양전자 소멸 측정법에 의한 형광물질의 결함 연구

  • 이종용 (한남대학교 물리학과) ;
  • 권준현 (한국 원자력 연구원, 원자력재료기술개발팀) ;
  • 배석환 (건양대학교 방사선영상학과)
  • Published : 2009.11.05

Abstract

본 연구에서는 BaSrFBr:Eu 형광물질의 결함 농도 분석을 시도하였다. 또한 동시 계수 방법과 Fast -Slow - Coincidence 시스템으로 구성한 양전자 수명 측정법을 통하여 에너지의 변화에 따른 양성자 조사에 의한 시료 결함에 따른 동시 계수 도플러법과 양전자 수명의 변화를 측정 하였으며, SRIM 시뮬레이션을 통한 에너지에 따른 양성자 투과 깊이의 변화를 연구하였다.

Keywords