• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2003.11a
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• pp.380-381
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• 2003

환경 중의 방향족 탄화수소 화합물은 발암의 가능성으로 인하여 중요한 관심의 대상이 되고 있다(Kourtidis et al, 2002; Volkamer et al, 1998; Etzkorn et al, 1999). 방향족 탄화수소는 화석연료와 같은 유기물질의 불완전 연소로부터 형성되는 인위적 오염물질로 간주된다. 도시지역에서 발견되는 방향족 탄화수소는 자동차의 배기가스 등으로부터 주로 발생한다. 이들은 광화학 반응을 통해 오존, PAN(Peroxyacetyl nitrate) 등을 생성하고. OH 라디칼과의 반응을 통해 소멸되는 것으로 알려져 있다(Kourtidis et al., 2002; Volkamer et al., 1998). (중략)

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.24 no.4
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• pp.334-339
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• 2013

In this study, as a candidate of the carbon dioxide ($CO_2$) absorbents, the mixture solution of polyethylene glycol dimethyl ether (PEGDME) and tetrahydrofuran (THF) were investigated. $CO_2$ absorption rate was measured by using high pressure $CO_2$ screening equipment in the range of 1 - 10wt% THF. Absorption capacity of the mixture solution was also estimated. Based on the results, we found that mixture solution containing THF had higher absorption rate and $CO_2$ loading capacity compared to PEGDME at $25^{\circ}C$.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.9 no.3
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• pp.127-133
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• 1998

This study was conducted to know to the effect of Pd film($180{\AA}$ thick) evaporation condition on the kinetics of hydrogen absorption-desorption. The activation energy of the forward reaction, the activation energy of the backward reaction, and the enthalpy were calculated by hydrogen absorption-desorption in ${\alpha}$-phase.($25{\sim}50^{\circ}C$ temperature) The activation energy of the forward reaction of Pd film, which is made at room temperature, is $6.4{\pm}0.4$ kcal/mol H and of the backward reaction $8.4{\pm}1.5$ kcal/mol H, which yields the reaction enthalpy -2kcal/mol H. The activation energy of forward reaction of Pd film, which is made at $300^{\circ}C$, is $-0.18{\pm}0.61$ kcal/mol H and of the backward reaction $-0.17{\pm}2.3$ kcal/mol H. The sample of $300^{\circ}C$ is more stable than the sample of room temperature in its struciural compactness and resistance value but standard error of result of $300^{\circ}C$ sample is higher than sample of room temperature do.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• v.21 no.4
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• pp.243-248
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• 2004

We present measurements of interstellar CO absorption lines in the spectra of 7 early-type stars that were observed with the FUSE(Far Ultraviolet Spectroscopic Explore.) Among 54 early-type target stars in the Galactic disk and halo observed with the BBFS(Berkeley Extreme and Far-ultraviolet Spectrometer), we choose 7 program stars (HD 37903, HD 97991, HD 149881, HD 156110, HD 164794, HD 214080 and HD 219188) which have only a single velocity component in the high-resolution optical measurements, in order to avoid line blending. To analyze the CO molecule, we select the E-X (0-0) band at $1076{\AA}$, which has a large oscillate. strength and is not blended with other interstellar absorption lines. We detect the CO absorption lines in three (HD 37903, HD 164794, and HD 214080) out of seven targets, and derive CO column densities for those targets. We also estimated the CO to $H_2$ ratios toward the three stars, based on the previously estimated $H_2$ column densities.

