• 미래기술융합논문지
• /
• 제3권1호
• /
• pp.59-64
• /
• 2024

MZ세대의 의사소통에 관한 연구를 위한 목적을 정립하는 것은 이 세대의 독특한 의사소통 방식을 이해하고 그 영향력을 분석하는 데 중요한 첫걸음이라 생각한다. MZ세대의 의사소통에 관한 연구는 MZ세대의 의사소통 특성 파악하여 MZ세대가 사용하는 의사소통 도구와 플랫폼 즉 예를 들어 소셜 미디어, 메신저 앱 등을 파악하므로 인해 이들이 기존 세대와 어떻게 다른지 분석하여 그들을 이해 할수 있다. MZ세대는 복잡한 철학이나 명확한 삶의 철학 없이도 현대사회에서 행복하게 살 수 있는 것으로 나타났다. 이것은 인생이 의미가 없거나 혼란스럽다는 것을 의미하지 않는다. MZ세대들은 삶의 의미에 대해서도 간단하고 구체적인 해결책으로 만족할 수 있으며, 모든 것을 완벽하게 체계화할 필요 없이 살아갈 수 있다. 즉, 그들의 삶은 이전 세대와 달리 복잡하지 않으며 다양한 의미를 가질 수 있다. 즉 이는 반드시 철학적 체계로 규정될 필요는 없다는 것이다. 이 논문으로 MZ세대의 삶을 하나의 철학적 체계로 명확하게 나눌 수는 없지만, 그럼에도 불구하고 MZ세대 각자의 삶은 많은 의미를 지닐 수 있다는 것을 알 수 있었으며, 이 의미는 MZ세대만의 목적, 가치, 능력을 느끼는 것, 그리고 자신에 대한 가치감 등에서 찾고 있다는 것을 알 수 있었다.

• 토지주택연구
• /
• 제5권4호
• /
• pp.235-246
• /
• 2014

본 연구는 수도권의 1기 신도시가 건설된 이후 지난 20여 년간 신도시 내의 주거 및 인구특성의 변화를 분석하였다. 이를 위해 1995년부터 2010년까지 통계청의 인구주택총조사 자료를 이용하였다. 첫째, 신도시 건설당시의 계획목표와 현재를 비교분석한 결과, 인구목표는 평촌을 제외하고 2.1~28.6% 정도 초과하고 있는데 비해 세대수는 14.3~73.8% 증가하여 인구대비 세대수 증가가 더 많았다. 주택유형별로는 단독주택의 경우 면적대비 87.9%, 세대수 대비 130.3%로서 세대수 증가율이 더 컸으며, 이는 다가구 다세대주택에 의한 것으로 보인다. 또한 공동주택은 계획면적 대비 95.6%, 세대수 대비 113.4%로서 대체로 목표에 근접하였다. 2010년 신도시 총인구는 1,248천명으로 이는 1990년부터 2010년까지 서울시 인구 감소량 818천명의 152.6%, 경기도 인구 증가량 5,224천명의 23.9%에 해당하는 규모로서, 이는 간접적이나마 1기 신도시 건설이 서울 인구의 수도권 분산에 영향을 미친 것으로 보인다. 둘째, 5년 단위로 신도시의 인구 및 가구특성의 변화를 살펴본 결과, 인구는 도시가 완성된 이후 2005년을 정점으로 다소 감소 경향을 보였으며, 장년층 및 노령인구가 증가하였고, 여성인구가 다소 많은 대졸이상의 고학력 도시이며, 가구원수가 지속적으로 감소하였는데 특히, 1세대 가구의 증가와 1인 가구의 증가가 두드러졌다. 또한 총주택의 83~99%를 아파트가 차지하고 있으며, 대부분 건축년수가 20년이 경과되었다. 거주지역 외에 주택을 소유한 가구가 증가하였는데 이는 전국 및 수도권에 비해서 높은 수준이다. 전세가구 비율은 분당 및 평촌을 제외하고는 다소 감소하였고, 월세가구 비율은 신도시 모두 큰 폭으로 증가하여 '전세감소-월세증가'라는 임차주택시장의 변화를 반영하고 있었다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신설비학회 2003년도 하계학술대회
• /
• pp.117-119
• /
• 2003

xDSL은 국내에서 가장 보편적인 초고속 액세스기술로서 전송속도와 전송거리 측면에서 지속적인 발전을 거듭하고 있다. 그 발전방향은 크게 두 갈래로 나누어지는데 ADSL을 기반으로 한 차세대 ADSL과 VDSL이라는 새로운 기술이 그것이다. 현재 차세대 ADSL 분야에서는 ADSL2, ADSL2+ 및 ADSL2++ 등의 표준화가 활발히 진행되고 있으며, VDSL은 라인코드에 대한 열띤 경쟁이 벌어지고 있다. 본 고에서는 이와 같이 다양한 xDSL 기술에 대해 기술적 특성 및 표준화 동향을 알아보고 향후 전망 및 발전전략에 대해 살펴보았다. 국내의 경우 차세대 ADSL을 건너뛰고 이미 VDSL 서비스 단계에 진입했기 때문에 VDSL 기술에 대한 국내 기술기반을 조속히 확보해야 할 필요성이 매우 높다. 따라서 국제표준화 추세에 부합하는 신속한 VDSL 표준 마련이 필요하다.

