수율과 품질을 유지하기 위하여 불량 셀을 예비 셀로 수리하는 방법이 많이 사용되고 있다. 대부분의 메모리가 2차원 예비셀 구조를 갖는 상황에서, 최근의 Giga 용량 메모리의 경우 대부분의 칩에서 예비 셀에도 불량이 존재 한다. 본 논문에서는 예비 셀에 불량이 있는 경우를 고려한 자체 내장 수리연산 시 기존의 모든 자체 내장 수리연산 회로에 적용이 가능한 분석 영역 가상화 방법을 제시하였다. 분석 영역 가상화 방법은 향후 메모리 고용량화에 따른 필수 해결 사항인 에비 셀 불량에 대한 효과적인 대처방안이 될 수 있을 것이다.
이동횟수 기반 위치갱신 기법에서 고정망과의 접속은 단말 내부의 계수기가 이동횟수 임계치에 이르러 위치갱신이 수행되거나 신규호가 발생할 경우에 행해진다. 그러나 단말의 계수기가 임계치에 이르는 동시에 단말이 이전 위치갱신이 수행된 셀(중앙셀)로 재진입이 발생할 경우 불필요한 위치갱신이 수행된다. [2]에서는 중앙셀로 재진입이 발생하는 경우의 불필요한 위치갱신 수행을 제거하기 위해 중앙셀로 재진입이 발생할 경우 계수기를 영으로 초기화한다. 본 논문에서는 [2]의 기법을 일반화하여 위치갱신 비용을 절약할 수 있는 개선된 기법을 제안한다. 본 기법은 단말이 셀 사이를 이동하는 동안 단말은 자신이 방문한 셀과 이동횟수에 관한 정보를 저장한다. 단말이 이미 방문한 셀로 재진입이 발생할 겨우 이동횟수 계수기를 증가시키는 것이 아니라 이전 방문시 저장하였던 이동횟수로 재조정한다. 이러한 이동회수 계수기의 재조정 방법을 통하여 불필요한 위치갱신과 신호절차를 효과적으로 줄일 수 있다. [2]의 기법은 본 논문에서 제안하는 기법 중에서 중앙셀로 재진입할 때만 계수기를 영으로 재조정하는 특수한 경우에 해당된다. 본 기법이 전체 위치관리 비용을 크게 절약할 수 있음을 증명하기 위해 다양한 환경에서의 성능분석 및 수치적 결과를 통해 알아 본 결과 호 도착 비율당 전체 위치관리 비용이 평균 17-26% 절약됨을 관찰할 수 있었다.
본 논문에서는 펨토셀을 채택한 셀룰러 통신망에서 매크로셀 사용자를 보호하기 위한 새로운 분산식 펨토셀 전송전력 제어 기법을 제안한다. 제안된 기법에서, 인근의 펨토셀로부터 심한 간섭을 받는 매크로셀 사용자는 그 사실을 매크로셀 기지국을 통해 해당 펨토셀 기지국에게 알린다. 펨토셀 기지국은 전송전력을 감소시켜 매크로셀 사용자를 보호한다. 제안된 기법은 매크로셀 기지국, 매크로셀 사용자 및 펨토셀 기지국 간에 교환해야 할 제어 정보가 많지 않고, 펨토셀 기지국의 계산량이 적어서 구현이 용이한 장점을 가진다. 시뮬레이션 결과에 따르면, 제안된 기법은 그 단순함에도 불구하고 최소한의 펨토셀 사용자의 성능 열화를 대가로 탁월한 매크로셀 성능 향상을 달성한다.