• Solar Energy
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• v.18 no.3
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• pp.169-175
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• 1998

Metal hydrides can be used for the purpose of heat storage and transportation from the industrial complex which own recoverable waste heats to the neighboring cities by the medium of hydrogen. The properties of metal hydrides, some problems of heat transportation using metal hydrides, and the example of heat transportation system were discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.493-496
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• 2005

비정질 실리콘 (a-Si)의 수소화를 통해 활성화 수소가 비정질 실리콘내의 댕글링본드 (dangling bond) 와 결합 하므로 에너지밴드의 국재준위(localized state)를 감소시켜 불순물 도핑이 가능하게 되므로 a-Si 이 전자소자로서 이용 가능하게 되었다. 이에 착안하여 본 연구에서는 경사($0^{\circ}$, $45^{\circ}$, $80^{\circ}$) 증착을 통해 비정질 칼코게나이드($a-As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$) 박막을 제작하고 그 박막을 수소화처리 (15~20atm at $150\sim190^{\circ}C$)하여 처리 전 후의 surface morphology 변화 및 광학적 특성 변화를 고찰하였다. $a-As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ 박막의 SEM 측정을 통해 $40^{\circ}$와 $80^{\circ}$ 경사 증착된 $a-As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ 박막에서 각각 18.8nm 와 160nm의 transition layer와 박막의 기둥(columnar)구조가 형성됨을 관찰하였다. 특히, $80^{\circ}$ 증착박막의 경우 수소처리전 columnar구조는 약 $65\sim70^{\circ}$의 기둥 각을 가지고 형성되었고 수소화 처리를 통해 기둥구조가 붕괴 되었다. $70^{\circ}$ 경사 증착된 $a-As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ 박막은 $0^{\circ}$에 따른 박막 보다 흡수단 부근에서 약 20%의 투과도 증가와 광 에너지 갭 ($E_{op}$)의 증가를 관찰 할 수 있었다. $80^{\circ}$경사 증착된 수소처리 박막에서 흡수단 부근의 투과도가 약 10%증가 되었고, 광 에너지 갭은 약 0.07eV 증가 하였고, PL intensity는 흡수단 부근에서 증가한 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 변화들은 경사 증착된 $a-As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ 박막 내의 상대적으로 원자 밀도가 큰 기둥(columnar)구조가 생성되고, 이 원자 밀도가 높은 기둥구조의 댕글링본드와 주입된 수소가 흡착하여 에너지대의 국재준위를 감소시키기 때문으로 판단된다.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.18 no.3
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• pp.334-341
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• 2007

Al film(135.5 nm thick) with Pd film(39.6 nm thick) was made by thermal evaporation method. Electrical resistance change by hydrogen absorption and desorption was measured with four point measurement method. Even though Al film(135.5 nm thick) did not absorb any hydrogen at room temperature, Al/Pd film absorbed hydrogen at upto 640 torr pressure. Hydrogen absorption kinetics was monitored by measuring resistance change of the sample in the temperature range from $25^{\circ}C$ to $40^{\circ}C$. Absorption activation energy of Al/Pd film was about 10.7 and 17.7 kcal/mol H for 1st stage and last stage respectively at 1 torr hydrogen pressure. This activation values are bigger than that of Pd film, but are much less than that of Al film. This result indicates there is possibility that Al can be storage material for hydrogen by using Pd film evaporation on it.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.15 no.3
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• pp.250-256
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• 2004

Magnesium and its alloys have the high potential as hydrogen storage materials because of their highest hydrogen storage capacity, low density and abundant resources. But poor kinetic properties of hydriding and dehydriding and high working temperature have limited their practical applications. In this study, the Mg-Ni binary alloys with different amount of Ni were produced by gravity casting and characterized in order to investigate the relationship between the microstructures and hydriding properties. The maximum hydrogen absorption capacity decreased, but the absorption kinetics increased with Ni content. The difference in the absorption kinetics was resulted from the differences in the sort and shape of primary solid phases and eutectic microstructure.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.6 no.1
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• pp.1-9
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• 1995

