• 한국세라믹학회:학술대회논문집
• /
• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
• /
• pp.100.1-100
• /
• 2002

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
• /
• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
• /
• pp.105.1-105
• /
• 2002

• 세라미스트
• /
• 제5권1호
• /
• pp.56-62
• /
• 2002

• 세라미스트
• /
• 제8권5호
• /
• pp.13-16
• /
• 2005

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.251-252
• /
• 2009

전류에 의한 자속변화를 검출하는 로고스키코일은 자성체를 코어로 이용하는 종전의 변류기 (Current Transformer) 와는 달리 공심이거나 비자성재료를 사용하기 때문에 자기적으로 포화되지 않으므로 일반적으로 디지털 적산 전력량계의 전류센서로 활용되고 있다. 본 연구는 저온소성 다층 세라믹 기판상에 로고스키코일을 적용한 전자식 전력량계의 정밀 전류측정용 센서 개발에 관한 것이며. 3차원 전자기장 해석 프로그램인 MWS를 하여 기판의 소재와 코일의 패턴의 크기 등을 달리하여 그 특성을 알아보고 실제 구현된 센서의 측정된 값과 비교해 보았다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제38권8호
• /
• pp.724-731
• /
• 2001

스크린 인쇄법에 의해 Si 기판에 PZT 후막의 제조에 있어서 주요 문제점은 낮은 소결밀도 및 PZT 후막과 Si 기판과의 반응현상이다. 이러한 현상을 억제하기 위해 본 연구에서는 스크린 인쇄법 및 PZT sol-gel 처리법의 혼합된 방법을 채택하여 Pt/TiO$_2$/YSZ/SiO$_2$/Si(100) 기판에 Zr/Ti 비가 52/48인 PZT 후막을 제조하였으며, 소결온도에 따른 잔류분극(P$_{r}$), 유전상수($\varepsilon$$_{r}$) 및 압전상수(d$_{33}$)를 측정하였다. 인쇄된 PZT 후막에 졸 처리함으로써 단순히 인쇄된 후막에 비해 전기적 특성이 증진된 결과를 얻었다.다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권8호
• /
• pp.735-738
• /
• 2003

고주파용 회로기판으로 사용하는 PTFE 복합체를 woven glass fiber를 사용하여 제조하였다. 유전상수는 PTFE 분산액에 woven glass fiber를 함침하는 횟수 증가에 따라 감소하는 특성을 나타내었으며, 3회 함침 횟수부터는 변화율이 감소하였는데, 이것은 PTFE 미세분말이 woven glass fiber의 기공과 굴곡 사이를 충분히 채우기 때문이다. 또한 함침 횟수 증가에 따라 PTFE의 비율이 증가하면서 유전 상수가 감소하여 회로 기판의 전파 전송속도는 증가하였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제37권12호
• /
• pp.1198-1203
• /
• 2000

AlN와 Si을 이용하여 체적 탄성파 over-moded 공진기를 형성하였다. 높은 c-축 배향성을 갖는 AlN 압전박막은 sputtering에 의해 저온에서 증착하였다. AlN 박막의 c-축 배향성은 기판과 타겥의 거리가 가까울수록, 증착 압력이 낮을수록 (002) 면으로의 성장이 촉진되었다. Si 기판을 이용한 over-moded 공진기로부터 TFR의 임피던스를 산출한 결과 공진영역의 면적에 가장 의존하였다. Al/AlN/Al로 이루어진 TFR의 입력 임피던스는 공진 영역이 크기가 200㎛×200㎛인 경우 가장 50Ω에 근접하였다. Over-moded 공진 특성은 Si 기판의 낮은 Q로 인해 mode 수 294인 2.60976 GHz에서 0.109%의 유효 전기기계결합계수(K/sub eff/²)와 0.3의 K/sub eff/²·Q값을 보였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제30권10호
• /
• pp.845-851
• /
• 1993

Low firing temperature substrate were synthesized through tape casting and sintering of glass with cordierite composition and then their properties were investigated. Even though the dielectric properties and XRD patterns of substrates, obtained by tape casting and sintering at 900~100$0^{\circ}C$ for various periods, were similar to those of substrates obtained by dry pressing, the sinterability was enhanced. The substrates were thin and the size was 0.6$\times$50$\times$50mm. From the results of dielectric properties, the sinterability and X-ray diffraction pattern, the proper condition for cofiring process with conductor, Cu, was 90$0^{\circ}C$ for 1h. The properties of the substrate are as follows; the dielectric constant was 5.31(at 1MHz), the dissipation factor was 0.0028, the apparent porosity was 0.28% and the main crystalline phase was $\alpha$-cordierite.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제39권5호
• /
• pp.517-522
• /
• 2002

본 연구에서는 PVD 공정으로 Si 양자점 형성시 증착조건의 변화가 증착된 양자점 크기와 분포에 미치는 영향을 Monte Carlo법을 응용한 전산모사를 통하여 정량적으로 분석하였다. 전산모사시 PVD 공정에서 일반적으로 제어가 가능한 기판온도, 증착시간, 가스압력과 타겟-기판거리를 공정변수로 선택하였다. 계산 겨로가 증착속도가 0.05 nm/sec이고 기판온도 490${\circ}$, 증착시간 7 sec, 가스압력 3 mTorr, 타겟-기판거리가 8 cm일때 증착 밀도가 $1{\times}10^{12}cm^{-2}$인 Si 양자점 형성이 가능할 것으로 예측되었다.