이동통신망의 발전으로 인해 한정적인 주파수 자원을 효율적으로 사용하여 폭증하는 가입자를 수용하기 위해 셀의 반경은 점점 작아지고 있다. 가입자에게 신규호의 실패보다 더 민감한 핸드오프호가 자주 발생함에 따라 핸드오프호 처리의 중요성이 증대되었다. 따라서, 셀마다 핸드오프호를 위한 예약 채널을 두어 어느 정도 신규호의 블록킹율의 증가를 감수하더라도, 핸드오프호의 강제종료율을 낮추는 방법이 제안되었다. 이러한 예약 채널 할당 기법에서는 예약 채널을 몇 개로 할 것인가가 중요한 문제가 된다. 왜냐하면 예약 채널 수를 과다하게 설정하면 핸드오프가 빈번하지 않은 셀에서는 채널의 낭비를 초래하고, 적게 설정하면 핸드오프가 빈번한 셀은 핸드오프 강제종료율이 높아지게 되기 때문이다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 논문은 신경망 모델 중 다층 퍼셉트론을 이용하여 셀에서 요구되는 최적의 예약율을 구하여 셀의 환경이 변할 때마다 적용할 수 있는 방법을 제안한다. 본 논문에서는 모의 실험을 통해 이동통신 시스템에서의 핸드오프 예약율을 주기적으로 최적화 시킴으로써 핸드오프가 자주 발생하는 셀에서는 핸드오프 강제종료율을 낮추고, 핸드오프가 빈번하지 않은 셀은 채널의 손실을 막아 시스템의 전체적인 효율이 향상됨을 보인다.
ATM망에서는 예측할 수 없는 트래픽의 변화로 셀 지연과 셀 손실이 발생할 수 있으며 고속의 셀 전송 특성으로 인해 폭주가 발생할 수 있다. 따라서 트래픽 제어는 ATM 망에서 필수적이며, 폭주현상을 줄이기 위한 여러 가지 방법들 가운데 하나가 셀 쉐이핑이다. 본 논문에서는 리키버켓과 TJW로 구성된 셀 쉐이핑 기법을 연구한다. 셀 쉐이퍼는 시간 윈도우를 가진 TJW와 토큰 풀을 가진 리키버켓, 간격제어 버퍼로 구성된다. BONeS시뮬레이터에서 ON/OFF트래픽 소스 모델을 이용하여 제안한 셀 쉐이핑 기법의 성능을 평가한 결과, 패킷화된 음성 트래픽과 고속 트래픽 소스 모두 셀 간격이 평균 비트율에 수렴하여 제어되는 것을 관찰할 수 있었다.
본 논문에서는 전자파 장해 측정용 야외시험장과 전자파 내성 시험장인 GTEM 셀과의 상관계수를 이용하여 GTEM 셀에서 전자파 허용 기준을 제시하였다. 실험적인 상관계수를 도출하기 위해서 피시험 기기를 제작하였으며, 제작된 피시험 기기의 전기장 세기를 10 m 야외시험장과 GTEM 셀에서 측정하였다. 또한, GTEM 셀의 3방위법을 역변환함으로써 GTEM 셀에서 복사 전력에 대한 허용 기준을 도출하였다. GTEM 셀의 3방위법과 15방위법에 대한 이론치를 프로그램화 하였으며, 프로그램을 통한 결과 값과 시험장에서 측정한 값을 비교 분석하였다. GTEM 셀에서 전자파 허용 기준을 새롭게 제시함으로써 GTEM 셀이 야외시험장의 전자파 방사(EMI) 대체 시험장으로서 활용될 수 있음을 확인하였다.
회로 시뮬레이터를 이용하는 DC 셀 노드전압 분석방법을 적용하여, 고저항 SRAM 셀 구조에서 기생저항들과 트랜지스터 비대칭에 의해 야기되는 정적 읽기동작에서의 동작마진을 조사하였다. 이상적인 셀에 기생저항을 선택적으로 추가함으로써 각 기생저항들이 동작 마진에 끼치는 영향을 조사한 뒤, 기생저항이 좌우대칭 쌍으로 존재하는 경우에 대해 조사하고, 또한 셀 트랜지스터의 채널폭을 선택적으로 변화시켜 트랜지스터의 비대칭을 야기시킴으로써 트랜지스터 비대칭에 의한 동작 마진의 저하를 분석하였다. 분석 방법은 시뮬레이션된 셀 노드전압 특성에서 두 셀 노드전압이 하나의 값으로 수렴되는 전원전압의 값과 $V_{DD}=5V$에서 셀 노드전압의 차를 비교함으로써 상대적인 동작 마진을 비교하는 방법을 사용하였다. 회로 시뮬레이션에 의존한 본 분석으로부터 셀의 정적 읽기동작에 가장 심각한 영향을 끼치는 기생저항 성분과 트랜지스터의 비대칭 형태를 규명함으로써 새로운 셀 구조 설계시 참고할 수 있는 기준을 제시하였다.
