• 제목/요약/키워드: 세계반도체소자

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초고속 화합물 반도체 소자의 최근 기술동향 (HEMT 와 H.B.T.를 중신으로)

  • 류태경;권영세
    • 전기의세계
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    • 제34권6호
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    • pp.360-365
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    • 1985
  • 실리콘 반도체 소자의 개발은 인류에게 큰 편리를 주며 현 과학문명을 급진적으로 발전시켰다. 실리콘 반도체 기술이 꽃을 피울 무렵 실리콘보다 우수한 성능을 요구하는 필요에 의해 새로운 물질이 연구되기 시작했다. "미래의 반도체"라 불리우는 화합물 반도체로 과학 문명은 새로운 국면을 맞이하게 된다. 그것은, 화합물 반도체의 발광효과를 이용한 광통신개발과 실리콘보다 빠른 전자속도를 이용한 초고속 소자의 개발이라 할 수 있다. 이글에서는 주로 현재 세계에서 널리 연구되고 있는 초고속소자의 기술개발에 대하여 이야기하고자 한다.이야기하고자 한다.

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플라즈마 성장기술과 반도체소자에의 응용

  • 민남기;김승배
    • 전기의세계
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    • 제32권10호
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    • pp.616-625
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    • 1983
  • 본고에서는 PECVD의 기본원리와 장치를 간단히 설명한 후, 현재까지 PECVD법에 의해 형성된 박막중 반도체소자에의 적용을 위해 광범위하게 연구개발이 진행되고 있는 plasma silicon nitride (이하 PD SiN)와 plasma silicon dioxide (or oxide) (이하 PD SiO$_{2}$)막의 특성에 대해 현재까지의 연구결과를 중심으로 PECVD막의 성질을 고찰하고, 반도체 소자에의 응용을 검토한다.

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비정질반도체 재료와 응용

  • 이정한
    • 전기의세계
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    • 제24권6호
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    • pp.35-38
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    • 1975
  • 금속과 원소반도체의 접촉으로 이루어진 점접촉트란지스터를 출발점으로 한 P-N접합트란지스터는 4반세기동안 반도체전자 소자의 중심이었다. 이와 같은 반도체소자는 단결정반도체의 특성을 이용한 것으로 그 제작에 있어 거의 완전에 가까운 결정구조와 극도의 화학적순수성이 요구되는 것이다. 이와 같은 요구조건은 접합형 반도체소자제작에 큰 제한을 주게 된다. Gunn Diode, Impatt Diode등으로 반도체소자는 Bulk형식의 것이 각광을 받게 되었으며 MOS형식의 FET에 이르러 신기원을 이루게 되었다. 이리하여 MOS기술은 Sapphire기반을 도입함으로써 SOS기법으로 발전을 거듭하게 되었다. 그러나 정질반도체의 이용이라는 근본적 개념에서는 이탈치못하고 있다. 이상과 같은 정질반도체소자에 대응하여 반대적 입장에서 불순물농도의 영향이 적은 비정질반도체의 연구가 70년이후 미국을 중심으로 활발하게 전개되고 있다. 그 연구 및 개발결과는 2년마다 이루어지는 액체비정질반도체국제회의에서 종합되고 있다. 이 분야에서의 연구는 1968년 Ovshinsky가 비산화물 Chalcogenide glass 비정질박막에서의 빠른 응답속도의 양극대칭성 Switching 현상 발견을 계기로 신국면을 개척하게 된 것이다. 이들 비정질반도체에 대한 물성론적 흥미와 응용면에 관한 기대로부터 전도기구의 해명과 응용회로의 개발연구가 급속히 진전되고 있다.

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반도체 기억소자용 강유전체 박막의 연구 동향

  • 이성갑;이영희
    • 전기의세계
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    • 제46권1호
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    • pp.33-41
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    • 1997
  • 이 논문에서는 최근 반도체 집적 기억소자의 소형화 및 기억 용량 증대를 위해 많은 연구가 진행되고 있는 강유전체 재료의 특성과 기억소자로의 응용시 동작원리 및 문제점, 향후전망등에 대해 서술하고자 한다.