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
• /
• 한국IT서비스학회 2009년도 추계학술대회
• /
• pp.343-350
• /
• 2009

대규모 금융권 차세대 프로젝트에서 테스트에 대한 중요성은 재무RISK 관점에서 뿐만 아니라 소프트웨어 품질향상을 위한 결함의 제거 관점에서도 그 의미가 크다. 대규모 차세대 프로젝트는 일반 프로젝트에 비하여 개발되는 소프트웨어의 양이 방대하고 개발참여인원도 일반적인 관리수준을 넘어 수작업에 의한 테스트만으로는 충분한 품질을 보장하지 못한다. 또한 테스트를 수행한 이후에도 지속적으로 변경이 발생하고 이를 반영하는 과정에서 많은 결함이 유입되는 현재의 SI 프로젝트 특성상 지속적인 테스트 및 반복적인 검증만이 소프트웨어의 품질을 보장할 수 있다. 본 논문에서는 code coverage testing기법을 활용하여 동적 테스트 수행결과를 log로 도출하고, log 분석 결과를 통해 소프트웨어 품질의 향상을 기대할 수 있는 방안을 제시한다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보과학회 2005년도 한국컴퓨터종합학술대회 논문집 Vol.32 No.1 (B)
• /
• pp.553-555
• /
• 2005

본 논문은 모든 항전장비 가운데서도 조종사의 신속한 상황인식과 수많은 정보의 처리를 위하여 지속적으로 발전이 이루어지고 있는 조종석 디스플레이 시스템의 개량형 설계를 제안한다. 현재 항공기 조종석 시스템은 아날로그식 계기판과 함께 다수의 2-D 컬러 디스플레이를 배열한 모델을 사용하고 있다. 본 논문에서 차세대 조종석을 위해 제안하는 시스템은 미공군에서 개발 중인 방식을 도입하여 3-D와 2-D를 흔용한 소수의 대형 디스플레이로 디지털 신호만을 사용한 시스템에 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 소자를 적용한 것이다. 이 시스템은 상용칩을 수용한 고성능의 컴퓨터 시스템을 이용하여 초당 50,000개의 3-D triangle을 최신화하여 밝은 지형과 어두운 지형 투명도, 지형특성, 비가시적 지형을 시현한다. 본 설계의 구현을 통하여 고성능의 신호 집약적 시스템 설계의 우수성과 차세대 소자로 각광받는 OLED 디스플레이 채택을 통한 디스플레이 시스템 상의 가시도 향상 및 중량감소 등의 효과가 있어 조종석 디스플레이 시스템의 실용도가 개선들 수 있음을 제안하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.6.1-6.1
• /
• 2009

최근 신 재생 에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며 특히 태양전지는 차세대 대체에너지로 많은 연구 개발이 이루어지고 있다. 현재 태양전지 시장은 벌크실리콘 태양전지가 주를 이루고 있으나, 박막형, 유기물, 염료감응형 등 다양한 차세대 태양전지가 개발되고 있다. 차세대 태양전지는 글래스나 폴리머 기판위에 형성된 전극을 바탕으로 하여 다양한 형태의 태양전지가 형성되기 때문에 태양전지용 투명도전성 산화물 전극에 대한 중요성이 증가하고 있다. 예를 들어 실리콘 박막형 태양전지의 경우 수소 플라즈마 분위기 안정성 때문에 ZnO:Al 전극이 개발, 적용되고 있다. 이밖에도 ZnO는 나노입자, 나노로드 등의 다양한 형태를 기반으로 유기물 및 염료감응형 태양전지 전극으로 적용되고 있다. 본 연구에서는 전기화학적 방법을 이용해 나노입자, 나노로드, 나노 sheet 등 다양한 형태의 ZnO 나노구조를 형성한 후, 태양전지 적용을 위한 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 3차원 형태의 ZnO sheet 전극은 90% @ 550 nm 가 넘는 우수한 광특성 (Haze value)을 보였으며, 염료감응형 태양전지에 적용되었을 경우 2차원 형태의 ZnO 전극에 비해 Jsc 값이 2.5배 이상 향상되었다.

