• 기계저널
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• 제49권11호
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• pp.45-51
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• 2009

한국원자력연구원의 다목적 연구용 원자로, 하나로는 중성자 이용 물성 연구 등 다양한 분야에 사용되며, 중성자는 녹색기술 관련 소재의 생산과 특성 분석에 매우 유용한 도구이다. 중성자 도핑을 이용하여 생산되는 반도체는 그린 카에 사용되는 전력 소자에 활용되고 있다. 중성자 산란 실험 장치들은 이차전지 재료와 수소저장 물질의 물성 연구에 활용되고 있다. 중성자 비파괴 검사 장치는 연료전지의 성능 연구에 활용되고 있다. 고속중성자를 이용하여 스위칭 소자의 특성을 개선하는 기술과 장치가 구축되면 전력 소자의 효율 증대에 기여할 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.232.2-232.2
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• 2013

본 연구에서는 asymmetric과 symmetric MOSFET 소자의 drain breakdown 및 snapback 특성을 분석하였다. 실험에서는 두 MOSFET 소자의 동작 영역에서 게이트와 드레인에 각각 전압을 인가하였다. 드레인 전류-전압 곡선으로 부터 drain breakdown 전압과 snapback 전압을 추출하였다. 결과 avalanche breakdown 발생 전의 드레인 전류는 asymmetric 구조의 경우 더 작은 값을 보였으며 이는 asymmetric 구조에서의 drain field 가 더 낮기 때문이다. 따라서 impact ionization은 asymmetric 구조에서 덜 발생하며, snapback 전압은 avalanche breakdown voltage가 작은 asymmetric 구조에서 크게 나타났다.

• 수산해양기술연구
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• 제32권1호
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• pp.100-106
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• 1996

반도체 소자에 정전기 방전으로 인한 소자내의 온도 상승을 알기 위해 열전달 방정식으로부터 열모델을 유도하였다. 그리고 열파괴 문턱전류를 얻고 시간에 따른 온도 변화를 열모델로부터 해석하였다. 여기서 유도한 열모델은 Wunsch-Bell모델에 지수 항을 추가한 형태이다. 이 모델의 유효성을 증명하기 위해 실험결과와 비교한 결과 매우 잘 일치하였으므로 이 열모델의 함수는 입력보호회로의 반도체소자를 설계하는데 매우 유용하다.

• 디지털융복합연구
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• 제19권11호
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• pp.341-349
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• 2021

최근 조명 산업이 중요한 분야로 인식되면서 PQR (Photonic Quantum Ring) 소자는 LED(Light Emitting Diode)를 대체할 수 있는 차세대 광원이 될 전망이다. 본 연구에서는 기존 연구와 유사한 결과를 검증하고, 소자의 광특성을 분석하기 위해 광섬유가 연결된 스테이지에 x, y, z 좌표를 입력하면 자동으로 이동하며, 또한, 소자에 광섬유를 근접시키는 NSOM (Near field scanning optical microscopy) 장치를 추가한 측정 시스템을 이용하여 소자의 광특성 실험과 공진 및 어레이 소자의 광특성 시뮬레이션을 통해 조명용 소자로 가능성을 검증하고자 하였다. 이를 위해 메사와 홀 형태가 동시에 존재하는 메사 직경 40㎛, 홀 직경 3㎛의 소자를 제작하여 소자의 근접장으로 PQR 소자는 ㎂에서 동작하며, 메사와 홀 소자는 서로 독립적으로 구동됨을 관찰하였다. 위치에 따른 소자의 광파장 스펙트럼을 측정하여 메사와 홀 소자에 의한 커플링 현상을 처음으로 확인하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권1호
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• pp.105-114
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• 2004

본 논문에서 반도체 소자에 대한 DC 파라미터 검사를 위한 회로를 설계하였다. DC 파라미터 검사기는 반도체 소자의 DC 특성을 검사하는 시스템 이다. 본 논문에서 설계한 회로에서는 파라미터를 검사하기 위해 전압(전류)인가 전류(전압)측정 방법을 사용하도록 회로를 설계하였다. 설계한 회로를 OR-CAD를 사용하여 실험하였으며, 설계된 회로의 실험결과를 통해 좋은 성능을 가짐을 알 수 있었다.