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전력용 반도체 소자

  • 황성규;윤대원
    • 전기의세계
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    • 제42권3호
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    • pp.28-36
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    • 1993
  • 전력용 반도체 소자는 과거 전력 다이오드, 바이플라 전력 트랜지스터 및 사이리스터 중심의 시장구성이 80년대에 들어와 전력 MOSFET와 IGBT의 지속적인 기술 발전에 힘입어 92년 전력용 반도체소자 전체 시장 45억불의 53%에 해당하는 24억불을 전력 MOSET, IGBT, 바이플라 전력 트랜지스터가 시장을 구성하고 있으며 연간 10% 이내의 지속적인 성장이 예고되고 있다. 또한 전력 MOSFET, IGB는 개별 전력소자로서의 역할뿐만 아니라 논리회로 혹은 고성능 아나로그회로와 동일 칩상에서 모노리틱 형태로 집적화되는 스마트 전력 집적회로의 출현에 중요한 영향을 미쳤으며 스마트 전력 집적회로로의 출력단 소자에 응용되어 파워부하의 구동 및 제어의 기능을 하고 있다. 이러한 전력용 반도체소자의 기술발전은 전력 전자 산업의 핵심 반도체소자로써 전력전자 시스템, 각종 전자기기 및 가전제품에 응용되어 이들 응용제품 및 시스템의 고급화, 지능화, 소형경량화에 크게 기여하고 있다.

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반도체 나노선의 소자 응용 현황

  • 심성규;김경환;김상식
    • 전기의세계
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    • 제53권8호
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    • pp.24-30
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    • 2004
  • 현대 사회는 지식ㆍ정보화를 추구하며 변화하고 있다. 지식ㆍ정보화사회는 개인, 기업 및 사회 모든 주체에 대하여 영상, 음성, 데이터 등의 다양한 정보의 교환을 극대화할 수 있는 인프라를 제공하게 될 것이며 이는 인간생활의 새로운 혁신을 예고하고 있다. 한편 이러한 지식 정보화는 고도의 정보 저장 및 통신기술이 필수적으로 요구되며 현재보다도 더욱 고속, 대용량의 정보처리가 가능한 소자로의 발전을 요구하고 있다. 그럼에도 불구하고 현재의 반도체 기술은 90nm 이하의 나노기술에 이미 진입하여 물리적인 한계(현재 70nm로 추정)에 근접하고 있다. 이러한 상황에서 소자기술의 고도화를 위해서 기존 소자의 지속적인 축소화 이외의 대안으로 Bottom-Up 나노소자 기술이 90년대 이후 새로운 패러다임으로써 활발히 연구되고 있다. (중략)

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복합나노소자의 대량생산 기술 개발에 독보적 영역 구축 - 서울대학교 융합나노소자연구실

  • 박지연
    • 광학세계
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    • 통권122호
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    • pp.25-27
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    • 2009
  • 최근 나노기술이 발전을 거듭하면서 새로운 소자들에 대한 연구개발이 활발히 전개되고 있다. 서울대학교 융합나노소자연구실은 탄소 나노튜브와 실리콘 나노선 등 반도체 및 디스플레이의 첨단산업분야에서 많이 쓰이고 있는 소자들을 결합시켜 새로운 소자를 만들어내는 연구를 진행하고 있다. 특히 나노소자의 대량생산 기술에 관심을 갖고 세계적인 연구개발 업적을 꾸준히 내놓으면서 이 분야에서 독보적인 영역을 구축해 나가고 있다.

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공업전자의 현황과 전망 (Status of Industrial Electronic and Their Trends)

  • 오철수;손성재
    • 전기의세계
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    • 제20권1호
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    • pp.45-47
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    • 1971
  • 공업전자의 현황과 전망에서는 SCR을 주축으로 한 반도체소자를 이용한 Energy변환 및 제어의 분야의 반도체소자를 매개로한 Energy변환과 제어 및 기계의 전자화된 조절장치를 체계화한 전기공학의 분야에 대해 설명했으며, 우주통신과 우주선 추적에서는 아폴로 S대통일계통, Goddard식 거리속도추적계통, 중계위성에 대해 설명했으며 Feedback inbiological systmems lecture notes에서는 Familar definition of Feedback, Definition of Control Feedback에 대해 논하였다.

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