주파수 재사용도 K = 1을 사용하는 셀룰러 OFDMA 시스템에서 셀 경계 사용자의 동일 채널 간섭에 의한 수율 저하 문제를 완화하기 위한 대역 분산적 자원 할당 알고리즘을 제안하고, 이에 따른 성능 향상 효과를 분석한다. 본 논문에서 고려한 대역 분산적 자원 할당 알고리즘은 셀 내의 사용자를 경로 감쇄 순서로 내림차순으로 정렬한 후에 각 셀마다 다르게 미리 정해져 있는 자원 할당 영역부터 자원을 할당한다. 셀마다 다른 시간과 공간적인 영역에서 자원 할당을 시작하도록 되어 있으므로 셀 경계의 사용자부터 셀 중앙의 사용자들까지 셀 내 특정위치의 사용자를 특정 시간대에 배치하여 셀 경계 사용자들이 동시에 같은 자원을 사용하여 간섭이 매우 커지는 경우를 미리 방지하고 셀 내의 사용자들에게 간섭이 평준화되어 고르게 영향을 받도록 한다. 이러한 대역 분산적 자원 할당 방식을 사용하여 셀 경계 사용자의 전송률과 outage 성능이 향상되었음을 확인하였다.
본 연구에서는 ATM 네트워크 트래픽 제어에서 사용되는 셀 마킹 기법의 문제점을 제시하고 사용자 레벨의 우선순위를 고려한 확장된 셀 마킹 기법을 제안하였다. 기존 의 트래픽 모니터링 기법에서는 셀의 트래픽 규약 위반 사항만을 가지고 셀의 CLP 비트를 1로 마킹하였다. 이렇게 함으로써 낮은 순위의 셀이 늘어나고, 사용자 레벨의 우선 순위와는 상관없이 셀의 등급이 낮아지게 되었다. 본 연구에서는 FCI 비트와 CLP 비트를 결합하여 3 레벨의 우선 순위 방식을 제안한다. CLP=0인 셀의 레벨을 2 단 계로 구분하였다. 결과적으로 제안한 기법이 기존의 방법보다 높은 순위 셀을 더 많이 보존할 수 있었으며 높은 순위의 셀 손실도 줄일 수 있었다. 또한 제안한 3 레벨에 대 해 두개의 임계차를 갖는 부분 버퍼 공유 기법(PBS : partial buffer sharing)으로 성 능을 분석하였다. 분석 결과 두개의 임계치를 갖는 PBS가 우선 순위없는 기법이나 한 개의 임계치를 가진 PBS 보다 더 효율적인 제어가 가능하였다.
본 논문에서는 강유전체 메모리의 셀 효율을 높이기 위해 PMOS-gating 셀을 이용한 설계기법을 기술하였다. PMOS-gating 셀은 PMOS access 트랜지스터와 강유전체 커패시터로 이루어지며 커패시터의 플레이트는 ground에 고정된다. 아울러 read/write 동작시 비트라인이 $V_{DD}$로 precharge 되고, negative 전압 워드라인 기법이 사용되며, negative 펄스 restore 동작을 이용한다. 이는 셀 플레이트 구동없이 단순히 워드라인과 비트라인만 구동하여 메모리 셀의 데이타를 저장하고 읽어낼 수 있는 설계 방식으로, 기존의 셀 플레이트를 구동하는 FRAM 대비 메모리 셀 효율을 극대화 할 수 있어, multi-megabit 이상의 집적도에서 경쟁력 있는 칩 면적 구현이 가능하다. $0.25-{\mu}m$ triple-well 공정을 적용한 2.5-V, 1-Mb FRAM 시제품 설계를 통해 제안한 설계기술을 검증하였고, 시뮬레이션 결과 48 ns의 access time, 11 mA의 동작전류 특성을 보였다. 레이아웃 결과 칩 면적은 $3.22\;mm^{2}$ 이며, 기존의 셀 플레이트 구동기를 사용하는 FRAM 대비 약 $20\;\%$의 셀 효율을 개선하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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