• 산업공학
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• 제10권1호
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• pp.95-107
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• 1997

본 논문은 실험계획법을 반도체 공정 및 소자 시뮬레이터에 적용하여, 시뮬레이션 회수를 최소화하고, 동시에 현장과 유사하게 시뮬레이터 내부 파라미터가 튜닝 될 수 있도록 하는 교정 문제에도 활용된 반도체 공정 최적화 사례를 소개한다. 또한, 일반적 시뮬레이터가 실제 현장과의 차이점으로 갖는 문제인 동일한 입력 값에 대해 항상 같은 출력 값이 산출되는 점을 공정의 규격을 고려해 시뮬레이션 함으로써 현장에서의 재현성을 높이고자 하였다. 이는 $0.8{\mu}m$급 BIMOS 공정의 기본 소자 중 하나의 NPN 트랜지스터의 전류이득(Current Gain : hFE) 특성을 최적화하기 위한 주요 공정조건 결정과 연관된 것이며, 기존 방법에 비해 시뮬레이션 횟수를 줄이는 동시에 현장에 직접 투입되는 검증 로트를 최소화시켜 비용과 시간을 절감할 수 있었다. 또한, 얻어진 추전 조건에서 실제 생산된 검증 로트를 통해 시뮬레이션으로부터 얻어진 결과들이 재현됨으로써 제시된 방법의 유용성을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1026-1027
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• 2015

고 승압 플라이백 컨버터를 설계하여 제작, 사용할 때 고주파수의 스위칭시 스위칭 소자의 보호를 위해 스너버 회로를 사용하게 된다. 본 논문에서는 고 승압 플라이백 컨버터의 스위칭 소자에서 R-C 스너버 회로가 미치는 영향에 대해 직접 실험하여 스너버 회로가 스위칭 소자와 스위칭 신호에 미치는 영향을 확인하고 실험을 통해 얻은 스너버 회로 파라미터값과 계산결과를 비교한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.391-392
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• 2013

반도체 집적회로의 고집적화 및 고성능화를 위한 기본 소자(MOSFET)의 미세화 및 단위공정의 물리적 한계를 극복하기 위해 기존의 Top-down 방식에서 buttom-up 방식의 공정에 대한 연구가 진행되고 있다. 그 중 nanoparticles를 이용한 나노소자 제작 연구가 이루어지고 있다. 하지만 이러한 nanoparticles를 이용한 나노소자의 제작에 있어서 원하는 위치에 nanoparticles를 배열하고 정렬하는데 어려움을 겪고 있다. 이 문제를 해결하기 위해서 자기조립 특성을 가지고 있는 DNA분자와 기능화를 통하여 표면에 positive charge를 띄고있는 Gold nanoparticles를 상호결합 시키는 실험을 하였다. Au-DNA nanowire는 backbone에 있는 phosphate부분에서 negative charge를 띠고 있는 DNA와 positive charge를 띠고 있는 Gold nanoparticles가 결합하는 원리로 형성된다. 그렇지만 Gold particles를 표면이 아닌 DNA에만 붙이는 것은 아직 해결해야 할 부분으로 남아있다. 본 연구에서는 이 문제를 해결하기 위하여 pH 조절을 통하여 기능화된 Gold particles의 charge의 변화를 주고 이를 Zeta potential 측정기로 측정한 후에 이 particles와 DNA를 결합시켜서 FE-SEM과 AFM 으로 확인하는 실험을 하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.423-424
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• 2014

본 논문에서는 배터리 충 방전을 위한 새로운 고승압 양방향 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안 회로는 하나의 회로로 양방향 스위치가 가능하게 하였다. 기존 DC-DC 컨버터는 고주파 스위칭 동작 시 손실분 저항의 증가로 승압이 어려운 문제점이 있다. 이를 위해 기존 Boost converter 회로 방식보다 승압비가 높은 회로를 제안하였다. 그리고 기존 충전회로는 10배 이상의 입 출력 강압변환 시, 낮은 duty cycle로 소자 스트레스가 높아 고 사양의 소자를 사용해야 했다. 제안회로는 충전 시, Buck converter 동작을 하면서 기존 duty cycle 보다 3배가량 높아 소자 스트레스를 줄였다. 이를 모의실험 및 실험을 통해 타당성을 검증하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.481-482
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• 2005

유기발광소자의 발광층의 전압에 따른 임피던스의 변화를 살펴보았다. 임피던스는 전압의 변화에 따른 의존성을 보이며, 그에 따른 임피던스와 Cole-Cole 반원의 변화를 전기전도기구와 비교하여 살펴보았다. 소자의 구조는 ITO/$Alq_3$/Al의 구조로 발광층의 두께는 60 nm로 열증착하여 실험하였다. 실험에서 전기전도기구의 Ohmic 영역, SCLC 영역, 부성저항영역, TCLC 영역에서 각각 임피던스를 측정하였고, 전압의 증가에 따라 임피던스의 크기가 감소하고, 위상각은 0V에서 용량성을 보이다가 발광영역에서 저항성을 나타내는 것을 알 수 있었다. 또한 전압에 따른 Cole-Cole 반원을 살며보면 전압이 증가할수록 반원의 크기가 감소하는 것을 알 수 있으며, 이를 통해 간단한 등가회로를 예측할 수 있었다.