• 월간양계
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• 제52권2호
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• pp.96-99
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• 2020

1970년대 이후 경제성장과 함께 식품산업이 빠르게 성장하면서 축산업이 본격적으로 시작되었다. 동시에 국내 양계산업은 전문화·자동화 기술 도입, 품질과 사양관리 개선 등으로 생산성이 향상되면서 축산 선진화 대열에 들어서기까지 업계 관계자들의 참여와 노력이 상당했다. 이번호에는 해외의 우수한 양계기술과 제품을 들여와 국내 양계산업을 한층 끌어올리는데 선두적인 역할을 해온 과학시스템(주) 박만후 대표를 만났다. 박만후 대표는 산업 발전을 위해 노력한 공을 인정받아 지난해 12월 4일 '월간양계 창간 50주년 기념행사'에서 장관상을 수상하는 영예를 안기도 했다. 그간 활동을 소개한다.

• 월간포장계
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• 통권347호
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• pp.78-81
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• 2022

(사)한국포장협회(회장 임경호)는 지난 2월 18일 '제32차 정기총회 및 포장인의 날'에 (사)한국포장협회 회장상을 이현철 (주)서일 기술연구소 소장에게 수여했다. 이현철 소장은 기술연구소를 설립, 국내 최초 식품 레토르트용 투명배리어필름 'Alox'의 개발을 주도하고 과감한 투자와 적극적인 사내외 교육 활용 등으로 기업 성장에 있어서 중추적인 역할을 해왔다. 또한 한국포장협회 사업에 적극 참여하고 회원사의 젊은 경영진 중심 협업 및 협회 사업 동참 등을 도모하며 한국포장협회의 안정적 성장과 발전에 기여했다는 평가를 받아 제3회 (사)한국포장협회 회장상을 수상했다. 이현철 소장을 만나 기술연구소 설립 배경과 성과, 그리고 향후 계획에 대한 이야기를 들어보았다.

• 한국경제지리학회지
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• 제14권2호
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• pp.225-239
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• 2011

본 논문은 미국 조지아 주 애틀랜타와 인근 지역(이하 메트로 애틀란타)의 한인인구와 한인업체의 지역별 분포 및 특징을 살펴봄으로써 새롭게 부상하고 있는 메트로 애틀랜타 한인사회의 전반적인 성장과정을 파악하고자 한다. 특히 메트로 애틀랜타에 입지한 한인업체의 시기별 성장과정과 주요 지역 및 업종별 입지 동향 분석을 통해 한인업체의 공간적 분포의 특성을 파악하고자 한다. 이를 위해 애틀랜타 한인 이민의 역사를 살펴보았으며, 메트로 애틀랜타 한인업체의 입지 동향과 주요 업종별 입지 동향을 지역별로 분석하였다. 그 결과 메트로 애틀랜타 한인업체의 주요 입지는 교통의 발달, 새로운 지역의 개발, 교육 여건, 인종별 주거 비중의 변화 등으로 인해 애틀랜타 북동쪽의 외곽으로 급속히 확산되고 있음을 알 수 있었다. 이와 함께 한인업체의 주요 업종은 미국의 제도, 한인 거주민의 이주, 시장 전략 등에 따라 소매업과 음식점 및 주점업에서 부동산업과 금융업으로 전환되었고, 소매업의 입지 비중이 상대적으로 감소되었다는 사실도 밝혀졌다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• 제22권5호
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• pp.903-910
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• 2011

어류의 성장함수로는 동화작용과 이화작용의 차이가 성장을 결정하는 형태의 곡선이 사용 된다. 대부분의 어류는 일 년에 정해진 기간에 한번 산란하는 형태를 갖는다. 이러한 어류를 일시적 산란 어류라고 하고 이와는 다르게 일 년 동안 영양 상태에 따라 계속적으로 산란하는 멸치 등의 어류를 연속산란 어류라고 한다. 본 논문에서는 일시적 산란 어류에 비교하여 산란 시기가 성장에 영향을 많이 주는 연속 산란 어류의 성장곡선을 산란시기의 수온 함수로 성장식을 유도하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.9-11
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• 2009