$V_{0.9}Ti_{0.1}$ 합금은 많은 양의 수소를 흡수할 수 있으나 KOH 전해질내에서 방전이 되지 않기 때문에 Ni-MH 전지의 음극재료로 사용할 수 없었다. 이와 같은 $V_{0.9}Ti_{0.1}$ 합금을 전해질내에서 수소흡수/방출에 대한 촉매효과를 갖도록 Ni 분말과 소결하였다. Ni 분말과 소결한 모든 시편은 KOH 전해질내에서 10 Cycle 이내에 활성화 되었다. 방전용량은 소결시 첨가된 Ni 분말의 양에 따라 maximum 거동을 보였다. 가장 높은 방전용량을 보여준 전극의 경우는 소결시 첨가된 Ni 분말의 양이 25wt.%이며 그 방전용량은 302mAh/g이었다. SEM과 EDS 그리고 XRD 분석결과 소결시 $VNi_3$가 형성됨을 알 수 있었다. $V_{0.9}Ti_{0.1}$ 합금의 표면에 형성된 $VNi_3$는 전극의 최적방전조건과 밀접한 관련이 있음을 알 수 있었다. Brewer-Engel 이론에 의하면 $VNi_3$는 수소의 evolution에 대한 전기적 촉매효과가 매우 높다고 보고하고 있으며, 이러한 효과는 본 실험결과 교환전류밀도의 증가와 방전시 과전압의 감소로써 나타났다. 본 연구에서는 수소의 저장용량은 크나 KOH 전해질내에서 방전되지 않는 합금을 사용하여 Ni-MH 전지용 음극개발을 하기 위해 Ni분말과 소결하여 합금의 표면을 변화시키는 새로운 방법을 제안하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.177-177
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• 2010

고효율 비정질 실리콘 박막 태양전지 제작을 위해서는 광파장대에서 optical confinement 능력을 최대화할 수 있는 기술이 필수적이다. 효율적인 photon trapping을 위해서는 back reflector를 사용하거나 전면전극인 투명전도성막의 표면에 요철을 형성하여 포획된 태양광의 내부 반사를 증가시키거나 전면 투명전극에서 반사를 감소시켜 태양광의 travel length를 증가시키는 방법이 일반적이며, 이를 통해 흡수층의 효율을 최대화할 수 있다. 이 중 전면전극으로 사용되는 투명전도성막은 불소가 도핑된 tin-oxide가 주로 사용되었으나, 최근 들어 Al이 도핑된 산화아연막을 이용한 비정질 실리콘 박막 태양전지 개발에 대한 연구도 활발히 진행되고 있다. 투명전극 증착후 표면의 유효면적을 증가시키기 위해 염산 용액을 이용하여 표면 텍스쳐링을 수행한다. 그후 흡수층인 p-i-n 층을 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 형성하는 것이 일반적이다. 이때 표면처리 된 투명전극은 수소플라즈마에 대해 특성이 변하지 않아야 고효율 비정질 실리콘 박막 태양전지 제조에 적용될 수 있다. 본 연구에서는 표면처리 된 AZO 투명전극의 수소플라즈마에 의한 특성 변화에 대해 고찰하였다. 먼저 AZO 투명전극은 스퍼터링 공정을 적용하여 $1\;{\mu}m$두께로 증착하였고, 0.5 wt%의 HCl 용액을 이용하여 습식 식각을 수행하였다. 수소플라즈마 처리 조건은 $H_2$ flow rate 30 sccm, working pressure 20 mtorr, RF power 300 W, Temp $60^{\circ}C$ 이며 3분간 진행하였다. 표면형상은 수소플라즈마 전 후에는 큰 차이를 보이지 않았으며 AZO의 grain size는 각각 220 nm, 210 nm로 관찰되었다. 투명전극의 가장 중요한 특성인 가시광선 영역에서의 투과도는 수소플라즈마 처리전에는 90 % 이상의 투과도를 보였으나, 수소플라즈마 처리 후에는 85 %로 약간 저하된 특성을 보였다. 그러나 이는 박막 태양전지용 전면전극으로 사용하기 위한 투과도인 80 % 이상을 만족하는 결과로, 비정질 박막 실리콘 태양전지 제작에 사용될 수 있다. 또 하나의 중요한 특성인 Haze factor 역시 수소플라즈마 처리 전 후 모두 10 이상의 값을 나타냈다. 하지만 고효율 실리콘 박막 태양전지에 적용하기 위해서는 Haze factor를 증가시키는 공정 개발에 대한 추가 연구가 필요하다.