• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.11a
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• pp.45.1-45.1
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• 2009

본 연구에서는 BaSrFBr:Eu 형광물질의 결함 농도 분석을 시도하였다. 또한 동시 계수 방법과 Fast -Slow - Coincidence 시스템으로 구성한 양전자 수명 측정법을 통하여 에너지의 변화에 따른 양성자 조사에 의한 시료 결함에 따른 동시 계수 도플러법과 양전자 수명의 변화를 측정 하였으며, SRIM 시뮬레이션을 통한 에너지에 따른 양성자 투과 깊이의 변화를 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.336-336
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• 2012

수명 측정법과 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 0, 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 결함 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지를 수리적 해석 방법인 S-변수와 열린 부피 결함에 대한 측정법으로서 양전자 수명 ${\tau}1$과 ${\tau}2$, 이에 따른 밀도 I1과 I2를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수와 양전자 수명은 시료에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변화하기보다 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 양전자 수명 측정과 같은 경향을 보여준다. SRIM의 결과로써, 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 양성자는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료 전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문이다. 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.259-259
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• 2010

본 연구는 양전자 소멸 측정 분광법을 통하여 BaSrFBr:Eu 형광물질의 결함 농도 분석을 시도하였다. LABO를 이용한 동시계수 도플러 방법과 Fast - Slow - Coincidence 시스템으로 구성한 양전자 수명 분광법을 통하여 에너지의 변화에 따른 양성자 조사에 의한 시료 결함에 따른 동시 계수 도플러법과 양전자 수명의 변화를 측정 하였으며, SRIM 시뮬레이션을 통한 에너지에 따른 양성자 투과 깊이의 변화를 연구하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.4
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• pp.408-413
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• 1995

We investigated the effect of mechanical backside damage upon minority carrier recombination lifetime measurement in Czochralski silicon substrate by laser excitation/microwave reflection photoconductance decay method. The intensity of mechanical damage was evaluated by X-ray double crystal rocking curve, X-ray section topography and wet oxidation/preferential etch methods. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and the threshold full width at half maximum value which affect minority carrier lifetime measurement is about 13 secs.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.5
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• pp.225-232
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• 2012

It is described that the proton beam induceds micro-size defects and electronic deep levels in n or p type single crystal silicon. Positron lifetime and Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy were applied to study of characteristics of p type and n type silicon samples. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The samples were exposed by 3.98 MeV proton beams ranging between 0 to ${\sim}10^{14}$ particles. The S-parameter values strongly depend on the irradiated proton beam, that indicated the defects generate more. Positron lifetime shows that positrons trapped in vacancies and lifetime ${\tau}_2$ increased according to proton irradiation.

• The Korean Journal of Nuclear Medicine
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• v.8 no.1_2
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• pp.63-70
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• 1974

이 논문(論文)은 1973년(年) ICSH주최로 옅린 panel에서 혈소판수명(血小板壽命) 측정법(測定法)의 표준화(標準化)에 관(關)한 토론결과(討論結果)를 기록(技錄)한 것이다. 이 prnel에서는 주(主)로 혈소판수명측정(血小板壽命測定)의 기술적(技術的)인 면(面)과 분석적(分析的)인 면(面)을 토론(討論)하고 있다. 현소판(血小板)에 방사성(放射性) 물질(物質)의 표지법(標識法)으로는 "Cohor"법(法)과 "Random"표지법(標識法)이 있으며 전자(前者)는 분석적(分析的)인 면(面)에서는 "Random" 표지법(標識法) 보다 좋으나 현재로서는 표지법(標識法)으로서 만족하지는 않다. "Random"표지법(標識法)으로는 $^{14}C$-serotonime, DEP, $^{32}P,\;^3H$와 $^{51}Cr$ 등(等)이 이용(利用)되고 있다. DEP는 현재 널리 사용되고 있으나 DEP는 주입후(注入後) 2주(週)까지 방사능(放射能)이 처음의 $10{\sim}15%$정도(程度)가 계속 남아있고 또한 혈소판이외(血小板以外)에도 백혈구(白血球), 적혈구등(赤血球等)에도 상당히 많이 표지(標識)되므로 혈소판(血小板)만 따로 분리(分離)해야 되는 단점이 있어서 이 panel에서는 사용하지 않는 것이 좋다고 하였다. 반면 $^{51}Cr$은 기술적(技術的)인 문제(問題)가 이미 많이 해결되어 있어 추천하고 있다. 여기서는 혈소판수명(血小板壽命) 측정법(測定法)에서 혈소판분리(血小板分離) 및 표지(標識), 채혈(採血) 및 계측(計測), data 분석법등(分析法等)에 관(關)하여 논(論)하고 있다.

