 Fe/Al 박막위에 촉매 화학 기상 증착법을 사용하여 직경이 얇은 다중층 탄소나노튜브가 수직 정렬되어 합성되었다. 주사전자현미경 관측 이미지에서 합성된 탄소나노튜브는 상대적으로 일정한 길이를 가지고 기판에 수직으로 정렬되었다. 투과전자현미경 관측에서 합성된 탄소나노튜브는 10nm 이내의 작은 외경을 가졌고 촉매가 거의 없었다. 평균 튜브의 벽 수는 약 다섯 개이다. 수직 정렬된 직경이 얇은 다중층 탄소나노튜브의 성장 메카니즘이 제시되었다. 수직 정렬된 직경이 얇은 다중층 탄소나노튜브는 $0.1\;{\mu}A/cm^2$의 전류밀도에서 약 $1.1\;V/{\mu}m$ 낮은 턴-온 전계를 나타내었고 $2.7\;V/{\mu}m$의 전계에서 약 $2.5\;mA/cm^2$의 전류밀도를 얻었다. 게다가, 수직 정렬된 직경이 얇은 다중층 탄소나노튜브는 약 $1\;mA/cm^2$의 전류밀도에서 20시간동안 전류밀도 저하 없이 좋은 전계 방출 안정성을 보여주었다.