열전박막은 유비쿼터스 센서 네트워크에서 사용될 초소형 자가발전 장치로 각광받고 있다. 본 실험에서 는 상온에서 주로 사용되는 $BiSbTe_3$ 열전물질을 유기 금속화학 증착법(MOCVD)을 이용하여 (0001) Sapphire기판 위에 성장하였다. 일반적으로 사용되는 기판의 세척 및 에칭과정을 거쳐 성장된 $BiSbTe_3$ 박막의 표면형상은 부분적으로 성장되지 않으며 불규칙한 결정립을 포함하는 박막의 형상을 나타내었으나 성장 전 기판의 표면처리 통하여 성장된 박막의 표면 형상을 크게 개선시킬 수 있었다. 이는 표면처리를 통하여 기판표면에 미세 결함을 형성 시켜 초기 박막성장 시 핵생성이 용이하도록 하였기 때문으로 해석되었다. 이러한 표면 처리기법은 성장된 박막의 열전 특성에 크게 영향을 끼치지 않았다. 따라서 다양하고 저가의 박막형 열전소자의 제작에 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.122-122
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• 2011

HgCdTe는 고성능 적외선 센서 재료로 널리 사용되고 있다. 현재 상용화된 HgCdTe 소재는 통상적으로 액상 에피 성장법으로 제조 되고 있다. 액상 에피 성장법에 의해 제조된 HgCdTe는 갓 성장 상태에서 많은 양의 Hg-공공(vacancy)을 함유하게 되며 적외선 소자의 응용을 위해서는 이러한 Hg-공공을 채우기 위한 Hg-분위기 열처리 공정을 거치게 된다. 열처리 혹은 성장 공정 시 HgCdTe 소재 내에 발생하는 마이크로 혹은 나노스케일의 조성의 변화는 응력의 집중을 가져오며 이는 전자, 혹은 정공의 응집을 가져와 소자 동작의 불균일성을 야기한다. 본 연구에서는 액상 에피 성장법으로 성장 된 HgCdTe 박막내에 존재하는 응력의 분포와 Hg-공공을 채우기 위한 열처리 과정에서 생성 또는 소멸되는 응력의 변화를 Geometric phase strain 분석법으로 관찰하였다. 분석결과, 응력의 집중된 부분은 주로 성장 시 석출된 Te 및 Hg-공공으로 부터 기인함을 확인하였다. Hg-분위기 열처리를 통하여 석출된 Te 제거 및 Hg-공공의 감소를 확인하였고 이에 따른 응력의 집중 부분도 해소됨을 알 수 있었다.

• 한국가축번식학회지
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• 제18권3호
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• pp.175-182
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• 1994

Rat $\beta$-casein 유전자와 사람 성장호르몬 (hGH) 유전자의 융합유전자를 생쥐 수정란의 웅성전핵에 미세주입하여 형질전환생쥐 (transgenic mouse) 6계통을 확립하였다. 이들로부터 사람성장호르몬(hGH) 유전자의 발현 여부를 조사한 결과, 6계통중 4계통의 생쥐 유즙에서 hGH가 2~900 ng/ml 수준으로 발현되고 있었으며, 혈중에서는 hGH가 검출되지 않았다. 따라서 이들 형질전환생쥐에서 사람성장호르몬이 우선특이적으로 발현, 분비되고 있음을 알 수 있었다. 한편, 사람성장호르몬의 발현이 확인된 두 계통 (ChGH2-2, CChGH2)의 형질전환생쥐를 대상으로 하여 세대별, 산차별로 유즙내 사람성장호르몬의 함량을 조사한 결과, 3세대에 걸쳐, 또한 제1세대에서의 세차례 반복된 비유기에도 유즙내 사람성장호르몬은 지속적으로 분비되고 있었다. 이상의 결과는 형질전환생쥐에서의 외래유전자의 발현성은 반복되는 비유기와 여러 세대에 걸쳐 안정적으로 유지됨을 보여 주고 있다.