• Journal of the KSME
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• v.31 no.3
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• pp.251-260
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• 1991

발전 설비를 중심으로 고온 부재의 잔존 수명 진단을 위한 경년 열화도의 측정에 관련된 연구 현황에 대해 극히 좁은 범위 안에서 개략적으로 기술했다. 국내의 산업체에서도 현재 이에 관 련된 문제점을 제시하고 있고 앞으로 이러한 문제의 발생은 그 빈도와 규모면에서 증가하게 될 것이다. 이에 대비하여 기존 방법의 기술적 터득과 데이터의 축적 그리고 측정 정도를 향상시 키기 위한 새로운 측정 방법들의 개발이 시급한 실정이다. 정확한 진단과 수명이 예측을 위해선 본 글에서 설명된 각종 측정법들과, 짧은 식견으로 여기에서는 설명되지 못한 금속학적 고찰을 가미한 수많은 측정법들을 종합적으로 행하여야 할 필요가 있다는 것은 말 할 나위도 없다. 또한 실기 사용 부재의 입수, 나름대로의 정보 교환은 연구 초기 단계에서 부딪치는 수많은 문 제점들을 원활하게 해결하기 위해서는 각 전문분야의 학술적 교류와 더불어 산. 학. 연의 공동 연구가 절실하게 요구된다.

• Journal of the KSME
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• v.28 no.4
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• pp.343-348
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• 1988

몇 가지 균열검출법 및 크기의 측정법에 대하여 개요, 문제점, 정량적 측정에 유의해야 할 점을 살펴보았다. 아직 어느 방법도 모든 균열에 적용할 만큼 완전한 방법은 없지만 적용범위와 유 의사항을 이해하고 측정대상에 맞는 방법을 올바로 적용한다면 목적에 부합하는 결과를 얻을 것으로 본다. 기기나 구조물의 파괴원인을 정확히 규명하고 잔존수명을 정확히 예측하여 파괴를 방지하려면 재료의 강도특성이나 파괴역학적 해석법의 연구에 못지 않게 비파괴적 균열검출법과 정량적 측정법에 관한 연구도 깊이 이루어져야 하리라 믿는다. 그러나 아직 우리나라에서는 이 점에 미흡함이 많다. 더 나은 측정방법을 고안해 내고, 측정장치를 개발하여 균열에 대한 정보 의 정확성을 높여 구조물의 안전성 평가의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 연구가 활발히 진행되 어야 할 것이다.

• Journal of Welding and Joining
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• v.13 no.2
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• pp.12-24
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• 1995

Recently, more researches have been actively performed for the assessment of material degradation and residual-life of elevated temperature plant components, as some of domestic fossil power plants become older than 30 years. In this paper, results of on_site residual life assessment are reported for main steam pipes of Youngwol power station #2 which have operated since 1965. For critical weld locations such as butt welds branch welds, Y_sections and a T-section, replication technique and hardness measurement technique were employed for life_assessment. When cracks were detected by conventional NDT tests, crack growth life was calculated using a computer code. On the other hand, for matrix of pipes, residual life was quantitatively estimated by an analytic method and material degradation was estimated qualitatively using diameter measurement data and grain-boundary etching method. Also, direction in further improvement of on-site life assessment techniques are proposed.

• 건강소식
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• v.30 no.6 s.331
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• pp.32-33
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• 2006

건강 나이라는 개념을 정리하여 대중적으로 알리기 시작한 사람은 미국 시카고 프리츠크의대의 마이클 로이젠 교수이다. 그는 2만 5,000여 건의 임상 연구를 토대로 질병, 습관, 유전, 환경 등 인간 수명에 영향을 미치는 125가지 기준을 선정하여 건강 나이 계산법을 만들었다. 우리나라에서는 서울백병원 가정의학과 김철환 박사가 미국의 자료와 우리나라의 임상 자료를 토대로 우리 실정에 맞는 '건강 나이 측정법'을 고안하여 보급하였다.