• 영재교육연구
• /
• 제24권1호
• /
• pp.81-111
• /
• 2014

기업영재에 대한 연구는 최근 새롭게 떠오른 분야로 날로 그 중요성이 증대되고 있으나 기업 영재의 개인적 특성에 대한 경험적 연구는 부족하였다. 본 연구는 기업영재의 개인적 특성을 체계적으로 조사하여 기업영재의 정의 및 개념화에 기여하고자 하였다. 이를 위해 특허청이 주관하는 '지식재산기반 차세대영재기업인 육성사업' 참여 학생을 기업영재로 정의하고, 이들의 특성을 발명영재 및 발명장학생과 비교함으로써 기업영재의 특성을 보다 구체적으로 진단하고자 하였다. 이에 따라 전국의 발명영재, 발명장학생, 그리고 차세대영재기업인 중 현재 중학교에 재학 중인 226명의 학생이 총 다섯 가지 자료 영역, 즉, 청소년의 주요 정의적 지적 교육 진로(미래 포부) 영역, 생애 목표 및 목표 인식, 창업관련 특성, 발명관련 특성, 기타 개인 및 환경 정보에 관해 332문항에 걸친 자기보고식 설문에 참여하였다. 그 결과, 차세대영재기업인, 즉 기업영재는 발명인재들이 나타내는 특성을 전반적으로 보유하면서, 기업적 능력 및 특성을 추가적으로 가지는 것으로 나타났다. 즉, 기업영재는 발명영역 및 기타 개인 정보에서는 타 창의발명인재들과 유사한 특성을 보였으나, 창업 영역과 지적 영역에서는 발명인재보다 뛰어나다는 점이 시사되었다. 논의에서는 이 연구가 기업영재 및 창의적 인재 개발 분야에서 갖는 함의와 제한점 및 향후 연구 방향을 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
• /
• pp.1013-1014
• /
• 2011

급격한 산업 발전으로 전려계통의 수요 증가가 꾸준히 증가하고 있으며, 2007년부터 2020년까지 매년 2.2%씩 증가할 것으로 예상된다. 전력계통의 증대로 고장전류의 크기도 더불어 증가하고 있으며 이는 기존의 차단의 부하 용량을 넘어서고 있다. 따라서 안정적이고 효율적인 고장전류 차단을 위해서 초전도 한류기의 필요성이 대두되고 있다. 본 연구는 다양한 초전도 한류기 중에서 순수 저항형 초전도 한류기의 적용 가능한 2세대 고온 초전도 선재들의 특성을 파악하였다. 현재 상용화가 이루어지고 있는 2세대 고온 초전도 선재의 동작 온도에 따른 온도별 비저항, 임계전류, 교류 손실과 단위 길이당 인가 허영 전기장을 을 측정하였다. 상위 과정을 통해서 측정된 각 선재별 특성을 바탕으로 초전도 저항형 한류기에 적용 가능한 선재를 제안하고자 한다.

• 한국진공학회지
• /
• 제4권2호
• /
• pp.210-216
• /
• 1995

최근에 연구되고 있는 저온, 저압 플라즈마를 이용한 식각기술 중 차세대 반도체 metallization 공정에 응용될 수 있는 가장 적합한 기술이라 사료되는 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP)를 이용한 RF 스퍼터 식각 반응로를 제작하고 이에 대한 특성을 조사하였다. 유도용 주파수로서 13.56 MHz를 사용하였으며 유도결합을 일으키기 위해 3.5회의 나선형 평판형 코일을 사용함으로써 비교적 대면적에 균일한 고밀도 플라즈마를 얻을 수 있었다. 또한 기판에 독립적인 13.56MHz RF power를 가해 DC 바이어스를 인가함으로써 기판으로 입사하는 하전입자들의 에너지를 조절하여 기판에의 손상을 최소화하며 SiO2의 스퍼터 식각 속도를 극대화할 수 있었다. 따라서 이러한 특성을 갖는 유도 결합형 플라즈마 식각장치를 차세대 반도체의 RF스퍼터 식각 공정에 응용할 수 있으리라 사료된다.

• 세라미스트
• /
• 제4권1호
• /
• pp.46-55
• /
• 2001

$SiO_2$ 절연막의 우수한 절연특성 및 계면 특성으로 인해 지난 40여년 간 MOSFET 소자에 사용되어 왔으나, 차세대 $0.1{\mu}m$ 소자에서는 direct tunneling에 의한 누설전류가 지나치게 증가하여 더 이상 사용되기가 어렵다. 이에 대한 대안으로 많은 연구 그룹에서 고유전율 박막에 대한 연구를 하고 있으나 아직까지 $SiO_2$와 비교할 만한 탁월한 계면특성을 가진 절연막은 개발되어 있지 않아서, 수년 내에 개발될 $0.1{\mu}m$ MOSFET 소자의 개발에 가장 심각한 기술적 문제로 지적되고 있다. 현재의 연구경향을 종합할 때, $HfO_2$, $ZrO_2$, $HfSiO_x$, $ZrSiO_x$를 이용하여 계면 공정의 최적화를 통해 1-2nm급의 절연막을 구현하고, 1nm급 이하에서는 이보다 더 높은 유전상수를 가지는 재료의 선택과 이를 epitaxy로 성장시키는 방법에 대한 연구가 필수적이다.