• 경영과정보연구
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• 제7권
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• pp.125-140
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• 2001

본 고는 1990년대 10년간의 정부의 정보통신 경쟁도입 정책과 정보통신시장에서의 발전성과를 살펴본 후, 최근 정체상태에 빠져들고 있는 국내 정보통신산업의 현상황을 점검해 보고 향후의 지속적인 성장 발전을 위한 요인들을 중심으로 시장상황을 전망해 보기 위하여 작성되었다. 이를 위해 본 고에서는 우선 1990년대 10년간 정보통신시장에서의 발전성과와 시장구조 변화, 그리고 IMF 이후 3년간의 주요 발전지표를 살펴본 후, 현재까지 집계된 2001년 10월까지의 실적데이터를 이용하여 정체상태에 빠져들고 있는 국내 정보통신산업의 현상황을 점검해 보았다. 이와 더불어 인터넷, 이동통신, 디지털방송, 정보보호, 정보가전, 소프트웨어 등 향후 정보통신산업의 성장엔진으로 부각되고 있는 신기술산업들의 성장추세와 정보통신산업의 성장발전에 영향을 미치게 될 각종 영향요인들을 중심으로 향후의 단 중기적인 정보통신산업 성장전망을 제시해 보았다. 본 고는 향후의 정보통신산업을 전망하는데 있어 단순한 수치위주의 전망보다는 정보통신산업에 영향을 미치고 있는 요인들을 중심으로 향후의 성장전망을 점검해 보았다는 점에 의의가 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.85-85
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• 2000

Stranski-Krastanow 자발형성 방법에 의한 양자점의 성장은 다른 공정에 비해 결함이 적은 반면에 크기와 위치를 조절하기 어렵다. 최근 20-off GaAs 기판을 이용한 양자점의 성장은 다른 공정과는 달리 성장조건만으로 선택적인 성장을 얻을 수 있으며 양자점의 크기가 terrace width를 벗어나지 않으므로 uniformity를 향상시킬 수 있다. 20-off GaAs 기판의 trrrace 넓이는 약 99 이지만 성장조건하에 Ga의 diffusion에 의한 step bunching 효과에 의하여 그 넓이는 변화하며 특히, 성장 두께에 따라 넓이는 증가한다. 이러한 현상을 바탕으로 20-off 기판위에 GaAs buffer 층을 1000 , 22 을 갖게 되었다. 이로써 20-off 기판을 이용할 경우,GaAs buffer 층의 두께만으로 양자점의 크기를 조절할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.193.1-193.1
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• 2015

실리콘 (Si) 기판 위에 고품질의 갈륨질화물 (GaN) 박막을 성장시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 실리콘 기판은 사파이어 기판 보다 경제적인 측면에서 유리하고, 실리콘 직접화 공정에 GaN 소자를 쉽게 접목 가능하다는 장점이 있다. GaN 박막은 2차원 전자 가스형성을 통한 고속소자, 직접 천이형 밴드갭을 이용한 발광소자 및 고전압 소자로써 활용 가능한 물질이다. 종래에는 Si(100) 및 Si(111) 기판 위에 GaN 박막 성장에 대한 연구가 주로 진행되었다. 하지만 대칭성과 격자 불일치도 등 결정학적 특성을 고려할 때 Si(100) 기판 위에 고품질의 GaN 박막을 성장시키는 것은 쉽지 않다. Si(111) 기판은 실리콘 소자 직접화 공정에 적합하지 못한 단점을 가지고 있다. 반면, 최근 Si(110) 기판 위에서 비등방적 변형 제어를 통한 고품질 GaN 박막 성장이 보고 되어 실리콘 집적 소자와 결합한 고전압 소자 및 고속소자 구현에 관한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 투과전자현미경 연구를 바탕으로 Si(110) 기판 위에 성장된 GaN의 미세구조에 관한 연구를 소개한다. 열팽창계수의 차이에 의한 GaN 박막 내 결함 생성을 줄이기 위하여 AlN 완충층이 사용되었다. GaN 박막을 암모니아 ($NH_3$) 유량이 다른 조건에서 성장시킴으로써 GaN 박막 미세구조의 암모니아 유량 의존성에 관한 연구를 진행하였다. GaN 박막에서 투과전자현미경 연구와 X-ray 회절 연구를 통하여 결함 거동 및 결정성을 확인하였다. $NH_3$ 유랑이 증가함에 따라 GaN의 성장 거동이 3차원에서 2차원으로 변화됨을 관찰하였다. 또한, 전위밀도의 증가도 확인되었다. $NH_3$ 유량이 낮은 경우 GaN 전위는 AlN와 GaN 경계에 주로 위치하고 GaN 표면 근처에는 전위밀도가 감소하였으나, $NH_3$ 유량이 높을 경우 GaN 박막 표면까지 전위가 관통됨을 확인하였다.